模擬電子技術(shù)題庫答案.doc

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1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9模擬電子技術(shù)試題匯編第一章 半導(dǎo)體器件一、填空題1、本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是 電子 ，少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 。2、 在N型半導(dǎo)體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體中，電子濃度 小于 空穴濃度。 3、PN結(jié)反向偏置時，空間電荷區(qū)將變 寬 。4、雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是_飽和_區(qū)、_放大_區(qū)、_截止_區(qū)。5、場效應(yīng)管分為兩大類：一類稱為_結(jié)型場效應(yīng)管_，另一類稱為_ 絕緣柵場效應(yīng)管_。6、PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，電源的負極接P區(qū),這種接法稱為_反向接法_或_反向偏置

2、_。7、半導(dǎo)體二極管的基本特性是 單向?qū)щ娦?_，在電路中可以起_整流_和_檢波_等作用。8、雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為_NPN_型和_PNP_型兩種，它們的符號分別為_和_。9、PN結(jié)中進行著兩種載流子的運動：多數(shù)載流子的 擴散 運動和少數(shù)載流子的_漂移_運動。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為_0.5_V，鍺二極管的死區(qū)電壓約為_0.1_V。11、晶體管穿透電流是反向飽和電流的_1+_倍，在選用晶體管的時候，一般希望盡量_小_。12、場效應(yīng)管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_跨導(dǎo)_。13、PN結(jié)具有_單向?qū)щ奯特性。14、雙極型三極管有兩個PN結(jié)，分別是_集電結(jié)_和_發(fā)射結(jié)_。15、為了保證三極管工

3、作在放大區(qū)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)_正向_偏置，集電路_反向_偏置。16、場效應(yīng)管是_電壓_控制型元件，而雙極型三極管是_電流_控制型元件。17、本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 ，少數(shù)載流子應(yīng)是 電子 。18、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 。19、PN結(jié)外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，電源的負極接N區(qū),這種接法稱為 正向接法 或_正向偏置_。20、從雙極型三極管內(nèi)部三個區(qū)引出三個電極，分別是_集電極_、_發(fā)射極_和_基極_。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結(jié)外加_正_向電壓；（2）集電結(jié)外加_反_向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用_正_離子和等

4、量的_負電子_來簡化表示。23、PN結(jié)正向偏置時，空間電荷區(qū)將變_窄_。24、二極管的兩個電極分別稱為_陽_極和_陰_極，二極管的符號是_。25、當(dāng)溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會_左_移，輸出特性曲線會 上 _移，而且輸出特性曲線之間的間隔將_增大_。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是_溫度_。27、P型半導(dǎo)體可用_負_離子和等量的_空穴_來簡化表示。28、主要半導(dǎo)體材料是_硅_和_鍺_；兩種載流子是_空穴_和_電子_；兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是_P型_和_N型_。 29、二極管外加 正 向電壓導(dǎo)通，外加 反 向電壓截止。30、當(dāng)溫度升高時，三極管的參數(shù)會 變大 _，會 增加 _，導(dǎo)通電壓會

5、 變小 _ 。31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電，即_多數(shù)載流子_和_少數(shù)載流子_導(dǎo)電，而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電，即_多數(shù)載流子_導(dǎo)電。32、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是_空穴_。33、某晶體管的極限參數(shù)，。若它的工作電壓，則工作電流不得超過_15_；若工作電壓，則工作電流不得超過_100_；若工作電流，則工作電壓不得超過_30_。34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為=9V， =6.2V， =6V，則該三極管是_PNP_型三極管，A為_集電_極，B為_基_極，C為_發(fā)射_極。35、雙極型三極管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_。36、場效應(yīng)管輸出特性的三個區(qū)域分別

6、是_恒流_區(qū)、_可變電阻_區(qū)、_夾斷_區(qū)。37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為_本征半導(dǎo)體_。38、場效應(yīng)管與晶體管比較， 場效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高， 晶體 管的放大能力強。39、雙極型三極管內(nèi)部有三個摻雜區(qū)域，分別是_發(fā)射區(qū)_、_基區(qū)_和_集電區(qū)_。二、選擇題1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（ B ）時處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。A0 B死區(qū)電壓 C反向擊穿電壓 D正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中（ A ）的濃度對溫度敏感。A少子 B多子 C雜質(zhì)離子 D空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置，它的工作狀態(tài)是（ B ），若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（ A ），

7、若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（ C ）。A截止 B放大 C飽和 D損毀4、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為( B )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有（ A ）和（ B ）兩種載流子參與導(dǎo)電,而場效應(yīng)管所導(dǎo)電過程僅僅取決于（ A ）的流動。A多子 B少子 C自由電子 D.空穴6、當(dāng)NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為（A）（A）。A B C = D 7、對二極管正向電阻和反向電阻的要求是（ C ）A、都大 B、都小 C很小，很大 D大，小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻（ B ），

8、穩(wěn)壓性能愈好。A愈大 B 愈小 C為任意值9、 三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時工作于（ C ）狀態(tài)。A 放大 B 截止 C 飽和 D 無法確定10結(jié)型場效應(yīng)管放大電路的偏置方式是（ A、D ）A自給偏壓電路 B外加偏壓電路 C無須偏置電路D柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（ A ），而少數(shù)載流子的濃度與（ B ）有很大關(guān)系。A溫度 B摻雜工藝 C雜質(zhì)濃度 D晶體管缺陷12、場效應(yīng)管屬于（ B ）控制型器件，而晶體管若用簡化h參數(shù)來分析，則可認為是（ C ）控制型器件。A電荷 B電壓 C電流13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D

9、 ）。A大于 B小于 C等于 D變寬 E變窄 F不變14、當(dāng)溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（ D ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D右移，下移15、PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通，此時空間電荷區(qū)將（ A ）。A變窄 B基本不變 C變寬 D.先變窄，后變寬16、 在25C時，某二極管的死區(qū)電壓Uth0.5V，反向飽和電流Is0.1pA，則在35C時，下列哪組數(shù)據(jù)可能正確：（ D ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V，Is0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常

10、工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP）與三個電極時，最為方便的測試方法為（ B ）。A測試各極間電阻 B測試各極間、對地電壓C測試各極電流 三、判斷題1、 三極管在工作頻率大于最高工作頻率時會損壞。 （ ）2、 穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。 （ ）3、與三極管放大電路相比，場效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（ ）4、P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻入五價磷元素而獲得。（ ）5、有人測得晶體管在=0.6V時，=5，因此認為在此工作點上的大約為。 （ ）6、通常結(jié)型場效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。（ ）7、通常的雙極型晶體管BJT

11、在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。 （ ）8、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。（ ）9、P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負電。（ ）10、PN結(jié)內(nèi)擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（ ）11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場作用下形成的。（ ）12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時，就有電流流過。（ ）13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。（ ）14、場效應(yīng)管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（ ）15、有人測試晶體管的，方法是通過測得晶體管的，推算出 。 （ ）四、綜合題1、放大電路中測

12、得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整。（10分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a.飽和；b.放大；c.截止；d.損壞）（共8分）管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設(shè)二極管正偏時的正向壓降為0.7V,試計算UX和UY的值（共9分） （a）（b）答案：（a）D正偏導(dǎo)通

13、I=2RI=6.2V（b）D僅偏截止I=0=0=10V4、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V， 求Uo為多少？（共3分）答：=9-6=3V5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導(dǎo)通，并求出u0。D導(dǎo)通，6、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設(shè)圖中所有電容對交流信號視為短路）（9分）都不能放大電壓信號（a） （b） （c）輸入交流短路無直流基極偏壓 輸入交流短路7、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，試寫出輸出電壓Uo為多少？（共8分） （a） （b） （c） （d）8、設(shè)二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止？并求出UO

14、=？ （a）D導(dǎo)通 （b）D截止 （c）導(dǎo)通截止 （d）先導(dǎo)通截止 =0V =-3V- 22 -第二章 放大電路原理一、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，_共集_組態(tài)帶負載能力強，_共基_組態(tài)頻率響應(yīng)好，_共射_組態(tài)有倒相作用，_共集_組態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的對數(shù)增益等于其各級對數(shù)增益的_之和_。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是_共射_、_共基_、_共集_。4、影響放大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是_溫度變化_。5、三極管_共集_組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點。6、放大電路最常用的基本分析方法，就是_圖解法_和_微變等效電路法_。7、共集電極放大電路又稱為

15、_射極輸出器或射隨器_。8、多級放大電路常用的耦合方式有三種：即_阻容耦合_、_直接耦合_、_變壓器耦合_。9、放大電路的三種基本組態(tài)中，_共射_組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，_共集_只具有電流放大能力，_共基_組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質(zhì)首先是實現(xiàn)_能量_的控制；所謂放大作用，其放大的對象是_變化量_。11、產(chǎn)生零點漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受_溫度_的影響而發(fā)生波動，導(dǎo)致放大電路的_靜態(tài)工作點_不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為_零點漂移_。二、選擇題1、關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱Q點），下列說法中不正確的是（ D

16、）。AQ點過高會產(chǎn)生飽和失真 BQ點過低會產(chǎn)生截止失真C導(dǎo)致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化 DQ點可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是_B_電路。A 共發(fā)射極 B 共集電極 C共基極 D不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ） 。A.共射電路 B.共集電路 C.共源電路 D.共基電路4、有兩個放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（ B ）。A輸入電阻大 B輸入電阻小 C輸出電阻大 D 輸出電阻小 5、多極放大電路的增

17、益是（ B ）、輸入電阻是（ A ）、輸出電阻是（ C ）。A由第一級確定 B.由各級共同確定 C.由末級電路確定6、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入3K的負載電阻的輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（C ）A10K B2K C 1K D 0.5K7、放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是（ A ）。A環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化 B放大倍數(shù)太大C晶體管的噪聲太大 D外界存在干擾源8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C ）。（2）要求能放大直流信號，可選用（B ）。（3）要求能放大高頻交流信號，可選用（A,B

18、 ）。（4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C ）。（5）為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合，應(yīng)采用（C ）。A阻容耦合 B直接耦合 C變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路（ B ）A只能分析靜態(tài)工作點 B.只能分析動態(tài)參數(shù)C既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（ B ）； 既能放大電流，又能放大電壓的電路是（ C ）。A 共基放大電路 B共集放大電路 C共射放大電路11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格（1）減小時，輸入電阻 _B_。（2）增大時，輸出電阻 _A_。（3）信號源內(nèi)阻增大

19、時，輸入電阻_C_。（4）信號源遠內(nèi)阻減小時，電壓放大倍數(shù) _A_。（5）負載電阻增大時，電壓放大倍數(shù)_A_；（6）負載電阻減小時，輸出電阻Ro _C_; (7) 若Rb減小，則靜態(tài)的將_A_，將_B_電壓放大倍數(shù) 將_A_。(8)若換一個值較小的晶體管，則靜態(tài)的將_C_。(9) 增大時， 將_A_。(10) 增大時，將_B_。(11) 增大時，將_C_。(12) 增大時，將_C_。A.增大 B.減小 C.不變12、由NPN晶體管組成的基本放大電路，如圖：輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則：（1）這種失真是_B_ A.飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真。 （2）為了消除這種失

20、真，應(yīng)_D_ A減小集電極電阻 B.改換小的管子 C.增大基極偏置電阻Rb D減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓。13、由PNP晶體管組成的基本放大電路，如圖：電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則(1) 這種失真是_A_ A.飽和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 頻率失真。（2）為了消除這種失真，應(yīng)_A，B，C_ A減小集電極電阻 B.改換小的管子 C增大基極偏置電阻Rb D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓。14、如下圖，選擇正確答案填空（1） 要使靜態(tài)工作電流減小，則應(yīng)_A_ 。（2）在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則| _B_， _A_， _C_。（3) 在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則| _C_，

21、_C_， _C_。 (4) 從輸出端開路，到接上，靜態(tài)工作點將_C_， _B_，（設(shè)靜態(tài)工作點偏低） (5) 減小時，直流負載線斜率_C_。(6)減小時，直流負載線斜率_A_。 A.增大 B.減小 C.不變(7) 若=10V, =4，=6，=3.3，=2，、足夠大，設(shè)則: Vi=0，管壓降大約是_B_ （A 4V B 4.7V C 7V D 5V) 使管子由50改為100，則|是 _A_ （A.約為原來的2倍 B.約為原來的 C.基本不變 D 約為原來的4倍） 保持=50不變，將由3.3改為6.6，則| _C_ 。（A 約為原來的2倍 B 約為原來的 C 基本不變 D 約為原來的4倍 E 約為

22、原來的）15、兩級放大電路=-40，=-50，若輸入電壓,則輸出電壓為_C_ A-200mV B.-250mV C.10V D.100V三、判斷題1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號（能放大的，不能正常放大的畫）。 2、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。 放大 截止 飽和 放大 3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分） (a) 放大 (b) 截止4、判斷圖示電路是否有信號放大作用（用“”，“”表示。每圖3分，共12分） (a) (b) (c) （d） (e) (f) 5、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設(shè)圖中

23、所有電容對交流信號視為短路）（6分） (a) (b) (c) 6、如下圖，判斷是否正確：（1）=/（+）（ ）（2） =/+(1+) （ ）（3） =/ （ ）（4） =/ （ ）（5） = （ ）（6） = - （ ）（7） = （ ）（8） = - （ ）7、判斷下列說法是否正確，對的畫，錯誤的畫 (1) 晶體管的輸入電阻是一個動態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點無關(guān)。（） (2) 在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下，晶體管的電流放大系數(shù)應(yīng)該盡可能大些。（ ）(3) 在基本共射放大電路中，若晶體管的增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)增大一倍。（ ）(4) 對于基極分壓式工作點

24、穩(wěn)定電路來說，其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。（ ）(5) 共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1，故不能用來實現(xiàn)功率放大。（ ）(6) 共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。（ ）(7) 共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。（ ）(8) 共基放大電路只能放大電流，但不能放大電壓。（ ）四 分析題1、試指出下圖中電路的錯誤，并畫出正確的電路（圖中晶體管類型不允許改變）有三個錯誤：（1）：電源極性錯（2）：極性錯（3）：位置接錯2、 分析下圖有何錯誤，應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大，畫出更改后的電路，要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。有三個錯（1）位置接錯（2）位置接錯（3）位置接錯

25、3、 分析下圖能否對的正弦電壓進行線性放大，如不能指出錯在哪里，并進行改正，要求不增減元件，且電壓放大倍數(shù)絕對值要大于1，無直流成分。答：不能正常放大。 錯誤有：（1）位置接錯。 （2）位置接錯。 （3）、極性接反。 （4）若要，則不能從射極輸出。= , 且無直流成分。4、有兩個放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶體管都工作在放大區(qū)，輸入端均加上正弦小信號電壓，請問圖中所示的輸出波形是否正確？若有錯誤，應(yīng)如何改正？設(shè)電容都很大。均為共基組態(tài)。波形有錯。（a）圖波形應(yīng)與波形相同。（b）圖波形應(yīng)無直流分量五、計算題1、在下圖的放大電路中,設(shè)三極管的=30，=0.7V，= 1

26、,=10,=1.3,=5,=12V。（1）試估算靜態(tài)時的、；（5分）（2）設(shè)電容、和均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)；（5分）（3）估算放大電路的輸入電阻和輸出電阻；（5分）（4）如果去掉旁路電容，寫出此時放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)和輸入電阻和輸出電阻的表達式（可不計算出具體數(shù)值）。（5分）（1） （2）(3)(4)斷開，有電流串聯(lián)負反饋，（下降），增加，不變；2、（20分）圖示電路中，已知UBEQ=0.7V，=100，=374，RB1=5 k，RB2=15 k，RE=2.3 k，RC=RL=3 k，VCC=12V。（1）估算電路的靜態(tài)工作點UBQ、ICQ、UCEQ（2）畫出微變等效

27、電路，計算電壓放大倍數(shù)、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro（3）若信號源內(nèi)阻為RS=1k時，求 的數(shù)值。（1） （2）圖略 （3）3、如下圖，足夠大，（1）畫出直流通路和微變等效電路（6分）。（2）設(shè)，求靜態(tài)工作點、（4分）（3）求、，設(shè)=30，=194（6分）（4）、忽略不計，估算最大不失真輸出電壓峰值（4分）（總共20分）解:（1）圖略（2）（3）（4）不飽和失真 不截止失真 最大不是真輸出電壓峰值 4、如圖所示電路中，已知三極管T為硅管 =337,UBEQ=0.7V,=50；Rb1=51K , Rb2=15K , RE=1K, Rc=2K,RL=2K,VCC=12V。(共18分) 試求： （1

28、）靜態(tài)工作點Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？ （2）電壓放大倍數(shù)AU？輸入電阻Ri? 輸出電阻Ro?解：（1）（2）5、電路如下圖（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQ0.7V。利用圖解法分別求出RL和RL3k時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom。（共15分）解：6.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。（共15分）（1）圖解法靜態(tài)工作點Q（、）。（設(shè)=40uA,=50）（6分）（2）畫出微變等效電路，估算放大器的動態(tài)參數(shù)、（設(shè)=340，=60）（9分）解: 相交Q點，得(2)7、如下圖，足夠大，（1）畫出直流通路和微變等效電路（4分）。（2）求靜態(tài)工作點、。（4分）（3

29、）求輸入、輸出電阻、及電壓放大倍數(shù)各自的表達式。（4分）（總共12分） (1)略（2）（3）=/ R=R/R=-=+(1+)=+8電路如下圖所示，晶體管的100， rbb=100， =0.7V。（共20分）（1）畫直流通路和微變等效電路。（6分）（2）求電路的Q點、Au、Ri和Ro；（9分）（3）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？（5分）(2) =2V =1mA=12-1(5+1.3)=5.7v=100+(1+100)=2.7k=-=-7.64=/+(1+)=3.66k=5k(3) Ce開路，Au下降，Ri上升，不變9 如圖所示的放大電路（10分）（1）寫出輸出，輸

30、出時，電路的電壓放大倍數(shù)、的表達式。（2）根據(jù)輸入波形，當(dāng)時，畫出、的波形。10. 如下圖，的=10ms, 的=100，=，試估算：（1）的值；(2) ；（3） 。(C1到C4足夠大）11. 如下圖，求（1）接在A(斷開）時，（2）接在B點時的，設(shè)=，=100，并求這時的，。C足夠大。（1）=（2）12. 如下圖：（1） 推導(dǎo)出飽和條件（與電路參數(shù)關(guān)系式）（2） 若=120K，=100，=0.7V,試問電路工作在什么狀態(tài)(放大，飽和，截止）（3) 應(yīng)如何改變電路參數(shù)，使之脫離上述工作狀態(tài)？(1)NPN管發(fā)射結(jié)正偏，要使集電結(jié)也正偏，必須,即得為飽和條件。（2）此時電路工作在飽和狀態(tài)。（3）為了脫離飽和狀態(tài)，有三個方法：，不變，不變，不變，換管子使