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1、LED的生產(chǎn)工藝流程及設備,主要內容,LED生產(chǎn)工藝流程； LED襯底材料制作； LED外延制作；,Led生產(chǎn)工藝流程,1、所用硅襯底在放入反應室前進行清洗。先用H2SO4H2O2 (31) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蝕5min 左右,接著用去離子水清洗,然后用N2吹干。 2、襯底進入反應室后在H2氣氛中于高溫進行處理,以去除硅襯底表面氧化物。 3、然后溫度降至800左右,生長厚約100埃的AlN緩沖層。 4、接著把溫度升至1050生長200nm 偏離化學計量比(富鎵生長條件)的GaN高溫緩沖層。 5、再生長0.4m厚未摻雜的GaN。 6、接著生長2m厚摻Si的n型GaN,接下
2、來在740生長5個周期的InGaN多量子阱有源層。 7、以及在990 生長200nm 的p 型GaN。,Led生產(chǎn)工藝流程,8、生長結束后， 樣品置于N2中于760進行退火, 9、然后再對樣品進行光刻和ICP刻蝕。Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分別用作p型GaN和n型GaN 的歐姆接觸電極。,LED生產(chǎn)工藝流程,LED透明電極,LED生產(chǎn)工藝流程,,藍寶石襯底LED（正裝、倒裝）,LED生產(chǎn)工藝流程,藍寶石襯底紫外LED,LED生產(chǎn)工藝流程,藍寶石襯底白光LED,LED生產(chǎn)工藝流程,所舉例子只是一種LED制作工藝，不同的廠家都有自己獨到的一套制作工藝，各廠家所使用的設備都可能不一樣，各
3、道工序的作業(yè)方式、化學配方等也不一樣，甚至不同的廠家其各道制作工序都有可能是互相顛倒的。 但是萬變不離其宗，其主要的思想都是一樣的：外延片的生長（PN結的形成）---電極的制作（有金電極，鋁電極，并形成歐姆接觸）---封裝。,LED襯底材料制作,硅的純化 長晶 切片 晶邊磨圓 晶面研磨 晶片蝕刻 退火 晶片拋光 晶片清洗 檢驗/包裝,LED襯底材料制作--硅的純化,硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸的加熱還原爐中，并用1500-2000的高溫加熱，將氧化硅還原成硅，此時硅的純度約為98左右，在純度上達不到芯片制作的要求，要進一步純化： 1）鹽酸化：將冶金級的多晶硅置于沸
4、騰的反應器中，通往鹽酸氣以形成三氯化硅； 2）蒸餾：將上一步的低沸點產(chǎn)物（TCS）置于蒸餾塔中，將其他不純物用部分蒸餾去除。 3）分解：將已蒸餾純化的TCS置于化學氣相沉淀（CVD）反應爐中，與氫氣還原反應而析出于爐中電極上，再將析出的固態(tài)硅擊碎成塊狀多晶硅。,LED襯底材料制作,西門子式工藝多晶硅,LED襯底材料制作--長晶,經(jīng)過純化得到的電子級硅雖然純度很高，可達 99.9999 99999%，但是結晶方式雜亂，又稱為多晶硅，必需重排成單晶結構，因此將電子級硅置入坩堝內加溫融化，先將溫度降低至一設定點，再以一塊單晶硅為晶種，置入坩堝內，讓融化的硅沾附在晶種上，再將晶種以邊拉邊旋轉方式抽離坩
5、堝，而沾附在晶種上的硅亦隨之冷凝，形成與晶種相同排列的結晶。隨著晶種的旋轉上升，沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圓柱狀結晶棒。拉引及旋轉的速度愈慢則沾附的硅結晶時間愈久，結晶棒的直徑愈大，反之則愈小。,LED襯底材料制作長晶過程注意事項,LED襯底材料制作--切片,切片是晶片成形的第一個步驟，也是相當關鍵的一個步驟。它決定了晶片的幾個重要規(guī)格： 晶面的結晶方向、晶片的厚度、晶面斜度與曲度。 1）晶棒固定 2）結晶定位,LED襯底材料制作晶邊磨圓,晶邊磨圓主要有以下幾個目的： 1）防止晶片邊緣碎裂 2）防止熱應力集中 3）增加外延層、光刻膠層在晶片邊緣的平坦度,LED襯底材料制作--研磨和蝕
6、刻,晶面研磨 通以特定粒度及粘性的研磨液，加外研磨盤的公轉和自轉，達到均勻磨平晶片切片時留下的鋸痕、損傷等不均勻表面。 晶片蝕刻 蝕刻的目的在于除去先前各步機械加工所造成的損傷，同時獲得干凈且光亮的表面，刻蝕化學作用可區(qū)分為酸性及堿性反應。,晶片研磨機,LED襯底材料制作--退火與拋光,退火 將晶片置于爐管中施以惰性氣體加熱30分鐘至一小時，再在空氣中快速冷卻，可以將所有氧雜質限制作，這樣晶片的電性（阻值）僅由載流子雜質來控制，從而穩(wěn)定電阻。 晶片拋光 可分為邊緣拋光與晶片表面拋光。,高溫快速熱處理系統(tǒng),晶片研磨/拋光機,LED襯底材料制作--清洗、檢驗和包裝,晶片清洗 用RCA溶液（雙氧
7、水氨水或又氧水鹽酸），將前面工序所形成的污染去除。 檢驗（INSPECTION）： 芯片在無塵環(huán)境中進行嚴格的檢查，包含表面的潔凈度、平坦度以及各項規(guī)格以確保品質符合顧客的要求。 包裝（PACKING） 通過檢驗的芯片以特殊設計的容器包裝，使芯片維持無塵及潔凈的狀態(tài)，該容器并確保芯片固定于其中，以預防搬運過程中發(fā)生的振動使芯片受損,清洗機,LED外延制作,在單晶襯底上生長一薄層單晶工藝，稱為外延； 長有外延層的晶體片稱為外延片； 正向外延、反向外延； 同質外延、異質外延 ； 外延材料是LED的核心部分。事實上；LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延材料。,LED外延制作,禁
8、帶寬度適合 可獲得電導率高的P型和N型材料 可獲得完整性好的優(yōu)質晶體 發(fā)光復合幾率大,發(fā)光二極管的外延技術要點,LED外延制作,外延技術與設備是外延片制造技術的關鍵所在。 氣相外延（VPE） 液相外延（LPE） 分子束外延（MBE） 金屬有機化合物氣相外延（MOCVD）,外延技術的分類,LED外延制作,從飽和溶液中在單晶襯底上生長外延層的方法稱液相外延。液相外延方法是在1963年由納爾遜（Nelson）提出的。 優(yōu)點： 1生長設備比較簡單； 2生長速率快； 3外延材料純度比較高； 4摻雜劑選擇范圍較廣泛； 5外延層的位錯密度通常比它賴以生長的襯底要低； 6成分和厚度都可以比較精確的
9、控制，重復性好； 7操作安全。,液相外延 (Liquid Phase Epitoxy，LPE),LED外延制作--液相外延的缺點,當外延層與襯底的晶格失配大于1%時生長發(fā)生困難。 由于生長速率較快，難以得到納米厚度的外延材料。 外延層的表面形貌一般不如汽相外延的好。,LED外延制作液相外延的生長原理,LED外延制作,液相外延示意圖,LED外延制作,實際液相外延設備,LED外延制作,1、生長溶液配制 2、外延生長前的準備工作 1）石墨舟處理2）反應管處理 3）爐溫設定 4）襯底制備 5）生長源稱量 6）生長材料腐蝕清洗 3、外延生長步驟 1）開爐 2）清洗玻璃和石英器皿 3）稱好長溶劑后應立即
10、裝入石墨舟源槽中，以減少在空氣中的氧化和沾污； 4）抽真空和通氫氣。 5）脫氧。 6）裝源。 7）熔源。 8）外延生長 9）關爐取片,液相外延工藝流程,LED外延制作氣相外延 (Vapor Phase Epitoxy，VPE),VPE的原理是讓生長原材料以氣體或電漿粒子的形式傳輸至芯片表面，這些粒子在失去部份的動能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb)，通常芯片會以熱的形式提供能量給粒子，使其游移至晶格位置而凝結 (Condensation)。在此同時粒子和晶格表面原子因吸收熱能而脫離芯片表面稱之為解離 (Desorb)，因此 VPE 的過程其實是粒子的吸附和解離兩種作用的動態(tài)平衡結果。 VP
11、E 依反應機構可以分成： () 化學氣相沉積 (CVD) () 物理氣相沉積 (PVD),LED外延制作--PVD,PVD是原子直接以氣態(tài)形式從淀積源運動到襯底表面從而形成固態(tài)薄膜。它是一種近乎萬能的薄膜技術，應用PVD技術可以制備化合物、金屬、合金等薄膜 PVD主要可以分為蒸發(fā)淀積、濺射淀積。 蒸發(fā)淀積是將源的溫度加熱到高溫，利用蒸發(fā)的物理現(xiàn)象實現(xiàn)源內原子或分子的運輸，因而需要高的真空，蒸發(fā)淀積中應用比較廣泛的熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)。 濺射主要利用惰性氣體的輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生離子，用高壓加速離子轟擊靶材產(chǎn)生加速的靶材原子從而淀積在襯底表面，濺射技術的最大優(yōu)點是理論上它可以制備任何真空薄膜，同時在臺
12、階覆蓋和均勻性上要優(yōu)于蒸發(fā)淀積。 除了主流PVD，還有激光脈沖淀積、等離子蒸發(fā)、分子束外延等補充形式。,LED外延制作--CVD,CVD是反應物以氣態(tài)到達加熱的襯底表面發(fā)生化學反應，形成固態(tài)薄膜和氣態(tài)產(chǎn)物。 利用化學氣相淀積可以制備，從金屬薄膜也可以制備無機薄膜。 化學氣相淀積種類很多，主要有：常壓CVD（APCVD），低壓CVD（LPCVD）、超低壓CVD（VLPCVD）、等離子體增強型CVD（PECVD）、激光增強型CVD（LECVD），金屬氧化物CVD（MOCVD），其他還有電子自旋共振CVD（ECRCVD）等方法 按著淀積過程中發(fā)生化學的種類不同可以分為熱解法、氧化法、還原法、水解法、
13、混合反應等。,LED外延制作--CVD的優(yōu)缺點,CVD制備的薄膜最大的特點是致密性好、高效率、良好的臺階覆、孔蓋能力、可以實現(xiàn)厚膜淀積、以及相對的低成本； 缺點是淀積過程容易對薄膜表面形成污染、對環(huán)境的污染等 常壓CVD（APCVD）的特點是不需要很好的真空度、淀積速度非?？臁⒎磻軠囟扔绊懖淮?，淀積速度主要受反應氣體的輸運速度的影響。 LPCVD的特點是其良好的擴散性（宏觀表現(xiàn)為臺階覆蓋能力），反應速度主要受淀積溫度的影響比較大，另外溫度梯度對淀積的薄膜性能（晶粒大小、應力等）有很大的影響。 PECVD最大的特點是反應溫度低（200400）和良好的臺階覆蓋能力，可以應用在AL等低熔點金屬薄膜上淀積，主要缺點是淀積過程引入的粘污；溫度、射頻、壓力等都是影響PECVD工藝的重要因素。 MOCVD的主要優(yōu)點是反應溫度低，廣泛應用在化合物半導體制備上，特別是高亮LED的制備上。,
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