專升本《模擬電子技術(shù)》-試卷-答案

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1、 專升本《模擬電子技術(shù)》 一、 （共61題,共150分） 1. 當PN給外加正向電壓時，擴散電流漂移電流。此時耗盡層 ( )。 （2分） A.大于 變寬。 B.小于 變窄。 C.等于 不變。 D.大于 變窄。 .標準答案：D 2. 場效應管電流完全由組成，而晶體管的電流由組成。因此，場效應管電流受溫度的影響比晶體管（ ）。 （2分） A.多子 少子 大。 B.多子 兩種載流子 小。 C.少子 多子 小。

2、 D.多子 多子 差不多。 .標準答案：B 3. 圖示的共射極放大電路不能對交流信號放大的根本原因是:（ ）。 （2分） A.交流信號不能輸入。 B.沒有交流信號輸出。 C.沒有合適的靜態(tài)工作點。 D.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置不正確。 .標準答案：B 4. 當某電路要求輸出信號的頻率不高于420Hz，可采用（ ）的方式實現(xiàn)。 （2分） A.高通濾波器 B.帶阻濾波器 C.帶通濾波器 D.低通濾波器 .標準答案：D 5. NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別是 ( )。 （2分） A.由兩種不同材料的硅和鍺制成。

3、 B.摻入的雜質(zhì)元素不同。 C.P區(qū)和N區(qū)的位置不同。 D.載流子的濃度不同。 .標準答案：C 6. 某NPN型硅管，當其工作在放大狀態(tài)時，電路中的三個電極電位應為下列哪組數(shù)據(jù)？（ ） （2分） A.U1=3.5V，U2=2.8V， U3=12V。 B.U1=3V，U2=2.8V， U3=12V。 C.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。 D.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。 .標準答案：A 7. 圖示的電路中，穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓分別為6V和7V，正向?qū)妷壕鶠?.6V，則輸出電壓為：（ ）。 （2分） A.6V B

4、.7V C.6.6V D.5.4V .標準答案：D 8. 如圖所示的靜態(tài)工作點及其放大電路，當輸入的正弦信號逐漸增加時，放大電路的工作情況是：（ ）。 （2分） A.先出現(xiàn)截止失真，為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，應減小偏置電阻Rb。 B.先出現(xiàn)截止失真，為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，應增大偏置電阻Rb。 C.先出現(xiàn)飽和失真，為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，應減小偏置電阻Rb。 D.先出現(xiàn)飽和失真，為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，應增大偏置電阻Rb。 .標準答案：A 9. 下列電路中能正常放大的是：( )。 （2分） A. B. C. D

5、. .標準答案：B 10. 如圖所示的電路，以下結(jié)論正確的是:（ ）。 （2分） A.電路不能實現(xiàn)復合管的作用。 B.電路能實現(xiàn)復合管的作用，且。 C.電路能實現(xiàn)復合管的作用，且。 D.電路能實現(xiàn)復合管的作用，且。 .標準答案：C 11. 在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于________________，而少數(shù)載流子的濃度主要取決于________________。 （2分） .標準答案：1. 摻雜濃度;2. 環(huán)境溫度; 12. 外加正向電壓時，PN結(jié)的空間電荷區(qū)____________________,外加反向電壓時，PN結(jié)的空間電荷區(qū)______

6、______________。 （2分） .標準答案：1. 變?。ㄕ?2. 變厚（寬）; 13. 在共射極阻容耦合放大電路中,使低頻電壓增益下降的主要原因是____________________________使高頻區(qū)增益下降的主要原因是____________________________。 （2分） .標準答案：1. 極間電容的影響;2. 結(jié)電容的影響; 14. 正弦波振蕩電路包含________、________、________、________四個主要環(huán)節(jié)。 （2分） .標準答案：1. 放大;2. 選頻;3. 正反饋;4. 穩(wěn)幅; 15. 圖示的電路中輸

7、入輸出電壓的極性分別是____和____, 輸出電壓的標稱值為____。 （2分） .標準答案：1. 負;2. 負;3. 5V; 16. 一個放大電路只要接成負反饋，就一定能改善性能。 （2分） ( ) .標準答案：正確 17. 對于一個負反饋放大電路，反饋系數(shù)越大，越容易產(chǎn)生自激振蕩。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 18. 接入反饋后與未接反饋時相比，輸入量減小的為負反饋。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 19. 溫度的升高對BJT晶體管放大電路靜態(tài)工作點的影響主要表現(xiàn)在使增大。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤

8、20. 沒有信號輸入的狀態(tài)即為電路的靜態(tài)。 （2分） ( ) .標準答案：正確 21. 判斷圖示電路引入的反饋的類型，并說明該反饋對放大電路輸入、輸出電阻的影響。 （10分） 標準答案：電壓并聯(lián)負反饋，使輸入電阻減小，穩(wěn)定輸出電壓，使輸出電阻減小。 22. 在PN結(jié)不加外部電壓時，擴散電流漂移電流( )。 （2分） A.大于 B.小于 C.等于 D.不確定，需要具體計算。 .標準答案：C 23. 整流主要利用

9、的是電路實現(xiàn)( )。 （2分） A.過零比較器的比較 B.二極管的單向?qū)щ? C.低通濾波器的濾波 D.場效應管的放大 .標準答案：B 24. 希望抑制50Hz以下的交流電源干擾，應采用的濾波電路是( )。 （2分） A.高通 B.低通 C.帶通 D.帶阻 .標準答案：A 25. 穩(wěn)壓管，它工作在狀態(tài)( )。 （2分） A.是二極管 正向?qū)? B.是三極管 正向飽和 C.是特殊的二極管 反向擊穿 D

10、.不是二極管 反向截止 .標準答案：C 26. 晶體管工作在飽和區(qū)時，b－e極間為，b－c極間為( )。 （2分） A.正向偏置 反向偏置 B.正向偏置 正向偏置 C.反向偏置 正向偏置 D.反向偏置 反向偏置 .標準答案：B 27. 場效應管是通過改變來改變漏極電流的( )。 （2分） A.柵極電流 B.漏源極電壓 C.柵源極電壓 D.源極電流 .標準答案：C 28. N型半導體中多數(shù)載流子是少數(shù)載流子是: ( )。 （2分） A.自由電子 自由電子

11、 B.自由電子 空穴 C.空穴 空穴 D.空穴 自由電子 .標準答案：B 29. 整流的主要目的是:＿＿( )。 （2分） A.將高頻信號變成低頻 B.將正弦波變成方波 C.將直流變交流 D.將交流變直流 .標準答案：C 30. 下列放大電路能正常放大的是( )。 （2分） A. B. C. D. .標準答案：A 31. 可利用實現(xiàn)信號濾波的目的( )。 （2分） A.振蕩電路

12、 B.放大電路 C.RC電路 D.二極管開關電路 .標準答案：C 32. 集成運放的輸入級幾乎毫無例外的都是由________放大電路組成。 （4分） .標準答案：1. 差動; 33. 正弦波振蕩電路產(chǎn)生振蕩的條件是_____________________________________________________________________________________________________________

13、___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________，其中幅值條件__________________________________________________

14、____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

15、__，相位條件為____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

16、____________________________________________________________。 （4分） .標準答案：1. ;2. ;3. （）; 34. 通常根據(jù)輸出端獲取反饋信號的方式以及反饋電路與放大電路輸入端的連接方式可分為：________________、________________、________________和________________四種。 （4分） .標準答案：1. 電壓并聯(lián);2. 電壓串聯(lián);3. 電流并聯(lián);4. 電流串聯(lián); 35. 在由NPN型雙極型晶體管組成的單管共發(fā)射放大電路中，當靜態(tài)工作點過高時，容易產(chǎn)生__

17、______失真；靜態(tài)工作點過低時容易產(chǎn)生________失真。 （4分） .標準答案：1. 飽和;2. 截止; 36. 三極管工作在放大狀態(tài)時必須滿足放大條件，即____________必須處于正偏，____________必須處于反偏，否則就沒有放大作用。 （4分） .標準答案：1. 發(fā)射結(jié);2. 集電結(jié); 37. 接入反饋后與未接反饋時相比，凈輸入量減小的為負反饋。 （2分） ( ) .標準答案：正確 38. 因為放大倍數(shù)A越大，引入負反饋后反饋越強，所以反饋通路跨過的級數(shù)越多越好。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 39. 負反饋放大電路只

18、要在某一頻率變成正反饋，就一定會產(chǎn)生自激振蕩。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 40. 溫度的升高對場效應管放大電路靜態(tài)工作點的影響主要表現(xiàn)在使增大。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 41. 與雙極晶體管共射極放大電路相對應，場效應管為共漏極放大電路。 （2分） ( ) .標準答案：正確 42. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當IB從12uA增大到22uA時，IC從lmA變?yōu)?mA，那么它的β約為( )。 （2分） A.83 B.91 C.100 D.無法確定 .標準

19、答案：C 43. 穩(wěn)壓二極管的有效工作區(qū)是( )。 （2分） A.正向?qū)▍^(qū) B.反向擊穿區(qū) C.反向截止區(qū) D.死區(qū) .標準答案：B 44. 如果在PNP型三極管放大電路中測得發(fā)射結(jié)為正向偏置，集電結(jié)也為正向偏置，則此管的工作狀態(tài)為( )。 （2分） A.放大狀態(tài) B.微導通狀態(tài) C.截止狀態(tài) D.飽和狀態(tài) .標準答案：D 45. 如圖所示各電路中晶體管有可能工作在放大狀態(tài)是（ ）。 （2分） A. B. C. D. .標準答案：A 46. 某NPN型硅管，當其工作在放大狀態(tài)

20、時，電路中的三個電極電位U1、U2、U3最有可能是下列哪組數(shù)據(jù)？（）。 （2分） A.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。 B.U1=3V，U2=2.8V， U3=12V。 C.U1=3.5V，U2=2.8V， U3=12V。 D.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。 .標準答案：C 47. NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別是( )。 （2分） A.由兩種不同材料的硅和鍺制成。 B.P區(qū)和N區(qū)的位置不同。 C.載流子的濃度不同。 D.摻入的雜質(zhì)元素不同。 .標準答案：B 48. 如圖所示的電路正常工作時的輸出電壓是( )。 （2分） A.+7V

21、 B.+8V C.+5V D.-5V .標準答案：C 49. 轉(zhuǎn)換效率高，又沒有失真的功率放大電路應工作于( )狀態(tài)。 （2分） A.甲類 B.乙類 C.甲乙類互補 D.沒有這種放大電路 .標準答案：C 50. 共漏極場效應管放大電路與( )三極管放大電路等效。 （2分） A.共發(fā)射極 B.共基極 C.共集電極

22、 D.共源極 .標準答案：C 51. 圖示的電路中，穩(wěn)壓管Dz1和Dz2的反向擊穿電壓分別為9V和7V，正向?qū)妷壕鶠?.6V，則輸出電壓為：（）。 （2分） A.9V B.7V C.8.4V D.9.6V .標準答案：C 52. 在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于________________，而少數(shù)載流子的濃度主要取決于________________。 （4分） .標準答案：1. 參雜濃度;2. 溫度; 53. 外加正向電壓時，PN結(jié)的空間電荷區(qū)__

23、______________________,外加反向電壓時，PN結(jié)的空間電荷區(qū)________________________。 （4分） .標準答案：1. 變薄（變窄）;2. 變厚（變寬）; 54. 在共射極阻容耦合放大電路中,使低頻電壓增益下降的主要原因是____________________________,使高頻區(qū)增益下降的主要原因是____________________________。 （4分） .標準答案：1. 耦合電容的作用;2. 極間電容的作用; 55. 場效應管與雙極型晶體管的區(qū)別在于：前者為________型控制器件，而后者為________型控制器

24、件。 （4分） .標準答案：1. 電壓;2. 電流; 56. 正弦波振蕩電路包含:________，________，________，________四個主要環(huán)節(jié)。 （4分） .標準答案：1. 選頻;2. 放大;3. 穩(wěn)幅;4. （正）反饋; 57. 因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 58. 若耗盡型N溝道MOS管的大于零，則其輸入電阻會明顯變小。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 59. 共模信號是指大小相等，極性相同的信號。 （2分） ( ) .標準答案：正確 60. 共模電壓增益與差模電壓增益之比稱為共模抑制比。 （2分） ( ) .標準答案：錯誤 61. 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。 （2分） ( ) .標準答案：正確