《片機(jī)原理》PPT課件.ppt
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1、單片機(jī)原理與應(yīng)用 723202828 情景三 解剖單片機(jī) 單元一 解剖單片機(jī)的 I/O口 單元二 單片機(jī)的解剖圖 補(bǔ)充:?jiǎn)纹瑱C(jī)的數(shù)制和碼制 單元三 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 單元四 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器 單元五 單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 單元六 單片機(jī)的特殊功能寄存器 本章知識(shí)網(wǎng)絡(luò) 情景三 解剖單片機(jī) 解剖單片機(jī)的 I/O口 單片機(jī)的解剖圖 1、單片機(jī)外擴(kuò)存儲(chǔ)器芯片時(shí), 4個(gè) I/O口中用作數(shù)據(jù) 總線的是? 復(fù)習(xí) 答: P0口,在總線應(yīng)用模式下,單片機(jī)需擴(kuò)展外部 ROM, P0和 P2端用于擴(kuò)展外部總線以構(gòu)成 8位數(shù)據(jù)總 線和 16位地址總線 P85 2、 89S51/52單片機(jī)的內(nèi)部硬件包括了 CPU、 RA
2、M、 ROM和定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器以及并行 I/O口、串行 口、 、時(shí)鐘電路,這些部件通過 相連 接。 復(fù)習(xí) 中斷源 總線 P85 本章知識(shí)網(wǎng)絡(luò) 情景三 解剖單片機(jī) 解剖單片機(jī)的 I/O口 單片機(jī)的解剖圖 單片機(jī)的數(shù)制和碼制 數(shù)制轉(zhuǎn)換 符號(hào)二進(jìn)制 常用碼制 第一節(jié) 數(shù)制轉(zhuǎn)換 二進(jìn)制 Binary 十六進(jìn)制 Hexadecimal 十進(jìn)制 Decimal 重點(diǎn)掌握整數(shù)之間的運(yùn)算,了解小數(shù)之間的運(yùn)算 預(yù)備知識(shí) 數(shù)制轉(zhuǎn)換表 一、二進(jìn)制與十六進(jìn)制的互換 二進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制數(shù)整數(shù)可從小數(shù)點(diǎn) 開始向左,每四位為一組轉(zhuǎn)換為一位的十六進(jìn)制數(shù)。 二進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制數(shù)小數(shù)則從小數(shù)點(diǎn) 開始向右,同樣以四位為
3、一組,每四位小數(shù)轉(zhuǎn)換為一 位的十六進(jìn)制小數(shù)。 十六進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù),則一位十六進(jìn) 制數(shù)可轉(zhuǎn)換為四位二進(jìn)制數(shù)。 同樣十六進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制小數(shù),也是一 位十六進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為四位二進(jìn)制小數(shù)。 二進(jìn)制 十六進(jìn)制 例題 1、 二十六進(jìn)制轉(zhuǎn)換 1)把 10100110.1011B轉(zhuǎn)換成 16進(jìn)制數(shù) 1010 0110 .1011 6 A . BH 2)把 111001111.111B轉(zhuǎn)換成 16進(jìn)制數(shù) 0001 1100 1111 .1110 C F 1 . EH 例題 2、 十六二進(jìn)制轉(zhuǎn)換 1)把 3D7.9H轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù) 3 D 7 . 9 1101 0011 . 0111 2)把 148
4、.AH轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù) 1 4 8 . A 0100 1000 0001 . 1010H 1001B 二、 二進(jìn)制與十進(jìn)制數(shù)的轉(zhuǎn)換 二進(jìn)制整數(shù) 十進(jìn)制整數(shù) 二進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制整數(shù),可按各位數(shù)的權(quán),即底數(shù) 為 2的 n-1次冪來確定, n表示該數(shù)的位數(shù),例如二進(jìn)制數(shù)為 101010l0B,則十進(jìn)制數(shù)為: 1702021202120212021 01234567 十進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制整數(shù),可采用逐次除以 2,余數(shù) 反序排列,即第 1次除以 2的余數(shù)排在最低位。以 18為例逐次 除以 2列式如下: 并按習(xí)慣將二進(jìn)制數(shù)寫成 8位,可得 18=00010010B。 二進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制小數(shù),可按底
5、數(shù)為 2的負(fù) n次冪 來確定, n同樣表示位數(shù),例如求 0.00110011B的十進(jìn)制值。 1 9 9 2 1 8 7 5.0212120 2021212020 87654321 十進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制小數(shù),采用小數(shù)部分逐次乘 2, 每次乘積若產(chǎn)生整數(shù)則將整數(shù)個(gè)位 (即所為溢出位 )按正序排 列,小數(shù)部分繼續(xù)乘 2。以 0.6875為例。 其小數(shù)點(diǎn)右邊數(shù)逐次乘 2 0.6875*2=1.375 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 1 0.375*2=0.75 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 0 0,75*2=1.5 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 1 0.5*2=1 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 1 可得出 0.6875=0.1Oll0000B 二進(jìn)
6、制小數(shù) 十進(jìn)制小數(shù) 例題 3、 二十進(jìn)制轉(zhuǎn)換 1)把 10110B轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù) 2)把 173轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù) 10110B=1*16+1*4+1*2=22 173 10101101 B 三、十六 進(jìn)制與十進(jìn)制數(shù)的互換 十六進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制整數(shù)可按各位數(shù)的權(quán),即底 數(shù)為 16的 n 次冪來確定, n表示該數(shù)的位數(shù)。例如: 3544211611671610168718 0123 HA 十進(jìn)制整數(shù)轉(zhuǎn)為十六進(jìn)制整數(shù)采用逐次除以 16,余數(shù) 反序排列的方法。例如:將 13562轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù) 13562 16=847 余 10(記作 0AH) 847 16=52 余 15(記作 0FH) 52 1
7、6=3 余 4 3 16=0 余 3 可得 13562=34FAH 十六進(jìn)制整數(shù) 十進(jìn)制整數(shù) 十六進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制小數(shù),則按小數(shù)點(diǎn)以后各 位的權(quán),用底數(shù)為 16的負(fù) n次冪來確定, n 同樣表示位 數(shù)。 2 9 2 1 2 9 5 1 6.0 1691612161016494.0 4321 HAC 十進(jìn)制小數(shù)轉(zhuǎn)為十六進(jìn)制小數(shù)采用小數(shù)部分逐次乘 16, 每次乘積若產(chǎn)生整數(shù),則將所得整數(shù)按正序排列,例如十 進(jìn)制小數(shù) 0.359375轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制數(shù): 0.359375 16=5.75 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 5 0.75 16=12.0 小數(shù)點(diǎn)左邊整數(shù)為 0CH 可得 0.359375=0.5CH
8、十六進(jìn)制小數(shù) 十進(jìn)制小數(shù) 例題 4、 十六十進(jìn)制轉(zhuǎn)換 1)把 0DCBH轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù) 2)把 1023轉(zhuǎn)換成十六進(jìn)制數(shù) 0DCBH=13*16*16+12*16+11=3531 1023 3FFH 第二節(jié) 帶符號(hào)的二進(jìn)制數(shù) 一、 帶符號(hào)二進(jìn)制數(shù)的表示方法 原碼表示法: 規(guī)定最高位為符號(hào)位,其余 表示數(shù)值。 反碼表示法: 規(guī)定最高位為符號(hào)位,對(duì)于 正數(shù),其余各位表示數(shù)值。對(duì)于負(fù)數(shù),其余 各位應(yīng)將 1換成 0,將 0換成 1,即所謂逐位取 反。 補(bǔ)碼表示法: 仍然規(guī)定最高位定為符號(hào)位, 對(duì)于正數(shù),其余各位表示數(shù)值。對(duì)于負(fù)數(shù), 除符號(hào)位外,其余按原碼的各位值,逐位取 反,全部取反后再加 1,簡(jiǎn)稱為
9、取反加 1。 帶符號(hào)二進(jìn)制數(shù)表示方法舉例: BxBx BxBx xxxx ft ft ctcoft 11 0 10 10 1)( 10 1 01 01 01 0 10 10 1)( 10 1 01 01 : )(,)(,)( . . . 原碼表示法 為補(bǔ)碼為反碼為原碼為真值 BxBx BxBx co co 1 01 01 01 0)( 1 01 01 01 0 10 10 10 1)( 1 01 01 01 : . . 反碼表示法 BxBx BxBx ct ct 10101011)( 1010101 01010101)( 1010101 : . . 補(bǔ)碼表示法 可見正數(shù)的反碼和補(bǔ)碼與原碼完全相
10、同。 第三節(jié) 常用碼制 一、 BCD碼( Binary Coded Decimal Code) BCD 碼以 4位為一組,選用 0000B至 1001B的十種 狀態(tài)代表 0-9共 10個(gè)數(shù),舍棄二進(jìn)制表示法中的其 余 6種狀態(tài)。例如十進(jìn)制數(shù) 84.7的 BCD碼為: 8 4 . 7 0 1000 0100.0111 0000 BCD 碼 10010100 01110010轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)為: 1001 0100.0111 0010 9 4 . 7 2 二、 ASCII碼 ASCII 碼是美國(guó)信息交換標(biāo)準(zhǔn)代碼的簡(jiǎn)稱, 共 128個(gè),用數(shù)碼 0000000O-01111111 表示各種 文字或符號(hào),
11、其中用于表示英文大小寫字母的有 52個(gè),表示 0至 9數(shù)字的有 10個(gè),常用書寫符號(hào) (! 等等 )和常用運(yùn)算符號(hào) (如 +、 -、 等 )有 32 個(gè),另外還有控制符號(hào) 34個(gè) ,共計(jì) 128個(gè)。例如英 文大寫字母 A 的 ASCII碼為 01000001,或?qū)懗墒?六進(jìn)制為 41H。 本章知識(shí)網(wǎng)絡(luò) 情景三 解剖單片機(jī) 解剖單片機(jī)的 I/O口 單片機(jī)的解剖圖 單片機(jī)的數(shù)制和碼制 程序存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 特殊功能寄存器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 預(yù)備知識(shí) 位: 計(jì)算機(jī)只認(rèn)識(shí)由 0或 1組成的二進(jìn)制數(shù),二進(jìn)制數(shù)中的每 個(gè) 0或 1就是信息的最小單位,稱為 “ 位 ” ( bit),也稱 為二進(jìn)制的位或稱字位
12、。 字: 在計(jì)算機(jī)中,作為一個(gè)整體單元進(jìn)行存取和處理的一組 二進(jìn)制數(shù),每位計(jì)算機(jī)字的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)是固定的。 字節(jié): 把一個(gè) 8位的二進(jìn)制數(shù)據(jù)單元稱為一個(gè)字節(jié),通常用 字母 B表示。 字長(zhǎng): 一個(gè)字中包含二進(jìn)制數(shù)位數(shù)的多少稱為字長(zhǎng),字長(zhǎng)是 標(biāo)志計(jì)算機(jī)精度的一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)。 KB即為 K字節(jié) 1K=210 =1024 B MB即為 M字節(jié) 1M=220 =1024 K GB即為 G字節(jié) 1G=230 =1024 M 本章知識(shí)網(wǎng)絡(luò) 情景三 解剖單片機(jī) 解剖單片機(jī)的 I/O口 單片機(jī)的解剖圖 單片機(jī)的數(shù)制和碼制 程序存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 特殊功能寄存器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 預(yù)備知識(shí) 存儲(chǔ)器: 存儲(chǔ)大量二值信息
13、(或稱為二值 數(shù)據(jù))的半導(dǎo)體器件。 與寄存器的區(qū)別: 寄存器 的存儲(chǔ)地址是固 定的,而 存儲(chǔ)器 以 字 為單位存取,每字包 含若干 位 。各個(gè)字的相同位通過 同一引腳 與外界聯(lián)系。每個(gè)字分配一個(gè) 地址 ,因此 內(nèi)部有地址譯碼器。 第一節(jié) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 學(xué)習(xí)目標(biāo): 了解存儲(chǔ)器的類型, 了解 RAM和 ROM的區(qū)別, 掌握存儲(chǔ)器容量的計(jì)算方法, 了解存儲(chǔ)器的讀和寫操作的過程。 一、存儲(chǔ)器的分類 掩模 ROM 可編程 ROM( PROM) 可擦除可編程 ROM ( EPROM) 隨機(jī)存儲(chǔ)器 -RAM (Random Access Memory) 靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM 按 功 能
14、 (Read- Only Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) UVEPROM EEPROM 只讀存儲(chǔ)器 ROM Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 電可擦除 紫外線擦除 (Static RAM) 快擦寫存儲(chǔ)器 (Dynamic RAM) 只能讀出不能 寫入 ,斷電不失 二、 只讀存儲(chǔ)器 ROM ROM的構(gòu)成 存儲(chǔ)矩陣: 由若干存 儲(chǔ)單元排列成矩陣形 式。 儲(chǔ)存單元: 可由二極 管、雙極性三極管或 MOS管構(gòu)成。 地址譯碼器: 根據(jù)地址輸入,在存儲(chǔ)矩陣中選出指定的字對(duì)應(yīng) 的單元,把數(shù)據(jù)送往輸出緩沖
15、器。 輸出緩沖器: 增加帶負(fù)載能力;同時(shí)提供三態(tài)控制,以便和系 統(tǒng)的總線相連 。 只讀存儲(chǔ)器的分類 一 、 掩膜 ROM: 利用光刻掩膜技術(shù) , 將用戶提供 的程序存儲(chǔ)在芯片中 , 制成后不能抹去也不能修改 。 二 、 可編程只讀存儲(chǔ)器 PROM: 開始使用時(shí)允許 用戶自行寫入信息 , 但只允許一次 , 以后只能讀出 , 不能修改 。 三 、 可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 EPROM: 寫入數(shù) 據(jù)后 , 可以長(zhǎng)期保存 , 保存時(shí)間與溫度 、 光照有關(guān) 。 如果上面存的數(shù)據(jù)不要了 , 可以用紫外光擦除重新寫 入 。 四 、 電擦除只讀存儲(chǔ)器 EEPROM: 所存儲(chǔ)的內(nèi)容 可以擦除 , 也可以在線寫入
16、。 分為并行和串行兩種 。 五 、 閃速型存儲(chǔ)器: 可以擦除 , 也可以在線重新 寫入 。 一、掩膜 ROM 二四線 譯碼器 A1,A0的 四個(gè)最小 項(xiàng) 字線 存儲(chǔ)矩陣是四個(gè)二極管或門; 當(dāng) EN=0時(shí) , 。 ii DD D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 真值表: 真值表與存 儲(chǔ)單元有一 一對(duì)應(yīng)關(guān)系 位線 0 0 1 1 D0 1 0 1 0 D1 1 1 0 1 D2 1 0 1 0 D3 1 0 1 0 A0 1 1 0 0 A1 D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0 思考:它能存儲(chǔ)的信息容量是多少 ? 多少字?共多少位數(shù)
17、據(jù)? 二、可編程只讀存儲(chǔ)器 PROM 產(chǎn)品出廠時(shí)存的全是 1,用戶可一次性寫入,即 把某些 1改為 0。但不能多 次擦除。 存儲(chǔ)單元多采用熔絲 低熔點(diǎn)金屬或多晶硅。 寫入時(shí)設(shè)法在熔絲上通入 較大的電流將熔絲燒斷 。 編程 時(shí) VCC 和字 線電 壓提 高 16字 8位的 PROM 十 六 條 字 線 八 條 位 線 20V 十幾微秒 編程脈沖 讀出時(shí),讀 出放大器 AR工作, 寫入放大器 AW不 工作。 寫入時(shí),在 位線輸入編程脈 沖使寫入放大器 工作,且輸出低 電平,同時(shí)相應(yīng) 的字線和 VCC提高 到編程電平,將 對(duì)應(yīng)的熔絲燒斷。 缺點(diǎn):不能重復(fù)擦除。 思考:它能存儲(chǔ)的信息容量是多少? 多少
18、個(gè)字?共多少位數(shù)據(jù)? 三、可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器 ( EPROM) (一)紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器( UVEPROM) 是最早出現(xiàn)的 EPROM。通常說的 EPROM就是指這種。 1.使用浮柵雪崩注入 MOS管 ( Floating-gate Avalanche- Injuction MOS,簡(jiǎn)稱 FAMOS管。) 擦除:用紫外線或 X射線擦除。需 2030分鐘。 2.使用疊柵注入 MOS管 SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS) 這是一種雙譯碼方式, 行地址譯碼器和列地 址譯碼器共同選中一 個(gè)單元。每個(gè)字只有 一位。 (二)電可擦除 EPROM(EEPROM或
19、E2ROM) 用紫外線擦除操作復(fù)雜, 速度很慢。必須尋找新的存 儲(chǔ)器件,使得可以用電信號(hào) 進(jìn)行擦除。 使用浮柵隧道氧化層 MOS 管 Flotox (Floating gate Tunnel Oxide) 寫入(寫 0) 擦除(寫 1) 讀出 特點(diǎn):浮柵與漏區(qū)間的氧化 物層極?。?20納米以下),稱 為隧道區(qū)。當(dāng)隧道區(qū)電場(chǎng)大于 107V/cm時(shí)隧道區(qū)雙向?qū)ā?GC Gf 漏極 當(dāng)隧道區(qū)的等效電容極 小時(shí),加在控制柵和漏極間 的電壓大部分降在隧道區(qū), 有利于隧道區(qū)導(dǎo)通。 存儲(chǔ)單元: 擦除和寫入均利 用隧道效應(yīng) 10ms 快閃存儲(chǔ)器就是針對(duì) 此缺點(diǎn)研制的。 (三)快閃存儲(chǔ)器 (Flash Mem
20、ory) 采用新型隧道氧化 層 MOS管。 EEPROM的缺點(diǎn):擦寫需要高電壓脈沖;擦寫時(shí)間長(zhǎng);存儲(chǔ)單 元需兩只 MOS管。 1.隧道層在源區(qū); 2.隧道層更薄 10 15nm。在控制柵和源極間加 12V電壓即 可使隧道導(dǎo)通。 該管特點(diǎn): 存儲(chǔ)單元的工作原理: 1.寫入利用雪崩注入法。源極接地; 漏極接 6V;控制柵 12V脈沖,寬 10 s。 2.擦除用隧道效應(yīng)??刂茤沤拥?; 源極接 12V脈沖,寬為 100ms。因 為片內(nèi)所有疊柵管的源極都連在 一起,所以一個(gè)脈沖就可擦除全 部單元。 3.讀出:源極接地,字線為 5V邏輯高 電平。 6V 0V 12V 10 s 0V 12V 100ms 快
21、閃存儲(chǔ)器特點(diǎn):集成度高,容量大,成本低,使用 方便。 5V 三、 隨機(jī)存儲(chǔ)器( RAM) 特點(diǎn): RAM在工作時(shí) 可隨時(shí)對(duì)任意指定單元進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳌?使用方便、靈活。但切斷電源后,所存信息就會(huì)丟失。 RAM的結(jié)構(gòu) 1.存儲(chǔ)矩陣 2.地址譯碼:雙譯碼。 3.讀寫控制電路: 讀寫控制信號(hào) R/ W: 控制電路處于 讀出 還是 寫入 狀態(tài)。 SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu) SRAM的存儲(chǔ)單元 DRAM的存儲(chǔ)單元 利用 MOS管柵極電 容可以暫存電荷的原 理制成。因此,存儲(chǔ) 單元簡(jiǎn)單,存儲(chǔ)容量 大。但柵極電容很小, 由于漏電的影響,電 容電荷保存時(shí)間很短。 必須定時(shí)給電容充電 刷新、再生。這 就需要外圍電路配合。 Q&A? 作業(yè) P304: 1, 2, 3 P86: 7, 9 預(yù)習(xí)單元 4和單元 5
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