高考化學(xué)一輪總復(fù)習(xí) 專題二十五 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件
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1、專題二十五物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.原子核外電子排布及表示方法原子核外電子排布及表示方法(1)能層、能級(jí)與原子軌道的關(guān)系能層、能級(jí)與原子軌道的關(guān)系考點(diǎn)一原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)一原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)能層能層(n)一一二二三三四四n能層符號(hào)能層符號(hào)KLMN 能級(jí)能級(jí)_ _ _ _ _ _ _ 1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f原子軌原子軌道數(shù)道數(shù)1131351357最多容納最多容納電子數(shù)電子數(shù)2262610261014281832_2n2(2)核外電子排布遵循的三原則核外電子排布遵循的三原則兩兩相反相反單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,而且自旋狀態(tài)相同單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,而且自旋狀態(tài)相同全全滿滿半滿半滿全空全空(3)基態(tài)原子核
2、外電子排布的表示方法基態(tài)原子核外電子排布的表示方法表示方法表示方法舉例舉例(以以S原子為例原子為例)電子排布式電子排布式_簡(jiǎn)化電子排布式簡(jiǎn)化電子排布式_電子排布圖電子排布圖(軌道表示式軌道表示式)價(jià)電子排布式價(jià)電子排布式_1s22s22p63s23p4Ne3s23p43s23p4(4)原子核外電子的躍遷與原子光譜原子核外電子的躍遷與原子光譜原子的狀態(tài)和原子光譜的關(guān)系:原子的狀態(tài)和原子光譜的關(guān)系:最低最低吸收吸收吸收吸收釋放釋放發(fā)射發(fā)射較高較高說(shuō)明:原子核外的電子發(fā)生躍遷時(shí)吸收或釋放的能量一般都以說(shuō)明:原子核外的電子發(fā)生躍遷時(shí)吸收或釋放的能量一般都以光譜形式呈現(xiàn)。光譜形式呈現(xiàn)。原子光譜原子光譜原
3、子發(fā)生原子發(fā)生_時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,可以用光譜儀攝取時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,可以用光譜儀攝取不同元素的各種元素的電子不同元素的各種元素的電子_或或_總稱原總稱原子光譜。子光譜。光譜分析光譜分析在現(xiàn)代化學(xué)中,利用在現(xiàn)代化學(xué)中,利用_上的特征譜線來(lái)上的特征譜線來(lái)_的的分析方法。分析方法。躍遷躍遷吸收光譜吸收光譜發(fā)射光譜發(fā)射光譜原子光譜原子光譜鑒定元素鑒定元素2.原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) (1)周期表的分區(qū)與原子的價(jià)電子排布的關(guān)系周期表的分區(qū)與原子的價(jià)電子排布的關(guān)系分區(qū)分區(qū)元素分布元素分布外圍電子排布外圍電子排布s區(qū)區(qū)A族、族、A族及族及He_p區(qū)區(qū)A族族A族、族、0族族_d區(qū)區(qū)
4、B族族B族、族、族族_ (除鈀外除鈀外)ds區(qū)區(qū)B族、族、B族族(n1)d10ns12f區(qū)區(qū)鑭系、錒系鑭系、錒系(n2)f014(n1)d02ns2ns12ns2np16(n1)d19ns12(2)原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律項(xiàng)目項(xiàng)目同周期同周期(從左從左右右)同主族同主族(從上從上下下)原子核外原子核外電子排布電子排布能層能層數(shù)數(shù)_,最外層電最外層電子子數(shù)數(shù)_最外層電子最外層電子數(shù)數(shù)_,能層能層數(shù)數(shù)_原子半徑原子半徑_(0族除外族除外)_元素的第元素的第一電離能一電離能_元素的元素的電負(fù)性電負(fù)性_相同相同依次增多依次增多相同相同依次遞增依次遞增依次減小依次減小依次
5、增大依次增大呈增大的趨勢(shì)呈增大的趨勢(shì)依次減小依次減小依次增大依次增大依次減小依次減小(1)某原子的電子排布式為某原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d104p4()(2)電負(fù)性:電負(fù)性:KNa()(3)根據(jù)原子核外電子排布的特點(diǎn),根據(jù)原子核外電子排布的特點(diǎn),Cu在周期表中屬于在周期表中屬于s區(qū)元素區(qū)元素()(4)N、O、F的電負(fù)性依次增大,其第一電離能也依次增大的電負(fù)性依次增大,其第一電離能也依次增大()(5)電負(fù)性大于電負(fù)性大于1.8的一定為非金屬,小于的一定為非金屬,小于1.8的一定為金屬的一定為金屬()(6)電負(fù)性差值大于電負(fù)性差值大于1.7時(shí),一般形成離子鍵,小于時(shí)
6、,一般形成離子鍵,小于1.7時(shí),一般形時(shí),一般形成共價(jià)鍵成共價(jià)鍵()(7)電負(fù)性越大,非金屬性越強(qiáng),第一電離能也越大電負(fù)性越大,非金屬性越強(qiáng),第一電離能也越大()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)電離能和電負(fù)性的應(yīng)用電離能和電負(fù)性的應(yīng)用1.電離能電離能(1)判斷元素金屬性的強(qiáng)弱:電離能越小,金屬越容易失去電判斷元素金屬性的強(qiáng)弱:電離能越小,金屬越容易失去電子,金屬性越強(qiáng);反之越弱。子,金屬性越強(qiáng);反之越弱。(2)判斷元素的化合價(jià)判斷元素的化合價(jià)如果某元素的如果某元素的In1In,則該元素的常見(jiàn)化合價(jià)為,則該元素的常見(jiàn)化合價(jià)為n,如鈉元,如鈉元素素I2I1,所以鈉元素化合價(jià)為,所
7、以鈉元素化合價(jià)為1。(3)判斷核外電子的分層排布情況判斷核外電子的分層排布情況多電子原子中,元素的各級(jí)電離能逐級(jí)增大,有一定的規(guī)律性。多電子原子中,元素的各級(jí)電離能逐級(jí)增大,有一定的規(guī)律性。當(dāng)電離能的變化出現(xiàn)突變時(shí),電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。當(dāng)電離能的變化出現(xiàn)突變時(shí),電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。(4)反映元素原子的核外電子排布特點(diǎn)反映元素原子的核外電子排布特點(diǎn)同周期元素從左向右,元素的第一電離能并不是逐漸增大的,同周期元素從左向右,元素的第一電離能并不是逐漸增大的,當(dāng)元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時(shí),第一當(dāng)元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時(shí),第一電離能就會(huì)反常地大。電離能就
8、會(huì)反常地大。2.電負(fù)性電負(fù)性判斷金屬性與非判斷金屬性與非金屬性強(qiáng)弱金屬性強(qiáng)弱金屬元素的電負(fù)性一般小于金屬元素的電負(fù)性一般小于1.8,金屬元素的電負(fù)性越,金屬元素的電負(fù)性越小,金屬元素越活潑小,金屬元素越活潑非金屬元素的電負(fù)性一般大于非金屬元素的電負(fù)性一般大于1.8,非金屬元素的電負(fù),非金屬元素的電負(fù)性越大,非金屬元素越活潑性越大,非金屬元素越活潑判斷元素在化合判斷元素在化合物中的價(jià)態(tài)物中的價(jià)態(tài)電負(fù)性大的元素易呈現(xiàn)負(fù)價(jià)電負(fù)性大的元素易呈現(xiàn)負(fù)價(jià)電負(fù)性小的元素易呈現(xiàn)正價(jià)電負(fù)性小的元素易呈現(xiàn)正價(jià)判斷判斷化學(xué)化學(xué)鍵鍵類型類型電負(fù)性差值大的元素原子之間形成的化學(xué)鍵主要是離電負(fù)性差值大的元素原子之間形成的化
9、學(xué)鍵主要是離子鍵子鍵電負(fù)性差值小的元素原子之間形成的化學(xué)鍵主要是共電負(fù)性差值小的元素原子之間形成的化學(xué)鍵主要是共價(jià)鍵價(jià)鍵1.(1)N、Al、Si、Zn四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:電離能電離能I1I2I3I4Ia/kJmol15781 8172 74511 578 則該元素是則該元素是_(填寫元素符號(hào)填寫元素符號(hào))。(2)如表:如表:元素元素符號(hào)符號(hào)LiBeBCOFNaAlSiPSCl電負(fù)電負(fù)性性數(shù)值數(shù)值0.98 1.572.042.553.44 3.980.93 1.61 1.90 2.192.583.16通過(guò)分析電負(fù)性值變化規(guī)律,確定通過(guò)分
10、析電負(fù)性值變化規(guī)律,確定Mg元素電負(fù)性值的最小范元素電負(fù)性值的最小范圍圍_。請(qǐng)歸納元素的電負(fù)性和金屬性、非金屬性的關(guān)系是請(qǐng)歸納元素的電負(fù)性和金屬性、非金屬性的關(guān)系是_。從電負(fù)性角度,判斷從電負(fù)性角度,判斷AlCl3是離子化合物還是共價(jià)化合物?是離子化合物還是共價(jià)化合物?_,理由是,理由是_。解析解析(1)分析表中數(shù)據(jù)可知,該元素的逐級(jí)電離能中,分析表中數(shù)據(jù)可知,該元素的逐級(jí)電離能中,I1、I2、I3與與I4相差較大,說(shuō)明該元素原子最外層有相差較大,說(shuō)明該元素原子最外層有3個(gè)電子,顯然該元素個(gè)電子,顯然該元素為為Al元素。元素。(2)根據(jù)同周期和同主族元素的電負(fù)性的變化規(guī)律根據(jù)同周期和同主族元素
11、的電負(fù)性的變化規(guī)律可知可知Mg的電負(fù)性范圍為的電負(fù)性范圍為0.931.57。電負(fù)性是原子對(duì)電子對(duì)的。電負(fù)性是原子對(duì)電子對(duì)的吸引力,元素的非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越大??筛鶕?jù)吸引力,元素的非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越大。可根據(jù)Al與與Cl的電負(fù)性差值確定。的電負(fù)性差值確定。答案答案(1)Al(2)0.931.57非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大;非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大;金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越小金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越小共價(jià)化合物共價(jià)化合物Al元素和元素和Cl元素的元素的電負(fù)性差值為電負(fù)性差值為1.551.7,所以形成共價(jià)鍵,為共價(jià)化合物,所以形成共價(jià)鍵,為共價(jià)化合物明晰基態(tài)原子核外電子排布式和軌道明晰基態(tài)原子核外
12、電子排布式和軌道表示式書(shū)寫的易失分問(wèn)題表示式書(shū)寫的易失分問(wèn)題1.明確第四周期基態(tài)原子核外電子排布的特殊性明確第四周期基態(tài)原子核外電子排布的特殊性在過(guò)渡金屬中,有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原在過(guò)渡金屬中,有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有理有1個(gè)電子的偏差。這是因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M個(gè)電子的偏差。這是因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M(如如p6和和d10)、半充滿、半充滿(如如p3和和d5)和全空和全空(如如p0和和d0)狀態(tài)時(shí),體系狀態(tài)時(shí),體系的能量較低,原子較穩(wěn)定。如第四周期中:的能量較低,原子較穩(wěn)定。如第四周期中:2.基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的注意事項(xiàng)基態(tài)原子
13、核外電子排布表示方法中的注意事項(xiàng) (1)在寫基態(tài)原子的電子排布圖時(shí),常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤:在寫基態(tài)原子的電子排布圖時(shí),常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤:(2)當(dāng)出現(xiàn)當(dāng)出現(xiàn)d軌道時(shí),雖然電子按軌道時(shí),雖然電子按ns、(n1)d、np順序填充,但順序填充,但在書(shū)寫電子排布式時(shí),仍把在書(shū)寫電子排布式時(shí),仍把(n1)d放在放在ns前,如前,如Fe:1s22s22p63s23p63d64s2正確,正確,F(xiàn)e:1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。錯(cuò)誤。(3)注意對(duì)比原子電子排布式、簡(jiǎn)化電子排布式、元素外圍電子注意對(duì)比原子電子排布式、簡(jiǎn)化電子排布式、元素外圍電子排布式的區(qū)別與聯(lián)系。排布式的區(qū)別與聯(lián)系。如如Fe:1s22
14、s22p63s23p63d64s2;簡(jiǎn)化電子排布式:簡(jiǎn)化電子排布式:Ar3d64s2; 外圍電子排布式:外圍電子排布式:3d64s2在書(shū)寫簡(jiǎn)化的電子排布式時(shí),并不是所有的都是在書(shū)寫簡(jiǎn)化的電子排布式時(shí),并不是所有的都是X價(jià)電子排價(jià)電子排布式布式(注:注:X代表上一周期稀有氣體元素符號(hào)代表上一周期稀有氣體元素符號(hào))。3.根據(jù)元素周期表進(jìn)行書(shū)寫根據(jù)元素周期表進(jìn)行書(shū)寫如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律:如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律:(1)位于位于s區(qū)的區(qū)的A、A族分別為族分別為Ar4s1、Ar4s2;(2)位于位于p區(qū)的主族元素區(qū)的主族元素Ar3d104s24p族序數(shù)
15、族序數(shù)2(0族除外族除外); (3)位于位于d區(qū)的副族元素區(qū)的副族元素Ar3dm4sn(mn族序數(shù),族序數(shù),族除外族除外);(4)位于位于ds區(qū)的副族元素區(qū)的副族元素Ar3d104sm(m族序數(shù)族序數(shù))。1.(2015河北石家莊第二次質(zhì)檢河北石家莊第二次質(zhì)檢)已知已知A、B、C、D、E都是元素都是元素周期表中前周期表中前36號(hào)的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。號(hào)的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。A原子基原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的2倍,倍,B原子基態(tài)時(shí)原子基態(tài)時(shí)s電電子數(shù)與子數(shù)與p電子數(shù)相等,電子數(shù)相等,C在元素周期表的各元素中電負(fù)性最大,在元素周期表
16、的各元素中電負(fù)性最大,D的基態(tài)原子核外有的基態(tài)原子核外有6個(gè)能級(jí)且全部充滿電子,個(gè)能級(jí)且全部充滿電子,E原子基態(tài)時(shí)未原子基態(tài)時(shí)未成對(duì)電子數(shù)是同周期元素中最多的。成對(duì)電子數(shù)是同周期元素中最多的。(1)基態(tài)基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式為原子的價(jià)電子排布式為_(kāi),E在在_區(qū)。區(qū)。(2)A、B、C的電負(fù)性大小順序的電負(fù)性大小順序(填元素符號(hào),下同填元素符號(hào),下同)_,第,第一電離能大小順序?yàn)橐浑婋x能大小順序?yàn)開(kāi)。(3)D的核外電子排布式為的核外電子排布式為_(kāi),價(jià)電子排布圖為,價(jià)電子排布圖為_(kāi)。解析解析由題意可知由題意可知A為為C,B為為O,C為為F,D為為Ca,E為為Cr。(1)鉻原子的價(jià)電子排布式為鉻原子
17、的價(jià)電子排布式為3d54s1, 在在d區(qū)。區(qū)。(2)根據(jù)同周期電負(fù)性和根據(jù)同周期電負(fù)性和第一電離能的遞變性可知答案。第一電離能的遞變性可知答案。(3)價(jià)電子數(shù)為價(jià)電子數(shù)為2,價(jià)電子排布圖,價(jià)電子排布圖為為 。答案答案(1)3d54s1d(2)FOCFOC(3)1s22s22p63s23p64s2或或Ar4s2 考點(diǎn)二分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)二分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.共價(jià)鍵的類型共價(jià)鍵的類型分類依據(jù)分類依據(jù)類型類型形成共價(jià)鍵的原子軌形成共價(jià)鍵的原子軌道重疊方式道重疊方式鍵鍵電子云電子云“_”重疊重疊鍵鍵電子云電子云“肩并肩肩并肩”重疊重疊頭碰頭頭碰頭形成共價(jià)鍵的電形成共價(jià)鍵的電子對(duì)是否偏移子對(duì)是否偏移極性鍵
18、極性鍵共用共用電子對(duì)電子對(duì)_非極性鍵非極性鍵共用共用電子對(duì)電子對(duì)_原子間共用電子原子間共用電子對(duì)的數(shù)目對(duì)的數(shù)目單鍵單鍵原子間有一對(duì)共用電子對(duì)原子間有一對(duì)共用電子對(duì)雙鍵雙鍵原子間有兩對(duì)共用電子對(duì)原子間有兩對(duì)共用電子對(duì)三鍵三鍵原子間有三對(duì)共用電子對(duì)原子間有三對(duì)共用電子對(duì)發(fā)生偏移發(fā)生偏移不發(fā)生偏移不發(fā)生偏移2.雜化軌道的類型雜化軌道的類型雜化雜化類型類型雜化軌雜化軌道數(shù)目道數(shù)目雜化軌道雜化軌道間夾角間夾角雜化軌道雜化軌道空間分布空間分布sp2_sp23_sp34_180直線形直線形120平面三角形平面三角形10928正四面體形正四面體形3.價(jià)層電子對(duì)互斥理論與分子構(gòu)型價(jià)層電子對(duì)互斥理論與分子構(gòu)型價(jià)層
19、電價(jià)層電子對(duì)數(shù)子對(duì)數(shù)成鍵數(shù)成鍵數(shù)孤電子孤電子對(duì)數(shù)對(duì)數(shù)電子對(duì)空電子對(duì)空間構(gòu)型間構(gòu)型分子空分子空間構(gòu)型間構(gòu)型實(shí)例實(shí)例220_330_21_SO2440_31_22_直線形直線形直線形直線形CO2三角形三角形三角形三角形BF3V形形四面體形四面體形四面體形四面體形CH4三角錐形三角錐形NH3V形形H2O4.配位鍵和配合物配位鍵和配合物(1)配位鍵配位鍵由一個(gè)原子提供一對(duì)電子與另一個(gè)接受電子的原子形成的由一個(gè)原子提供一對(duì)電子與另一個(gè)接受電子的原子形成的_。(2)配位鍵的表示方法配位鍵的表示方法AB:A表示表示_孤電子對(duì)的原子,孤電子對(duì)的原子,B表示表示_共用電子共用電子對(duì)的原子。對(duì)的原子。(3)配位化
20、合物配位化合物定義定義金屬離子金屬離子(或原子或原子)與某些分子或離子與某些分子或離子(稱為配體稱為配體)以配位鍵結(jié)合以配位鍵結(jié)合形成的化合物。形成的化合物。共價(jià)鍵共價(jià)鍵提供提供接受接受組成組成形成條件形成條件有孤有孤電子對(duì)電子對(duì)有空軌道有空軌道5.分子間作用力與性質(zhì)分子間作用力與性質(zhì)(1)分子間作用力最常見(jiàn)的是范德華力和氫鍵。已經(jīng)與電負(fù)性分子間作用力最常見(jiàn)的是范德華力和氫鍵。已經(jīng)與電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成共價(jià)鍵的氫原子與另一個(gè)分子中電負(fù)性很強(qiáng)的很強(qiáng)的原子形成共價(jià)鍵的氫原子與另一個(gè)分子中電負(fù)性很強(qiáng)的原子之間的作用力,稱為氫鍵。氫鍵包括分子內(nèi)氫鍵和分子間原子之間的作用力,稱為氫鍵。氫鍵包括分子內(nèi)氫鍵
21、和分子間氫鍵兩種。表示為氫鍵兩種。表示為AHB。(2)相似相溶原理相似相溶原理非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑。溶劑。6.無(wú)機(jī)含氧酸分子的酸性無(wú)機(jī)含氧酸分子的酸性無(wú)機(jī)含氧酸的通式可寫成無(wú)機(jī)含氧酸的通式可寫成(HO)mROn,如果成酸元素,如果成酸元素R相同,相同,則則n值越大,值越大,R的正電性越高,使的正電性越高,使ROH中中O的電子向的電子向R偏移,偏移,在水分子的作用下越易電離出在水分子的作用下越易電離出H,酸性越強(qiáng),如酸性:,酸性越強(qiáng),如酸性:HClOHClO2HClO3HClO4。7.等電子體原理的應(yīng)用等
22、電子體原理的應(yīng)用 原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征,原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征,它們的許多性質(zhì)它們的許多性質(zhì)(物理性質(zhì)物理性質(zhì))相近,此原理稱為等電子體原理。相近,此原理稱為等電子體原理。(1)鍵比鍵比鍵的電子云重疊程度大,形成的共價(jià)鍵強(qiáng)鍵的電子云重疊程度大,形成的共價(jià)鍵強(qiáng)()(2)鹵素單質(zhì)、鹵素氫化物、鹵素碳化物鹵素單質(zhì)、鹵素氫化物、鹵素碳化物(即即CX4)的熔、沸點(diǎn)均隨的熔、沸點(diǎn)均隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大。著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大。()(3)氫鍵的存在一定能使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高氫鍵的存在一定能使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高()(4)極性分子中可
23、能含有非極性鍵極性分子中可能含有非極性鍵()(5)H2O比比H2S穩(wěn)定是因?yàn)樗肿娱g存在氫鍵穩(wěn)定是因?yàn)樗肿娱g存在氫鍵()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)判斷分子中中心原子的雜化類型判斷分子中中心原子的雜化類型“五方法五方法” ” 方法一方法一根據(jù)雜化軌道的空間分布構(gòu)型判斷。根據(jù)雜化軌道的空間分布構(gòu)型判斷。(1)若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形,則分若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形,則分子的中心原子發(fā)生子的中心原子發(fā)生sp3雜化。雜化。(2)若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形,則分子的中心原若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形,則分子的中心原子發(fā)生子發(fā)生sp2雜化。
24、雜化。(3)若雜化軌道在空間的分布呈直線形,則分子的中心原子發(fā)若雜化軌道在空間的分布呈直線形,則分子的中心原子發(fā)生生sp雜化。雜化。方法四方法四根據(jù)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)參與雜化的軌道數(shù)目根據(jù)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)參與雜化的軌道數(shù)目判斷,如中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別為判斷,如中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別為4、3、2時(shí),中心原時(shí),中心原子的雜化類型分別是子的雜化類型分別是sp3雜化、雜化、sp2雜化、雜化、sp雜化。雜化。方法五方法五根據(jù)分子或離子中有無(wú)根據(jù)分子或離子中有無(wú)鍵及鍵及鍵數(shù)目判斷,如沒(méi)有鍵數(shù)目判斷,如沒(méi)有鍵鍵為為sp3雜化,含一個(gè)雜化,含一個(gè)鍵為鍵為sp2雜化,含兩個(gè)雜化,含兩個(gè)鍵為鍵
25、為sp雜化。雜化。答案答案D范德華力和氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響易錯(cuò)警示范德華力和氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響易錯(cuò)警示 1.氫鍵屬于一種較強(qiáng)的分子間作用力。氫鍵屬于一種較強(qiáng)的分子間作用力。2.有氫鍵的物質(zhì),分子間也有范德華力,但有范德華力的物質(zhì)有氫鍵的物質(zhì),分子間也有范德華力,但有范德華力的物質(zhì)分子間不一定有氫鍵。分子間不一定有氫鍵。3.一個(gè)氫原子只能形成一個(gè)氫鍵,這是氫鍵的飽和性。一個(gè)氫原子只能形成一個(gè)氫鍵,這是氫鍵的飽和性。4.一般來(lái)說(shuō),組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增一般來(lái)說(shuō),組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加,范德華力逐漸增大,分子的極性越大,范德華力也越大。加,范德華力逐漸增大
26、,分子的極性越大,范德華力也越大。5.非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑。如果存在氫鍵,則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵的作用力性溶劑。如果存在氫鍵,則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵的作用力越大,溶解性越好。越大,溶解性越好。6.分子間氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響,主要表現(xiàn)為使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)分子間氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響,主要表現(xiàn)為使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高,對(duì)電離和溶解度等產(chǎn)生影響。升高,對(duì)電離和溶解度等產(chǎn)生影響。2.(1)H2O與與CH3CH2OH可以任意比例互溶,除因?yàn)樗鼈兌际菢O性可以任意比例互溶,除因?yàn)樗鼈兌际菢O性分子外,還因?yàn)榉肿油猓€因?yàn)開(kāi)。(2)
27、已知苯酚已知苯酚( )具有弱酸性,其具有弱酸性,其Ka1.11010;水楊酸;水楊酸第一級(jí)電離形成的離子第一級(jí)電離形成的離子 能形成分子內(nèi)氫鍵,據(jù)此判斷,能形成分子內(nèi)氫鍵,據(jù)此判斷,相同溫度下電離平衡常數(shù)相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸水楊酸)_Ka(苯酚苯酚)(填填“”或或“”),其原因是,其原因是_。(3)化合物化合物NH3的沸點(diǎn)比化合物的沸點(diǎn)比化合物CH4的高,其主要原因是的高,其主要原因是_。答案答案(1)H2O與與CH3CH2OH之間可以形成氫鍵之間可以形成氫鍵(2) 中形成分子內(nèi)氫鍵,使其更難電離出中形成分子內(nèi)氫鍵,使其更難電離出H(3)NH3分子間能形成氫鍵分子間能形成氫鍵考
28、點(diǎn)三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.晶體晶體 (1)晶體與非晶體晶體與非晶體 晶體晶體非晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)微粒微粒_排列排列結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)微粒微粒_排列排列周期性有序周期性有序無(wú)序無(wú)序性質(zhì)性質(zhì)特征特征自范性自范性_熔點(diǎn)熔點(diǎn)_異同表現(xiàn)異同表現(xiàn)_二者區(qū)二者區(qū)別方法別方法間接方法間接方法看是否有固定看是否有固定的的_科學(xué)方法科學(xué)方法對(duì)固體對(duì)固體進(jìn)行進(jìn)行_實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)有有無(wú)無(wú)固定固定不固定不固定各向異性各向異性各向同性各向同性熔點(diǎn)熔點(diǎn)X-射線衍射射線衍射(2)得到晶體的途徑得到晶體的途徑熔融態(tài)物質(zhì)凝固。熔融態(tài)物質(zhì)凝固。氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接_。溶質(zhì)從溶液中析出。溶
29、質(zhì)從溶液中析出。(3)晶胞晶胞概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的_。晶體中晶胞的排列晶體中晶胞的排列無(wú)隙并置無(wú)隙并置a.無(wú)隙:相鄰晶胞之間沒(méi)有無(wú)隙:相鄰晶胞之間沒(méi)有_。b.并置:所有晶胞并置:所有晶胞_排列、排列、_相同。相同。凝固凝固(凝華凝華)基本單元基本單元任何間隙任何間隙平行平行取向取向(4)晶格能晶格能定義:氣態(tài)離子形成定義:氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量,通常取正值,摩爾離子晶體釋放的能量,通常取正值,單位:?jiǎn)挝唬篲。影響因素影響因素a.離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能越離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能越_。b.離子的半徑:離子的半徑越離子的半徑:離
30、子的半徑越_,晶格能越大。,晶格能越大。與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大,形成的離子晶體越晶格能越大,形成的離子晶體越_,且熔點(diǎn)越,且熔點(diǎn)越_,硬度,硬度越越_。kJmol1大大小小穩(wěn)定穩(wěn)定高高大大2.四種晶體類型的比較四種晶體類型的比較 類型類型比較比較分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子離子晶體晶體構(gòu)成粒子構(gòu)成粒子_金屬陽(yáng)離子、金屬陽(yáng)離子、自由電子自由電子_粒子間的相粒子間的相互作用力互作用力_(某些含氫鍵某些含氫鍵)_硬度硬度_有有的的_,有有的的_分子分子原子原子陰、陽(yáng)陰、陽(yáng) 離子離子范德華力范德華力共價(jià)鍵共價(jià)鍵金屬鍵金屬鍵離子鍵離子鍵較小較小很大很大
31、很大很大很小很小較大較大熔、沸點(diǎn)熔、沸點(diǎn)_有有的的_,有有的的_溶解性溶解性相似相溶相似相溶難溶于任難溶于任何溶劑何溶劑常見(jiàn)溶劑常見(jiàn)溶劑難溶難溶大多易溶大多易溶于水等極于水等極性溶劑性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)電、傳熱性傳熱性一般不導(dǎo)電,一般不導(dǎo)電,溶于水后有溶于水后有的導(dǎo)電的導(dǎo)電一般不具有一般不具有導(dǎo)電性,個(gè)導(dǎo)電性,個(gè)別為半導(dǎo)體別為半導(dǎo)體電和熱的良電和熱的良導(dǎo)體導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電,晶體不導(dǎo)電,水溶液或熔水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電融態(tài)導(dǎo)電較低較低很高很高很高很高很低很低較高較高物物質(zhì)質(zhì)類類別別及及舉舉例例大多數(shù)非金屬單質(zhì)、大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物非金屬氧化物(SiO2除外除外)、絕
32、大、絕大多數(shù)有機(jī)物多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)有機(jī)鹽除外鹽除外)部分非金屬單部分非金屬單質(zhì)質(zhì)(如金剛石、如金剛石、硅、晶體硼硅、晶體硼),部分非金屬化部分非金屬化合物合物(如如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)金屬單質(zhì)與合金與合金(如如Na、Al、Fe、青銅青銅)金屬氧化物金屬氧化物(如如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿強(qiáng)堿(如如KOH、NaOH)、絕大、絕大部分鹽部分鹽(如如NaCl)3.典型晶體模型典型晶體模型晶體晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解晶體詳解原原子子晶晶體體金金剛剛石石(1)每個(gè)碳與每個(gè)碳與相鄰相鄰_個(gè)個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合,碳以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均鍵角均為為_(kāi)(3)最小碳環(huán)最小
33、碳環(huán)由由_個(gè)個(gè)C組成且六原子不組成且六原子不在同一平面內(nèi)在同一平面內(nèi)(4)每個(gè)每個(gè)C參與參與4條條CC鍵的形成,鍵的形成,C原子原子數(shù)與數(shù)與CC鍵數(shù)之比鍵數(shù)之比為為_(kāi)41092861 2原原子子晶晶體體SiO2(1)每個(gè)每個(gè)Si與與_個(gè)個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合,以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)每個(gè)正四面體占有每個(gè)正四面體占有1個(gè)個(gè)Si,4個(gè)個(gè)“O”,n(Si)n(O)_(3)最小環(huán)上最小環(huán)上有有_個(gè)個(gè)原子,即原子,即6個(gè)個(gè)O,6個(gè)個(gè)Si分分子子晶晶體體干冰干冰(1)8個(gè)個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面?zhèn)€面心又各占據(jù)心又各占據(jù)1個(gè)個(gè)CO2分子分子(2)每個(gè)每個(gè)CO2
34、分子周圍等距緊鄰的分子周圍等距緊鄰的CO2分子分子有有_個(gè)個(gè)41 21212離離子子晶晶體體NaCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Na(Cl)周圍等距且緊鄰周圍等距且緊鄰的的Cl(Na)有有6個(gè)。每個(gè)個(gè)。每個(gè)Na周圍周圍等距且緊鄰的等距且緊鄰的Na有有_個(gè)個(gè)(2)每個(gè)晶胞中每個(gè)晶胞中含含_個(gè)個(gè)Na和和_個(gè)個(gè)ClCsCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Cs周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cl有有_個(gè)個(gè),每個(gè),每個(gè)Cs(Cl)周圍等距周圍等距且緊鄰的且緊鄰的Cs(Cl)有有_個(gè)個(gè)(2)如圖為如圖為8個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含1個(gè)個(gè)Cs、1個(gè)個(gè)Cl124486金金屬屬晶晶體體簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單立方立方堆積堆積典型
35、代表典型代表Po,配位數(shù),配位數(shù)為為_(kāi),空間利用率空間利用率52%面心面心立方立方最密最密堆積堆積又稱為又稱為A1型或銅型,典型或銅型,典型代表型代表Cu、Ag、Au,配位數(shù)配位數(shù)為為_(kāi),空間利空間利用率用率74%612金屬金屬晶體晶體體心體心立方立方堆積堆積又稱為又稱為A2型或鉀型,型或鉀型,典型代表典型代表Na、K、Fe,配位數(shù)配位數(shù)為為_(kāi),空間空間利用率利用率68%六方六方最密最密堆積堆積又稱為又稱為A3型或鎂型,型或鎂型,典型代表典型代表Mg、Zn、Ti,配位數(shù)配位數(shù)為為_(kāi),空間空間利用率利用率74%812(1)在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子()(
36、2)在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子()(3)原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高()(4)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低()(5)離子晶體一定都含有金屬元素離子晶體一定都含有金屬元素()(6)金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)(6)晶胞中微粒的計(jì)算方法晶胞中微粒的計(jì)算方法均攤法均攤法3.(1)元素元素Cu的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,該氯化的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,該氯化物的化
37、學(xué)式是物的化學(xué)式是_。(2)金屬鎳與鑭金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料,晶胞結(jié)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料,晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖乙所示。該合金的化學(xué)式為構(gòu)示意圖如圖乙所示。該合金的化學(xué)式為_(kāi)。(3)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4處于立方處于立方晶胞頂角,晶胞頂角,Ba2處于晶胞中心,處于晶胞中心,O2處于晶胞棱邊中心,該化處于晶胞棱邊中心,該化合物化學(xué)式為合物化學(xué)式為_(kāi),每個(gè),每個(gè)Ba2與與_個(gè)個(gè)O2配位。配位。答案答案(1)CuCl(2)LaNi5(3)BaPbO312晶體密度及微粒間距離的計(jì)算方法晶體密度及微粒間距離的計(jì)算
38、方法1.計(jì)算晶體密度的方法計(jì)算晶體密度的方法2.計(jì)算晶體中微粒間距離的方法計(jì)算晶體中微粒間距離的方法4.(1)2014課標(biāo)課標(biāo)理綜理綜Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),則該晶胞中有個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),則該晶胞中有_個(gè)銅原子。個(gè)銅原子。Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù)單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù)a0.405 nm,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_(kāi)。 列式表示列式表示Al單單質(zhì)的密度質(zhì)的密度_ gcm3(不必計(jì)算出結(jié)果不必計(jì)算出結(jié)果)。(2)2014海南化學(xué)海南化學(xué)金剛石晶胞含有金剛石晶胞含有_個(gè)碳原子。若碳原個(gè)碳原子。若碳原子半徑為子半徑為r,金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為,金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為a,根據(jù)硬球接觸模型,則,根據(jù)硬球接觸模型,則r_a,列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率,列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率_(不要求計(jì)算結(jié)果不要求計(jì)算結(jié)果)。解析解析(1)(2)
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