微機原理存儲器部分--微型計算機原理及應(yīng)用課件

單擊此處編輯母版標題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,*,*,某計算機的主存為3,KB，,則內(nèi)存地址寄存器需_位就足夠了。,12,在某一存儲系統(tǒng)中，設(shè)有只讀存儲器,10,KB,，,隨機存儲器,54,KB,，,使用,16,位地址來尋址。其中，只讀存儲器位于低地址段，其地址范圍為,_,。,0000,2,7FFH,若,256,KB,的,SRAM,具有,8,條數(shù)據(jù)線，則它具有,_,條地址線。,18,1,設(shè)存儲器的地址線為,20,條，存儲單元為字節(jié)，使用全譯碼方式組成存儲器，該系統(tǒng)構(gòu)成的最大存儲器容量需要,64,K,1,位的存儲器芯片的數(shù)量是,_,片。,128,一個有,16,個字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為,70,A0:DDF6H,，,那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個單元的物理地址為,_,。,7,E814H,2,設(shè)存儲器的地址線有,16,條，存儲基本單元為字節(jié)，若采用,2,K,4,位芯片，按全譯碼方法組成存儲器，當該存儲器被擴充成最大容量時，需要此種存儲器芯片的數(shù)量是,_,。,64,片,設(shè)某靜態(tài),RAM,芯片的容量為8,K8,位，若用它組成32,K8,的存儲器，所用芯片數(shù)以及這種芯片的片內(nèi)地址線數(shù)目是_。,4片 13根,3,用74,LS138,作譯碼器，如圖所示，若將,Y1,接到存儲器的片選信號上，則存儲器的地址范圍為_。,Y0,Y1,Y7,G1,G2A,G2B,A,B,C,5,V,M,/IO,A15,A14,A13,A12,4000,H,4FFFH,4,12.,在如圖所示的電路（與上題同一電路），假設(shè),Y5,與電源,Vcc,短接，則以下四種現(xiàn)象中，肯定會發(fā)生的是_。,A),系統(tǒng)仍然正常工作。,B),系統(tǒng)不能正常工作,C),Y5,端所選擇的地址范圍能被照常訪問,D),Y5,端所選擇的地址范圍不能被訪問,D),Y5,端所選擇的地址范圍不能被訪問,6,在如圖的譯碼電路中，為了使每個輸出端接到存儲器芯片的,CS,端時，可以選中的地址范圍是4,KB，,則該圖中,C,B,A,三端與,CPU,的地址線的對應(yīng)連接可為_。,A),僅,A14,A13,A12,B),僅,A12,A13,A14,C),僅,A14,A12,A13,D)A12,A13,A14,任意組合,Y0,Y1,Y7,G1,G2A,G2B,A,B,C,+5,V,M,/IO,A15,D)A12,A13,A14,任意組合,7,若要求,Y4,尋址的存儲器范圍為,8800,H8FFFH,，,則,B,，,C,端應(yīng)分別接,_,。,Y0,Y1,Y7,G1,G2A,G2B,A,B,C,A15,M,/IO,A14,A13,A12,A11,上題中，若要求,Y4,尋址的,I/O,端口地址范圍為,0800,H0FFFH,，,則須相互調(diào)換的引腳信號應(yīng)為,_,。,M,/IO,，,A15,8,如圖是8片4,K8,位的,RAM,構(gòu)成的一個隨機存取存儲器，如果,A,14,A,13,A,12,分別為000111時，則分別被選中的存儲區(qū)域（范圍）的十六機制表示是_。,RAM0,CS,OE,A12,A13,A14,Y0,Y1,Y7,RAM0,CS,OE,RAM0,CS,OE,A0A11,MEMR,A,14,A,13,A,12,000,地址為,0000,H,0FFFH,A,14,A,13,A,12,001,地址為,1000,H,1FFFH,10,現(xiàn)有,4,K,8,位的,RAM,和,ROM,存儲器芯片各一片，其地址線連接方法如圖,P88,所示。在正常情況下，,ROM,所占的地址空間為,_,，,RAM,所占的地址空間為,_,。,ROM,CS,A14,A0A11,A15,MEMR,D0D7,A0 A11,RAM,CS,MEMR,D0D7,A0 A11,數(shù)據(jù)總線,MEMW,4000,H7FFFH,8000,HBFFFH,11,在,Intel2164,動態(tài),RAM,存儲器中，對存儲器的刷新方法是_。,A),每次一個單元,B),每次刷新512個單元,C),每次刷新,256,個單元,D),一次刷新全部單元,B),每次刷新512個單元,13,下述,EPROM,的改寫過程，正確的是_。,A),使,WR,信號有效就可以改寫,B),先用高電壓擦除，再改寫新數(shù)據(jù),C),先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù),D),先用紫外線擦除，再用,5,V,電壓寫新數(shù)據(jù),C),先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù),15,在進行,RAM,擴充實驗時，某同學的接線出現(xiàn)_，但存儲器還能正常讀寫。,A)D1,與,D5,交換,B)WR,與,CS,線交換,C)D1,與,A1,交換,D),5V,電源線與地線交換,A)D1,與,D5,交換,在進行,EPROM,擴充實驗時，某同學發(fā)現(xiàn)讀出的所有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即,D2,位總是為,1,，這說明發(fā)生了,_,。,A),接至,D2,的線已斷,B),電源沒有接地,C)D2,接至,A2D)D2,與,A2,交換,A),接至,D2,的線已斷,16,若由,1,K,1,位的,RAM,芯片組成一個容量為,8,K,字（,16,位）的存儲器時，需要該芯片數(shù)為,_,。,128片,某電路用12根地址線連接4片,RAM，,第一片,RAM,至第四片,RAM,的地址分別為0000,H03FFH,0400H07FFH,0800H0BFFH,0C00H0FFFH,后發(fā)現(xiàn)存往第二片的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是_。,A)A12,斷線,B)A11,斷線,C)A10,斷線,D)A9,斷線,B)A11,斷線,18,RAM,的地址范圍是_。,為了使系統(tǒng)能夠正常工作，27128芯片的,A13,引腳應(yīng)接_（高、低）電平。,8255,A,口的地址是_。,D2000H,D3FFFH,低電平,1101 111,00,19,已知6116,RAM(2K8),的地址范圍為0000,H07FFH,發(fā)現(xiàn)其中低1,K,字節(jié)與高1,K,字節(jié)的每個對應(yīng)單元內(nèi)容相同,(,即0000,H,與0400,H,內(nèi)容相同,其余依次類推,),其原因是_,.,A),僅片內(nèi)最高地址線與電源短路,B),僅片內(nèi)最高地址線開路,C),僅片內(nèi)最高地址線與地短路,D),以上三種情況都可能,D),以上三種情況都可能,20,若某,RAM,芯片的地址線,A0,與地短路，則_。,A),該芯片不能讀寫數(shù)據(jù),B),會燒壞芯片,C),只能讀寫偶地址單元,D),只能讀寫奇地址單元,C),只能讀寫偶地址單元,21,用,1,K,4,存儲器芯片組成,16,K,8,存儲器子系統(tǒng)時，需用地址線總數(shù)量最少為,_,。,14根,一個半導體存儲器的芯片的引腳有,A13A0,、,D3,D0,、,WE,、,CE,、,CS,、,Vcc,、,GND,等，該芯片的存儲容量是,_,，用該芯片組成一個,64,KB,的存儲器，需要,_,個獨立的片選信號。,16,K,4,4,22,習題 第4章 8,24,習題 第4章 9,25,A,15,A,14,A,13,A,12,A,11,A,10,A,9,A,8,A,7,A,4,A,3,A,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0000,H,2716(1),0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,07FFH,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0800H,2716(2),0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,0FFFH,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1000,H,2716(3),0,0,0,1,0,1,1,1,1,1,17FFH,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,1800H,2716(4),0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1FFFH,ROM,地址，用,A13,A12,A11,做譯碼器編碼線，,A14,做低電平選通線,G2B。ROM,在低地址，譯碼線為,Y0Y3，,高地址分配給,RAM,26,用兩片74,LS138,譯碼，,A14,分別接這兩片的選通端，,A14,為低第一片譯碼器工作，為高，第二片譯碼器工作。,28,29,4_13,題,31,