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東 南 大 學(xué) 考 試 卷（ 卷）
課程名稱
半導(dǎo)體物理
考試學(xué)期
得分
適用專業(yè)
電子科學(xué)
考試形式
閉卷
考試時間長度
120分鐘
一、 填空（每空1分，共27分）
1．純凈半導(dǎo)體Si中摻Ⅲ族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時從Si中奪取 電子 ，在Si晶體的共價鍵中產(chǎn)生了一個 空穴 ，這種雜質(zhì)稱 受主 雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱 P 型半導(dǎo)體
2、。
2．當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度存在濃度梯度時，載流子將做 運動；半導(dǎo)體存在電勢差時，載流子將做 運動，其運動速度正比于 ，比例系數(shù)稱為 。
3．np>ni2意味著半導(dǎo)體處于 狀態(tài)，其中n= ；
p 。這時半導(dǎo)體中載流子存在凈復(fù)合還是凈產(chǎn)生？ 。
4．半導(dǎo)體中淺能級雜質(zhì)的主要作用是 增強載流子的濃度 ；深能級雜質(zhì)所起的主要作用
3、 增強載流子的復(fù)合 。
5．非平衡載流子通過 而消失， 叫做壽命τ，壽命τ與 在 中的位置密切相關(guān)，當(dāng) 壽命τ趨向最小。
6．半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是 和
。前
4、者在 下起主要作用，后者在 下起主要作用。
7．半導(dǎo)體中摻雜濃度很高時，雜質(zhì)電離能 （增大、減小、不變？），禁帶寬度
（增大、減小、不變？）。
8．p-n結(jié)電容包括 電容和 電容，在反向偏壓下， 電容起主要作用。
二、 名詞解釋（每題4分，共20分）
（1）愛因斯坦關(guān)系
（2）擴散長度與牽引長度
5、
（3）熱載流子
（4）準(zhǔn)費米能級
（5）非平衡載流子壽命
三、 簡要回答（共28分）
1．什么是直接復(fù)合？什么是間接復(fù)合？試述它們在半導(dǎo)體器件中的作用。
2 何謂非簡并化半導(dǎo)體？何謂簡并化半導(dǎo)體？
3．下圖分別是半導(dǎo)體材料Si、Ge、GaAs的能帶結(jié)構(gòu)示意圖。
（1）請指出圖a 、圖b、 圖c分別對應(yīng)何種材料，您判斷的依據(jù)是什么？
（2）在三幅圖中，價帶對于同一個K，E(K)可以有兩個值，表明對應(yīng)兩種有效質(zhì)量不同的空穴，即重空穴和輕空穴。試指出曲線1、2分別對應(yīng)哪種空穴，依據(jù)是
6、什么？
4．當(dāng)GaAs樣品兩端加電壓時，樣品內(nèi)部便產(chǎn)生電場E。電子的平均漂移速度vd隨電場的變化關(guān)系如下圖所示，請解釋之。
四、 計算（共25分）
1．（8分）早期鍺硅等半導(dǎo)體材料常利用測其電阻率的辦法來估計純度，若測得室溫下電阻率為10，試估計N型鍺的純度，并討論其局限性。（300K較純鍺樣品的電子遷移率，鍺原子密度d=4.42′1022cm-3, 電量e=1.6′10-19A.s）。
2．（9分）一個半導(dǎo)體棒，光照前處于熱平衡態(tài)，光照后處于穩(wěn)定態(tài)的條件，分別由下圖給出的能帶圖來描述。設(shè)室溫（300K）時的本征載流子濃度ni=1010cm-3,試根據(jù)已知的數(shù)據(jù)確定：
（1）熱平衡態(tài)的電子和空穴濃度n0和p0；
（2）穩(wěn)定態(tài)的空穴濃度p；
（3）當(dāng)棒被光照射時，“小注入”條件成立嗎？試說明理由。
3.（8分）如圖所示，一個很長的摻雜均勻的n型半導(dǎo)體樣品，其中心附近長度為2a的范圍內(nèi)被一穩(wěn)定光照射，假定光均勻的穿透樣品，電子-空穴對的產(chǎn)生率為G。
（少子的連續(xù)性方程為 ）
（1） 寫出整個樣品在小注入條件下的少數(shù)載流子方程表達式
（2）寫出邊界條件
專心---專注---專業(yè)
東南大學(xué)2006年期末考試《半導(dǎo)體物理學(xué)》試題
