電力電子技術(shù)：第2章 電力電子器件 (2)

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1、第第2 2章章 電力電子器件電力電子器件電力電子技術(shù)1/98第2章 電力電子器件 2.1 2.1 電力電子器件概述電力電子器件概述 2.2 2.2 不可控器件不可控器件電力二極管電力二極管 2.3 2.3 半控型器件半控型器件晶閘管晶閘管 2.4 2.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.5 2.5 其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件 2.6 2.6 功率集成電路與集成電力電子模塊功率集成電路與集成電力電子模塊 本章小結(jié)本章小結(jié) 2/98引言引言模擬和數(shù)字電子電路的基礎(chǔ)模擬和數(shù)字電子電路的基礎(chǔ) 晶體管和集成電路等電子器件晶體管和集成電路等電子器件 電力電子電路的基礎(chǔ)電力電子電路的基礎(chǔ) 電

2、力電子器件電力電子器件本章主要內(nèi)容：本章主要內(nèi)容：對(duì)電力電子器件的對(duì)電力電子器件的概念概念、特點(diǎn)特點(diǎn)和和分類(lèi)分類(lèi)等問(wèn)題作等問(wèn)題作了簡(jiǎn)要概述了簡(jiǎn)要概述。分別介紹各種常用電力電子器件的分別介紹各種常用電力電子器件的工作原理工作原理、基本特性基本特性、主要參數(shù)主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問(wèn)題。一些問(wèn)題。3/982.1 2.1 電力電子器件概述電力電子器件概述 2.1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件的概念和特征 2.1.2 應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成 2.1.3 電力電子器件的分類(lèi)電力電子器件的分類(lèi) 2.1.4 本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)本章

3、內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)4/982.1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件的概念和特征電力電子器件的概念電力電子器件的概念 電力電子器件（電力電子器件（Power Electronic Device）是是指可直接用于處理電能的指可直接用于處理電能的主電路主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的變換或控制的電子器件電子器件。主電路：在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電能主電路：在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電能的變換或控制任務(wù)的電路。的變換或控制任務(wù)的電路。主電路主電路（電力電子裝置）（電力電子裝置）控制電路控制電路檢測(cè)檢測(cè)信號(hào)信號(hào)參考參考信號(hào)信號(hào)控制信號(hào)控制信號(hào)負(fù)載負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路電源電

4、源輸出輸出功率功率輸入輸入功率功率檢測(cè)電路檢測(cè)電路強(qiáng)電強(qiáng)電弱電弱電5/982.1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件的概念和特征電力電子器件的特征電力電子器件的特征 所能處理所能處理電功率電功率的大小，也就是其承受電壓和的大小，也就是其承受電壓和電流的能力，是其最重要的參數(shù)，一般都遠(yuǎn)大于電流的能力，是其最重要的參數(shù)，一般都遠(yuǎn)大于處理信息的電子器件。處理信息的電子器件。為了減小本身的損耗，提高效率，一般都工作為了減小本身的損耗，提高效率，一般都工作在在開(kāi)關(guān)狀態(tài)開(kāi)關(guān)狀態(tài)。由信息電子電路來(lái)控制由信息電子電路來(lái)控制,而且需要而且需要驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路。自身的自身的功率損耗功率損耗通常仍遠(yuǎn)大于信息電

5、子器件，通常仍遠(yuǎn)大于信息電子器件，在其工作時(shí)一般都需要安裝在其工作時(shí)一般都需要安裝散熱器散熱器。6/982.1.1 電力電子器件的概念和特征電力電子器件的概念和特征通態(tài)損耗通態(tài)損耗是電力電子器件功率損耗的主要成因。是電力電子器件功率損耗的主要成因。當(dāng)器件的開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，當(dāng)器件的開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗會(huì)隨之增會(huì)隨之增大而可能成為器件功率損耗的主要因素。大而可能成為器件功率損耗的主要因素。通態(tài)損耗通態(tài)損耗斷態(tài)損耗斷態(tài)損耗開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)通損耗開(kāi)通損耗關(guān)斷損耗關(guān)斷損耗電力電子器件的功率損耗電力電子器件的功率損耗7/982.1.2 應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成電力

6、電子器件在實(shí)際應(yīng)用中，一般是由電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中，一般是由控制電路控制電路、驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路電路和以電力電子器件為核心的和以電力電子器件為核心的主電路主電路組成一個(gè)系統(tǒng)。組成一個(gè)系統(tǒng)。電氣隔離電氣隔離圖圖2-1 電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中的系統(tǒng)組成電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中的系統(tǒng)組成8/982.1.3 電力電子器件的分類(lèi)電力電子器件的分類(lèi)按照能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度按照能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度 半控型器件半控型器件 主要是指主要是指晶閘管（晶閘管（Thyristor）及其大部分派生器件。及其大部分派生器件。器件的關(guān)斷完全是由其在主電路中承受的電壓和電器件的關(guān)斷完全是由其在主電路中承受

7、的電壓和電流決定的。流決定的。全控型器件全控型器件 目前最常用的是目前最常用的是 IGBT和和Power MOSFET。通過(guò)控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通，又可以控制其關(guān)通過(guò)控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通，又可以控制其關(guān)斷。斷。不可控器件不可控器件 電力二極管（電力二極管（Power Diode）不能用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷。不能用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷。9/982.1.3 電力電子器件的分類(lèi)電力電子器件的分類(lèi)按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì) 電流驅(qū)動(dòng)型電流驅(qū)動(dòng)型 通過(guò)從控制端注入或者抽出通過(guò)從控制端注入或者抽出電流電流來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制。來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制。電壓驅(qū)動(dòng)型電壓驅(qū)動(dòng)型 僅通過(guò)在控制

8、端和公共端之間施加一定的僅通過(guò)在控制端和公共端之間施加一定的電壓電壓信號(hào)就可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)信號(hào)就可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制。通或者關(guān)斷的控制。按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形（電力二極管除外按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形（電力二極管除外）脈沖觸發(fā)型脈沖觸發(fā)型 通過(guò)在控制端施加一個(gè)電壓或電流的通過(guò)在控制端施加一個(gè)電壓或電流的脈沖脈沖信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)器件的開(kāi)信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)器件的開(kāi)通或者關(guān)斷的控制。通或者關(guān)斷的控制。電平控制型電平控制型 必須通過(guò)必須通過(guò)持續(xù)持續(xù)在控制端和公共端之間施加一定電平的電壓或電在控制端和公共端之間施加一定電平的電壓或電流信號(hào)來(lái)使器件開(kāi)通并流信號(hào)來(lái)使器件開(kāi)通并維持維持在導(dǎo)通狀態(tài)或者關(guān)斷并維持在阻斷狀態(tài)。在導(dǎo)通狀態(tài)或者關(guān)斷

9、并維持在阻斷狀態(tài)。10/982.1.3 電力電子器件的分類(lèi)電力電子器件的分類(lèi)按照載流子參與導(dǎo)電的情況按照載流子參與導(dǎo)電的情況 單極型器件單極型器件（多子器件）由一種由一種載流子載流子參與導(dǎo)電。參與導(dǎo)電。雙極型器件雙極型器件（少子器件）由由電子電子和和空穴空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。兩種載流子參與導(dǎo)電。復(fù)合型器件復(fù)合型器件 由單極型器件和雙極型器件集成混合而成，由單極型器件和雙極型器件集成混合而成，也稱(chēng)混合型器件。也稱(chēng)混合型器件。11/982.1.4 本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)本章內(nèi)容本章內(nèi)容 按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它

10、新型器件的順序，分別介紹各種電力電子器件的新型器件的順序，分別介紹各種電力電子器件的工作原理工作原理、基本特性基本特性、主要參數(shù)主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問(wèn)題。以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問(wèn)題。學(xué)習(xí)要點(diǎn)學(xué)習(xí)要點(diǎn) 最重要的是掌握其最重要的是掌握其基本特性基本特性。掌握電力電子器件的重要掌握電力電子器件的重要參數(shù)參數(shù)和和特性曲線特性曲線的使用方法。的使用方法。了解電力電子器件的了解電力電子器件的半導(dǎo)體物理結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體物理結(jié)構(gòu)和和基本工作原理基本工作原理。了解某些主電路中對(duì)其它電路元件的特殊要求。了解某些主電路中對(duì)其它電路元件的特殊要求。12/982.2 不可控器件不可控器件電力二極管電力二

11、極管 2.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理 2.2.2 電力二極管的基本特性電力二極管的基本特性 2.2.3 電力二極管的主要參數(shù)電力二極管的主要參數(shù) 2.2.4 電力二極管的主要類(lèi)型電力二極管的主要類(lèi)型13/982.2 不可控器件不可控器件電力二極管電力二極管引言引言電力二極管（電力二極管（Power Diode）自自20世紀(jì)世紀(jì)50年代初期就獲得年代初期就獲得應(yīng)用，但其結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠，直到現(xiàn)在電力二應(yīng)用，但其結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠，直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。在采用全控型器件的電路中電力二極管

12、往往是不可缺少在采用全控型器件的電路中電力二極管往往是不可缺少的，特別是開(kāi)通和關(guān)斷速度很快的的，特別是開(kāi)通和關(guān)斷速度很快的快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管和和肖特基肖特基二極管二極管，具有不可替代的地位。，具有不可替代的地位。整流二極管及模塊整流二極管及模塊應(yīng)用應(yīng)用14/98AKAKa)IKAPNJb)c)AK2.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理電力二極管是以半電力二極管是以半導(dǎo)體導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)為基礎(chǔ)的為基礎(chǔ)的,實(shí)際上是由一個(gè)面積實(shí)際上是由一個(gè)面積較大的較大的PN結(jié)結(jié)和和兩端引兩端引線線以及以及封裝封裝組成的。組成的。從外形上看，可以有從外形上看，可以有螺栓型螺栓型、平板型平

13、板型等多等多種封裝。種封裝。圖圖2-2 電力二極管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)電力二極管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào) a)外形外形 b)基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu) c)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào)15/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理二極管的基本原理二極管的基本原理PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)也稱(chēng)空間電荷區(qū)也稱(chēng) PN 結(jié)結(jié)+形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)16/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理二極

14、管的基本原理二極管的基本原理PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)PN+17/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理二極管的基本原理二極管的基本原理PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很由于少子數(shù)量很少，形成很小的少，形成很小的反向電流。反向電流。IR+18/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理二極管的基本原理二極管的基本原理PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?當(dāng)當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓（正向偏置）時(shí)

15、，在外電路上則結(jié)外加正向電壓（正向偏置）時(shí)，在外電路上則形成自形成自P區(qū)流入而從區(qū)流入而從N區(qū)流出的電流，稱(chēng)為區(qū)流出的電流，稱(chēng)為正向電流正向電流IF，這就是這就是PN結(jié)的正向?qū)顟B(tài)。結(jié)的正向?qū)顟B(tài)。當(dāng)當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)（反向偏置）時(shí)，反向偏置的結(jié)外加反向電壓時(shí)（反向偏置）時(shí)，反向偏置的PN結(jié)表現(xiàn)為結(jié)表現(xiàn)為高阻態(tài)高阻態(tài)，幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，被稱(chēng)為反向截，幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，被稱(chēng)為反向截止?fàn)顟B(tài)。止?fàn)顟B(tài)。19/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理二極管的基本原理二極管的基本原理PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?PN結(jié)具有一定的反向耐壓能力，但當(dāng)施加的反向電壓過(guò)結(jié)具

16、有一定的反向耐壓能力，但當(dāng)施加的反向電壓過(guò)大，反向電流將會(huì)急劇增大，破壞大，反向電流將會(huì)急劇增大，破壞PN結(jié)反向偏置為截止結(jié)反向偏置為截止的工作狀態(tài)，這就叫的工作狀態(tài)，這就叫反向擊穿反向擊穿。按照機(jī)理不同有按照機(jī)理不同有雪崩擊穿雪崩擊穿和和齊納擊穿齊納擊穿兩種形式兩種形式。反向擊穿發(fā)生時(shí)，采取了措施將反向電流限制在一反向擊穿發(fā)生時(shí)，采取了措施將反向電流限制在一定范圍內(nèi)，定范圍內(nèi)，PN結(jié)仍可恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。結(jié)仍可恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。否則否則PN結(jié)因過(guò)熱而燒毀，這就是結(jié)因過(guò)熱而燒毀，這就是熱擊穿熱擊穿。20/982.2.1 PN結(jié)與電力二極管的工作原理結(jié)與電力二極管的工作原理PN結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效

17、應(yīng) 稱(chēng)為稱(chēng)為結(jié)電容結(jié)電容CJ，又稱(chēng)為，又稱(chēng)為微分電容微分電容 按其產(chǎn)生機(jī)制和作用的差別分為按其產(chǎn)生機(jī)制和作用的差別分為勢(shì)壘電容勢(shì)壘電容CB和和擴(kuò)散電擴(kuò)散電容容CD 勢(shì)壘電容勢(shì)壘電容只在外加電壓變化時(shí)才起作用，外加電壓頻只在外加電壓變化時(shí)才起作用，外加電壓頻率越高，勢(shì)壘電容作用越明顯。在正向偏置時(shí)，當(dāng)正向率越高，勢(shì)壘電容作用越明顯。在正向偏置時(shí)，當(dāng)正向電壓較低時(shí)，勢(shì)壘電容為主。電壓較低時(shí)，勢(shì)壘電容為主。擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容僅在正向偏置時(shí)起作用。正向電壓較高時(shí)，僅在正向偏置時(shí)起作用。正向電壓較高時(shí)，擴(kuò)散電容為結(jié)電容主要成分。擴(kuò)散電容為結(jié)電容主要成分。結(jié)電容影響結(jié)電容影響PN結(jié)的結(jié)的工作頻率工作頻率，特

18、別是在高速開(kāi)關(guān)的狀，特別是在高速開(kāi)關(guān)的狀態(tài)下，可能使其單向?qū)щ娦宰儾?，甚至不能工作。態(tài)下，可能使其單向?qū)щ娦宰儾睿踔敛荒芄ぷ鳌?1/982.2.2 電力二極管的基本特性電力二極管的基本特性靜態(tài)特性靜態(tài)特性 主要是指其主要是指其伏安特性伏安特性 正向電壓大到一定值（正向電壓大到一定值（門(mén)檻門(mén)檻 電壓電壓UTO），正向電流才開(kāi)始），正向電流才開(kāi)始 明顯增加，處于穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)。明顯增加，處于穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)。與與IF對(duì)應(yīng)的電力二極管兩端的對(duì)應(yīng)的電力二極管兩端的 電壓即為其電壓即為其正向電壓降正向電壓降UF。承受反向電壓時(shí)，只有承受反向電壓時(shí)，只有少子少子 引起的微小而數(shù)值恒定的引起的微小而數(shù)值恒定的反

19、向反向 漏電流漏電流。IOIFUTOUFU圖圖2-5 電力二極管的伏安特性電力二極管的伏安特性22/982.2.2 電力二極管的基本特性電力二極管的基本特性a)IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdtub)UFPiiFuFtfrt02V 圖圖2-6 電力二極管的動(dòng)態(tài)過(guò)程波形電力二極管的動(dòng)態(tài)過(guò)程波形a)正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置 b)零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置 動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性 因?yàn)橐驗(yàn)榻Y(jié)電容結(jié)電容的存在，電壓的存在，電壓電流特性電流特性是隨時(shí)間變化的，這就是電力二極管的動(dòng)是隨時(shí)間變化的，這就是電力二極管的動(dòng)態(tài)特性，并且往往專(zhuān)指

20、反映通態(tài)和斷態(tài)之態(tài)特性，并且往往專(zhuān)指反映通態(tài)和斷態(tài)之間轉(zhuǎn)換過(guò)程的間轉(zhuǎn)換過(guò)程的開(kāi)關(guān)特性開(kāi)關(guān)特性。由正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置由正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置 電力二極管并不能立即關(guān)斷，而是電力二極管并不能立即關(guān)斷，而是須經(jīng)過(guò)一段短暫的時(shí)間才能重新獲得反向須經(jīng)過(guò)一段短暫的時(shí)間才能重新獲得反向阻斷能力，進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。阻斷能力，進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。在關(guān)斷之前有較大的反向電流出現(xiàn)，在關(guān)斷之前有較大的反向電流出現(xiàn)，并伴隨有明顯的反向電壓過(guò)沖。并伴隨有明顯的反向電壓過(guò)沖。t2:電流變電流變化率接近化率接近于零的時(shí)于零的時(shí)刻刻23/982.2.2 電力二極管的基本特性電力二極管的基本特性UFPuiiFuFtfrt02V由零偏置

21、轉(zhuǎn)換為正向偏置由零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置 先出現(xiàn)一個(gè)先出現(xiàn)一個(gè)過(guò)沖過(guò)沖UFP，經(jīng)，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間才趨于接近穩(wěn)態(tài)壓過(guò)一段時(shí)間才趨于接近穩(wěn)態(tài)壓降的某個(gè)值（如降的某個(gè)值（如2V）。）。出現(xiàn)電壓過(guò)沖的原因出現(xiàn)電壓過(guò)沖的原因:電電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)起作用所需的大量起作用所需的大量少子需要一定的時(shí)間來(lái)儲(chǔ)存，少子需要一定的時(shí)間來(lái)儲(chǔ)存，在達(dá)到穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通之前管壓降較在達(dá)到穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通之前管壓降較大；正向電流的上升會(huì)因器件大；正向電流的上升會(huì)因器件自身的自身的電感電感而產(chǎn)生較大壓降。而產(chǎn)生較大壓降。電流上升率電流上升率越大，越大，UFP越高。越高。圖圖2-6 電力二極管的動(dòng)態(tài)過(guò)程波形電力二極管的動(dòng)態(tài)過(guò)程波形 b)零偏置轉(zhuǎn)換

22、為正向偏置零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置 24/982.2.3 電力二極管的主要參數(shù)電力二極管的主要參數(shù)正向平均電流正向平均電流IF(AV)指電力二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，在指定的管殼溫度（簡(jiǎn)稱(chēng)殼指電力二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，在指定的管殼溫度（簡(jiǎn)稱(chēng)殼溫，用溫，用TC表示）和散熱條件下，其允許流過(guò)的最大表示）和散熱條件下，其允許流過(guò)的最大工頻正工頻正弦半波電流弦半波電流的平均值。的平均值。IF(AV)是按照電流的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的，使用時(shí)應(yīng)按是按照電流的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的，使用時(shí)應(yīng)按有有效值相等效值相等的原則來(lái)選取電流定額，并應(yīng)留有一定的裕量。的原則來(lái)選取電流定額，并應(yīng)留有一定的裕量。正向壓降正向壓降UF 指電力二極管在指

23、定溫度下，流過(guò)某一指定的指電力二極管在指定溫度下，流過(guò)某一指定的穩(wěn)態(tài)正向穩(wěn)態(tài)正向電流電流時(shí)對(duì)應(yīng)的正向壓降。時(shí)對(duì)應(yīng)的正向壓降。反向重復(fù)峰值電壓反向重復(fù)峰值電壓URRM 指對(duì)電力二極管所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓。指對(duì)電力二極管所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓。使用時(shí)，應(yīng)當(dāng)留有使用時(shí)，應(yīng)當(dāng)留有兩倍兩倍的裕量。的裕量。25/982.2.3 電力二極管的主要參數(shù)電力二極管的主要參數(shù)最高工作結(jié)溫最高工作結(jié)溫TJM 結(jié)溫是指管芯結(jié)溫是指管芯PN結(jié)的平均溫度，用結(jié)的平均溫度，用TJ表示。表示。最高工作結(jié)溫是指在最高工作結(jié)溫是指在PN結(jié)不致?lián)p壞的前提下結(jié)不致?lián)p壞的前提下所能承受的所能承受的最高平均溫度最高平均

24、溫度。TJM通常在通常在125175 C范圍之內(nèi)。范圍之內(nèi)。反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間trr浪涌電流浪涌電流IFSM 指電力二極管所能承受最大的連續(xù)一個(gè)或幾個(gè)指電力二極管所能承受最大的連續(xù)一個(gè)或幾個(gè)工頻周期的過(guò)電流工頻周期的過(guò)電流。26/98trr2.2.4 電力二極管的主要類(lèi)型電力二極管的主要類(lèi)型按照正向壓降、反向耐壓、反向漏電流等性按照正向壓降、反向耐壓、反向漏電流等性能，特別是反向恢復(fù)特性的不同，介紹幾種常用能，特別是反向恢復(fù)特性的不同，介紹幾種常用的電力二極管。的電力二極管。普通二極管（普通二極管（General Purpose Diode）又稱(chēng)又稱(chēng)整流二極管（整流二極管（Rectifi

25、er Diode），多用，多用于開(kāi)關(guān)頻率不高（于開(kāi)關(guān)頻率不高（1kHz以下）的整流電路中。以下）的整流電路中。其其反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，一般在較長(zhǎng)，一般在5 s以上以上。其其正向電流定額正向電流定額和和反向電壓定額反向電壓定額可以達(dá)到可以達(dá)到很高。很高。27/982.2.4 電力二極管的主要類(lèi)型電力二極管的主要類(lèi)型快恢復(fù)二極管（快恢復(fù)二極管（Fast Recovery DiodeFRD）恢復(fù)過(guò)程恢復(fù)過(guò)程很短，特別是很短，特別是反向恢復(fù)過(guò)程反向恢復(fù)過(guò)程很短（一很短（一般在般在5 s以下）以下）?？旎謴?fù)外延二極管快恢復(fù)外延二極管（Fast Recovery Epitaxial Diodes

26、FRED），采用，采用外延型外延型P-i-N結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)，其，其反向恢復(fù)時(shí)間更短（可低于反向恢復(fù)時(shí)間更短（可低于50ns），正向壓降也很），正向壓降也很低（低（0.9V左右）。左右）。從性能上可分為從性能上可分為快速恢復(fù)快速恢復(fù)和和超快速恢復(fù)超快速恢復(fù)兩個(gè)等兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在在100ns以下，甚至達(dá)到以下，甚至達(dá)到2030ns。28/982.2.4 電力二極管的主要類(lèi)型電力二極管的主要類(lèi)型肖特基二極管（肖特基二極管（Schottky Barrier DiodeSBD）屬于屬于多子多子器件器件 優(yōu)點(diǎn)在于：優(yōu)點(diǎn)在于：反向恢復(fù)

27、時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間很短（很短（1040ns），正向恢），正向恢復(fù)過(guò)程中也不會(huì)有明顯的復(fù)過(guò)程中也不會(huì)有明顯的電壓過(guò)沖電壓過(guò)沖；在反向耐壓較低的情；在反向耐壓較低的情況下其況下其正向壓降正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管；因此，也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管；因此，其其開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗和和正向?qū)〒p耗正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率都比快速二極管還要小，效率高。高。弱點(diǎn)在于：當(dāng)所能承受的反向耐壓提高時(shí)其弱點(diǎn)在于：當(dāng)所能承受的反向耐壓提高時(shí)其正向壓降正向壓降也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場(chǎng)以下的低壓場(chǎng)合；合；反向漏電流反向漏電流較大且對(duì)較大且對(duì)

28、溫度溫度敏感，因此敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗反向穩(wěn)態(tài)損耗不不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。29/982.3 半控型器件半控型器件晶閘管晶閘管 2.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 2.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性 2.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù) 2.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件30/982.3 2.3 半控器件半控器件晶閘管晶閘管引言引言晶閘管（晶閘管（Thyristor）是）是晶體閘流管晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又稱(chēng)作的簡(jiǎn)稱(chēng)，又稱(chēng)作可控硅整流器可控硅整流器（Silicon Controlled R

29、ectifierSCR），以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室（年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Laboratories）發(fā)明了晶閘管，到）發(fā)明了晶閘管，到1957年美國(guó)通用電氣公司（年美國(guó)通用電氣公司（General Electric）開(kāi)發(fā)出了世界上第一只）開(kāi)發(fā)出了世界上第一只晶閘管產(chǎn)品，并于晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。年使其商業(yè)化。由于其能承受的由于其能承受的電壓和電流容量電壓和電流容量仍然是目前電力電子器件中最高仍然是目前電力電子器件中最高的，而且工作可靠，因此在的，而且工作可靠，因此在大容量大容量的應(yīng)用場(chǎng)合仍然具有比較重要的地的應(yīng)用場(chǎng)合仍然具有比較重

30、要的地位。位。晶閘管及模塊晶閘管及模塊31/982.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管的結(jié)構(gòu) 晶閘管主要有晶閘管主要有螺栓螺栓型型和和平板型平板型兩種封裝兩種封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)。引出引出陽(yáng)極陽(yáng)極A、陰極陰極K和和門(mén)極（控制端）門(mén)極（控制端）G三個(gè)聯(lián)接端。三個(gè)聯(lián)接端。內(nèi)部是內(nèi)部是PNPN四層四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖圖2-7 晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào) a)外形外形 b)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) c)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) 32/982.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理圖圖2-8 晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理晶閘管

31、的雙晶體管模型及其工作原理 a)雙晶體管模型雙晶體管模型 b)工作原理工作原理 晶閘管的工作原理晶閘管的工作原理 按照晶體管工作原理，按照晶體管工作原理，可列出如下方程：可列出如下方程：111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII（2-2）（2-1）（2-3）（2-4）式中式中 1和和 2分別是晶體管分別是晶體管V1和和V2的共基極電流增益；的共基極電流增益；ICBO1和和ICBO2分別是分別是V1和和V2的共基極漏電流。的共基極漏電流。33/982.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶體管的特性是：在低發(fā)射極電流下晶體管的特性是：在低發(fā)射極電流下

32、 是很小的，而當(dāng)是很小的，而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來(lái)之后，發(fā)射極電流建立起來(lái)之后，迅速增大。迅速增大。在晶體管在晶體管阻斷狀態(tài)阻斷狀態(tài)下，下，IG=0，而，而 1+2是很小的。此時(shí)流是很小的。此時(shí)流過(guò)晶閘管的漏電流只是稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。過(guò)晶閘管的漏電流只是稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。如果注入觸發(fā)電流使各個(gè)晶體管的發(fā)射極電流增大以致如果注入觸發(fā)電流使各個(gè)晶體管的發(fā)射極電流增大以致 1+2趨近于趨近于1，流過(guò)晶閘管的電流，流過(guò)晶閘管的電流IA（陽(yáng)極電流）（陽(yáng)極電流）將趨將趨近于近于無(wú)窮大無(wú)窮大，從而實(shí)現(xiàn)器件，從而實(shí)現(xiàn)器件飽和導(dǎo)通飽和導(dǎo)通。由于外電路負(fù)載的限制，由于外電路負(fù)載的限制，IA實(shí)際上

33、會(huì)維持實(shí)際上會(huì)維持有限值有限值。)(121CBO2CBO1G2AIIII111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII34/982.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理除門(mén)極觸發(fā)外其他幾種可能導(dǎo)通的情況除門(mén)極觸發(fā)外其他幾種可能導(dǎo)通的情況 陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)雪崩效應(yīng) 陽(yáng)極電壓上升率陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高過(guò)高 結(jié)溫結(jié)溫較高較高 光觸發(fā)光觸發(fā)35/982.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性靜態(tài)特性靜態(tài)特性 正常工作時(shí)的特性正常工作時(shí)的特性 當(dāng)晶閘管承受當(dāng)晶閘管承受反向電壓反向電壓時(shí)，不論門(mén)極是否有

34、觸發(fā)電時(shí)，不論門(mén)極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)晶閘管承受當(dāng)晶閘管承受正向電壓正向電壓時(shí)，僅在時(shí)，僅在門(mén)極門(mén)極有有觸發(fā)電流觸發(fā)電流的的情況下晶閘管才能開(kāi)通情況下晶閘管才能開(kāi)通。晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去控制作用，不論門(mén)極晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去控制作用，不論門(mén)極觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通。若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一電流降到接近于零的某一數(shù)值以下數(shù)值以下。36/982.3.2 晶閘管的基本

35、特性晶閘管的基本特性晶閘管的伏安特性晶閘管的伏安特性 正向特性正向特性 當(dāng)當(dāng)IG=0時(shí)，如果在器件兩端施時(shí)，如果在器件兩端施加正向電壓，則晶閘管處于正向加正向電壓，則晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)阻斷狀態(tài)，只有很小的正向漏電，只有很小的正向漏電流流過(guò)。流流過(guò)。如果正向電壓超過(guò)臨界極限即如果正向電壓超過(guò)臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇，則漏電流急劇增大，器件增大，器件開(kāi)通開(kāi)通。隨著隨著門(mén)極電流幅值門(mén)極電流幅值的增大，的增大，正正向轉(zhuǎn)折電壓向轉(zhuǎn)折電壓降低，晶閘管本身的降低，晶閘管本身的壓降很小，在壓降很小，在1V左右。左右。如果門(mén)極電流為零，并且陽(yáng)極如果門(mén)極電流為零，并且陽(yáng)極電流降至

36、接近于零的某一數(shù)值電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則晶閘管又回到以下，則晶閘管又回到正向阻斷正向阻斷狀態(tài)，狀態(tài)，IH稱(chēng)為稱(chēng)為維持電流維持電流。圖圖2-9 晶閘管的伏安特性晶閘管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向轉(zhuǎn)正向轉(zhuǎn)折電壓折電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+37/982.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性反向特性反向特性 其伏安特性類(lèi)似其伏安特性類(lèi)似二極管二極管的的反向特性。反向特性。晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時(shí)，只有極小的時(shí)，只有極小的反向漏電流反向漏電流通通過(guò)。過(guò)。當(dāng)反向電壓超

37、過(guò)一定限度，當(dāng)反向電壓超過(guò)一定限度，到到反向擊穿電壓反向擊穿電壓后，外電路如后，外電路如無(wú)限制措施，則反向漏電流急無(wú)限制措施，則反向漏電流急劇增大，導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。劇增大，導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。圖圖2-9 晶閘管的伏安特性晶閘管的伏安特性 IG2IG1IG正向轉(zhuǎn)正向轉(zhuǎn)折電壓折電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+38/982.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性 開(kāi)通過(guò)程開(kāi)通過(guò)程 由于晶閘管內(nèi)部的由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過(guò)程正反饋過(guò)程需要時(shí)間，再加上需要時(shí)間，再加上外電路電感外電路電感的限的限制，晶

38、閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電流的增長(zhǎng)不可能是流的增長(zhǎng)不可能是瞬時(shí)瞬時(shí)的。的。延遲時(shí)間延遲時(shí)間td(0.51.5 s)上升時(shí)間上升時(shí)間tr (0.53 s)開(kāi)通時(shí)間開(kāi)通時(shí)間tgt=td+tr 延遲時(shí)間隨延遲時(shí)間隨門(mén)極電流門(mén)極電流的增大而的增大而減小減小,上升時(shí)間除反映晶閘管本身特上升時(shí)間除反映晶閘管本身特性外，還受到性外，還受到外電路電感外電路電感的嚴(yán)重影的嚴(yán)重影響。提高響。提高陽(yáng)極電壓陽(yáng)極電壓,延遲時(shí)間和上升延遲時(shí)間和上升時(shí)間都可顯著縮短。時(shí)間都可顯著縮短。圖圖2-10 晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形陽(yáng)極電流穩(wěn)陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的態(tài)值的90%100%

39、90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA陽(yáng)極電流穩(wěn)陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的態(tài)值的10%39/982.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷過(guò)程 由于由于外電路電感外電路電感的存在，原處的存在，原處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，其陽(yáng)極電流然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)必然也是有過(guò)渡過(guò)程的。在衰減時(shí)必然也是有過(guò)渡過(guò)程的。反向阻斷恢復(fù)時(shí)間反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr 正向阻斷恢復(fù)時(shí)間正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr 關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷時(shí)間tq=trr+tgr 關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。在在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間正向阻斷恢復(fù)時(shí)間

40、內(nèi)如果重內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加新對(duì)晶閘管施加正向電壓正向電壓，晶閘管，晶閘管會(huì)重新正向?qū)ǎ皇鞘荛T(mén)極電會(huì)重新正向?qū)?，而不是受門(mén)極電流控制而導(dǎo)通。流控制而導(dǎo)通。圖圖2-10 晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形100%反向恢復(fù)反向恢復(fù)電流最大電流最大值值尖峰電壓尖峰電壓90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA40/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)電壓定額電壓定額 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM 是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)重復(fù)加在器件上的加在器件上的正向正向 峰值電壓峰值電壓。國(guó)標(biāo)

41、規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓國(guó)標(biāo)規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即 斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）UDSM的的90%。斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo。正向?qū)∣+UA-UAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+41/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)電壓定額電壓定額反向重復(fù)峰值電壓反向重復(fù)峰值電壓URRM 是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)重復(fù)加在器件上的加在器件上的反向反向 峰值電壓峰值電壓。規(guī)定反向重復(fù)峰值電壓規(guī)定反向重復(fù)

42、峰值電壓URRM為反向不重復(fù)峰值電壓（即反向?yàn)榉聪虿恢貜?fù)峰值電壓（即反向 最大瞬態(tài)電壓）最大瞬態(tài)電壓）URSM的的90%。反向不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于反向不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于反向擊穿電壓反向擊穿電壓。雪崩擊穿O+UA-UA-IAUboUDSMUDRMURRMURSM42/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù) 通態(tài)（峰值）電壓通態(tài)（峰值）電壓UTM 晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。態(tài)峰值電壓。通常取晶閘管的通常取晶閘管的UDRM和和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓額定電壓。選用時(shí)，一般

43、取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管。選用時(shí)，一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓所承受峰值電壓23倍倍。正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+43/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)電流定額電流定額 通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流 IT(AV）國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40 C和和規(guī)定的規(guī)定的冷卻狀態(tài)冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值。過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值。通態(tài)平均電流通態(tài)平

44、均電流 IT(AV）是標(biāo)稱(chēng)額定電流的參數(shù)。是按照是標(biāo)稱(chēng)額定電流的參數(shù)。是按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的。來(lái)定義的。一般取其通態(tài)平均電流為按發(fā)熱效應(yīng)相等（即有效值一般取其通態(tài)平均電流為按發(fā)熱效應(yīng)相等（即有效值相等）的原則所得計(jì)算結(jié)果的相等）的原則所得計(jì)算結(jié)果的1.52倍。倍。44/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)維持電流維持電流IH 維持電流是指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的維持電流是指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小最小電流，電流，一般為幾十到幾百毫安。一般為幾十到幾百毫安。結(jié)溫結(jié)溫越高，則越高，則IH越小。越小。擎住電流

45、擎住電流 IL 擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的后，能維持導(dǎo)通所需的最小最小電流。電流。約為約為IH的的24倍倍 浪涌電流浪涌電流ITSM 指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性不重復(fù)性最大正向過(guò)載電流最大正向過(guò)載電流。45/982.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)動(dòng)態(tài)參數(shù)動(dòng)態(tài)參數(shù) 開(kāi)通時(shí)間開(kāi)通時(shí)間tgt和關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間tq 斷態(tài)電壓臨界上升率斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt 在額定結(jié)溫和門(mén)極開(kāi)路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從在額定結(jié)溫和門(mén)極開(kāi)路的情況

46、下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率外加電壓最大上升率。電壓上升率過(guò)大，使充電電流足夠大，就會(huì)使晶閘電壓上升率過(guò)大，使充電電流足夠大，就會(huì)使晶閘管誤導(dǎo)通管誤導(dǎo)通 。通態(tài)電流臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率di/dt 在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無(wú)有害影響的在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無(wú)有害影響的最大最大通態(tài)電流上升率通態(tài)電流上升率。如果電流上升太快，可能造成局部過(guò)熱而使晶閘管如果電流上升太快，可能造成局部過(guò)熱而使晶閘管損壞。損壞。46/982.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件快速晶閘管（快速晶閘管（Fast Switching ThyristorFST）有有

47、快速晶閘管快速晶閘管和和高頻晶閘管高頻晶閘管?？焖倬чl管的快速晶閘管的開(kāi)關(guān)時(shí)間開(kāi)關(guān)時(shí)間以及以及du/dt和和di/dt的耐量都有了的耐量都有了明顯改善。明顯改善。從從關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷時(shí)間來(lái)看，普通晶閘管一般為來(lái)看，普通晶閘管一般為數(shù)百數(shù)百微秒，快速微秒，快速晶閘管為晶閘管為數(shù)十?dāng)?shù)十微秒，而高頻晶閘管則為微秒，而高頻晶閘管則為10 s左右。左右。高頻晶閘管的不足在于其高頻晶閘管的不足在于其電壓電壓和和電流電流定額都不易做高。定額都不易做高。由于工作頻率較高，選擇快速晶閘管和高頻晶閘管的由于工作頻率較高，選擇快速晶閘管和高頻晶閘管的通態(tài)平均電流時(shí)不能忽略其通態(tài)平均電流時(shí)不能忽略其開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗的發(fā)熱

48、效應(yīng)。的發(fā)熱效應(yīng)。47/982.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件a)b)IOUIG=0GT1T2雙向晶閘管（雙向晶閘管（Triode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristor）可以認(rèn)為是一對(duì)可以認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)聯(lián)反并聯(lián)聯(lián) 接接的普通晶閘管的集成的普通晶閘管的集成。門(mén)極使器件在主電極的正門(mén)極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，在第反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，在第和第和第III象限有象限有對(duì)稱(chēng)的伏安特對(duì)稱(chēng)的伏安特性性。雙向晶閘管通常用在交流雙向晶閘管通常用在交流電路中，因此不用平均值而用電路中，因此不用平均值而用有效值有效值來(lái)表示其額定電流

49、值。來(lái)表示其額定電流值。圖圖2-11 雙向晶閘管的電氣圖形雙向晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性符號(hào)和伏安特性a)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) b)伏安特性伏安特性 48/982.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件a)KGAb)UOIIG=0逆導(dǎo)晶閘管（逆導(dǎo)晶閘管（Reverse Conducting ThyristorRCT）是將是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管二極管制作在同一管芯上制作在同一管芯上的功率集成器件，不具有的功率集成器件，不具有承受承受反向電壓反向電壓的能力，一的能力，一旦承受反向電壓即開(kāi)通。旦承受反向電壓即開(kāi)通。具有正向壓降小、關(guān)斷具有正向壓降小、關(guān)斷時(shí)間短、高溫特性

50、好、額時(shí)間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn)，可用于定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn)，可用于不需要阻斷反向電壓的電不需要阻斷反向電壓的電路中。路中。圖圖2-12 逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性和伏安特性 a)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) b)伏安特性伏安特性 49/982.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件AGKa)AK光強(qiáng)度強(qiáng)弱b)OUIA光控晶閘管（光控晶閘管（Light Triggered ThyristorLTT）是利用一定波長(zhǎng)的是利用一定波長(zhǎng)的光光照信號(hào)照信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。由于采用光觸發(fā)保證由于采用光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間了主電路與控制電路之間

51、的的絕緣絕緣，而且可以避免電，而且可以避免電磁干擾的影響，因此光控磁干擾的影響，因此光控晶閘管目前在晶閘管目前在高壓大功率高壓大功率的場(chǎng)合的場(chǎng)合。圖圖2-13 光控晶閘管的電氣圖形符光控晶閘管的電氣圖形符 號(hào)和伏安特性號(hào)和伏安特性 a)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) b)伏安特性伏安特性 50/982.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)極可關(guān)斷晶閘管 2.4.2 電力晶體管電力晶體管 2.4.3 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.4.4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管51/982.4 典型全控型器件典型全控型器件引言引言門(mén)極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn)。門(mén)極

52、可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn)。20世紀(jì)世紀(jì)80年代以來(lái)，電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)年代以來(lái)，電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)嶄新時(shí)代。嶄新時(shí)代。典型代表典型代表門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力電力MOSFETIGBT單管及模塊單管及模塊52/982.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)極可關(guān)斷晶閘管晶閘管的一種派生器件，但晶閘管的一種派生器件，但可以通過(guò)在門(mén)極施加負(fù)的脈沖可以通過(guò)在門(mén)極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷，因而屬于電流使其關(guān)斷，因而屬于全控全控型器件型器件。GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 GTO的

53、結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 是是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)四層半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)構(gòu)。是是一種多元的功率集成一種多元的功率集成 器件器件，雖然外部同樣引出個(gè)，雖然外部同樣引出個(gè) 極，但內(nèi)部則包含數(shù)十個(gè)甚極，但內(nèi)部則包含數(shù)十個(gè)甚 至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的小小GTO 元元，這些，這些GTO元的元的陰極陰極和和門(mén)門(mén) 極極則在器件內(nèi)部則在器件內(nèi)部并聯(lián)并聯(lián)在一起。在一起。圖圖2-14 GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)a)各單元的陰極、門(mén)極間隔排列的圖形各單元的陰極、門(mén)極間隔排列的圖形 b)并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)斷面示意圖并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)斷面示意圖 c)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) 53/982.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)

54、極可關(guān)斷晶閘管 圖圖2-8 晶閘管的雙晶體管模型晶閘管的雙晶體管模型 及其工作原理及其工作原理 a)雙晶體管模型雙晶體管模型 b)工作原理工作原理GTO的工作原理的工作原理 可用可用雙晶體管模型雙晶體管模型來(lái)分析，來(lái)分析，V1、V2的共基極電流增益分別是的共基極電流增益分別是 1、2。1+2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件，大是器件臨界導(dǎo)通的條件，大于于1導(dǎo)通，小于導(dǎo)通，小于1則關(guān)斷。則關(guān)斷。GTO與普通晶閘管的不同與普通晶閘管的不同 設(shè)計(jì)設(shè)計(jì) 2較大，使晶體管較大，使晶體管V2控制控制 靈靈敏，易于敏，易于GTO關(guān)斷。關(guān)斷。導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí) 1+2更接近更接近1，導(dǎo)通時(shí)接，導(dǎo)通時(shí)接近近臨界飽和臨界飽和，

55、有利門(mén)極控制關(guān)斷，但，有利門(mén)極控制關(guān)斷，但導(dǎo)通時(shí)管導(dǎo)通時(shí)管壓降壓降增大。增大。多元集成結(jié)構(gòu)，使得多元集成結(jié)構(gòu)，使得P2基區(qū)基區(qū)橫向橫向電阻很小，能從門(mén)極抽出較大電流。電阻很小，能從門(mén)極抽出較大電流。54/982.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO的導(dǎo)通過(guò)程與普通晶閘管是一樣的，的導(dǎo)通過(guò)程與普通晶閘管是一樣的，只不過(guò)導(dǎo)通時(shí)只不過(guò)導(dǎo)通時(shí)飽和程度飽和程度較淺。較淺。而關(guān)斷時(shí)，給門(mén)極加負(fù)脈沖，即從門(mén)極抽而關(guān)斷時(shí)，給門(mén)極加負(fù)脈沖，即從門(mén)極抽出電流，當(dāng)兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流出電流，當(dāng)兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流IA和和IK的的減小使減小使 1+21時(shí)，器件退出時(shí)，器件退出飽和飽和而關(guān)斷。而關(guān)斷。GTO的

56、的多元集成結(jié)構(gòu)多元集成結(jié)構(gòu)使得其比普通晶閘管使得其比普通晶閘管開(kāi)通過(guò)程開(kāi)通過(guò)程更快，承受更快，承受di/dt的能力增強(qiáng)。的能力增強(qiáng)。55/982.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO的動(dòng)態(tài)特性的動(dòng)態(tài)特性 開(kāi)通過(guò)程與普通晶閘管開(kāi)通過(guò)程與普通晶閘管類(lèi)似。類(lèi)似。關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷過(guò)程 儲(chǔ)存時(shí)間儲(chǔ)存時(shí)間ts 下降時(shí)間下降時(shí)間tf 尾部時(shí)間尾部時(shí)間tt 通常通常tf比比ts小得多，而小得多，而tt比比ts要長(zhǎng)。要長(zhǎng)。門(mén)極負(fù)脈沖電流門(mén)極負(fù)脈沖電流幅值幅值越大，越大，前沿前沿越陡，越陡，ts就越就越短。使門(mén)極負(fù)脈沖的短。使門(mén)極負(fù)脈沖的后沿后沿緩慢衰減，在緩慢衰減，在tt階段仍能階段仍能保持適當(dāng)?shù)谋３诌m當(dāng)

57、的負(fù)電壓負(fù)電壓，則可，則可以縮短以縮短尾部時(shí)間尾部時(shí)間。圖圖2-15 GTO的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程電流波形的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程電流波形 Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6抽取飽和導(dǎo)通時(shí)抽取飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的大量載流儲(chǔ)存的大量載流子的時(shí)間子的時(shí)間等效晶體管從飽等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū)，和區(qū)退至放大區(qū)，陽(yáng)極電流逐漸減陽(yáng)極電流逐漸減小時(shí)間小時(shí)間 殘存殘存載流載流子復(fù)子復(fù)合所合所需時(shí)需時(shí)間間 56/982.4.1 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO的主要參數(shù)的主要參數(shù) GTO的許多參數(shù)都和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同。的許多參數(shù)都和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)

58、意義相同。最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO（普通晶閘管用通態(tài)平均電流）用來(lái)標(biāo)稱(chēng)用來(lái)標(biāo)稱(chēng)GTO額定電流額定電流。電流關(guān)斷增益電流關(guān)斷增益 off 最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO與門(mén)極負(fù)脈沖電流最大值與門(mén)極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比。之比。off一般很小，只有一般很小，只有5左右，這是左右，這是GTO的一個(gè)主要缺點(diǎn)。的一個(gè)主要缺點(diǎn)。開(kāi)通時(shí)間開(kāi)通時(shí)間ton 延遲延遲時(shí)間與時(shí)間與上升上升時(shí)間之和。時(shí)間之和。延遲時(shí)間一般約延遲時(shí)間一般約12 s，上升時(shí)間則隨，上升時(shí)間則隨通態(tài)陽(yáng)極電流值通態(tài)陽(yáng)極電流值的增大而的增大而 增大。增大。關(guān)斷時(shí)間關(guān)斷時(shí)間toff 一般指一般指儲(chǔ)存儲(chǔ)存時(shí)間

59、和時(shí)間和下降下降時(shí)間之和，而不包括時(shí)間之和，而不包括尾部尾部時(shí)間。時(shí)間。儲(chǔ)存時(shí)間隨儲(chǔ)存時(shí)間隨陽(yáng)極電流陽(yáng)極電流的增大而增大，下降時(shí)間一般小于的增大而增大，下降時(shí)間一般小于2 s。不少不少GTO都制造成都制造成逆導(dǎo)型逆導(dǎo)型，類(lèi)似于逆導(dǎo)晶閘管。當(dāng)需要承受反向電，類(lèi)似于逆導(dǎo)晶閘管。當(dāng)需要承受反向電壓時(shí)，應(yīng)和壓時(shí)，應(yīng)和電力二極管電力二極管串聯(lián)使用。串聯(lián)使用。57/982.4.2 電力晶體管電力晶體管電力晶體管（電力晶體管（Giant TransistorGTR）是一種耐高電壓、大電流的是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction TransistorBJT）GT

60、R的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的。樣的。最主要的特性是最主要的特性是耐壓高耐壓高、電流大電流大、開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)特性好。特性好。58/98 GTR的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 采用至少由兩個(gè)晶體管按采用至少由兩個(gè)晶體管按達(dá)林頓接法達(dá)林頓接法組成的單元結(jié)構(gòu)，組成的單元結(jié)構(gòu)，并采用集成電路工藝將許多這種單元并采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)并聯(lián)而成。而成。GTR是由是由三層半導(dǎo)體三層半導(dǎo)體（分別引出集電極、基極和發(fā)射（分別引出集電極、基極和發(fā)射極）形成的兩個(gè)極）形成的兩個(gè)PN結(jié)（集電結(jié)和發(fā)射結(jié)）構(gòu)成，多采用結(jié)（集電結(jié)和發(fā)射結(jié)）構(gòu)成，多采用NPN

61、結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。2.4.2 電力晶體管電力晶體管GTR的結(jié)構(gòu)、電氣圖形符號(hào)和內(nèi)部載流子的流動(dòng)的結(jié)構(gòu)、電氣圖形符號(hào)和內(nèi)部載流子的流動(dòng)a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) c)內(nèi)部載流子的流動(dòng)內(nèi)部載流子的流動(dòng)+表示高表示高摻雜濃摻雜濃度，度，-表表示低摻示低摻雜濃度雜濃度 59/982.4.2 電力晶體管電力晶體管Iiiceobc空穴流電子流c)EbEcibic=ibie=(1+)ib圖圖2-16 c)內(nèi)部載流子的流動(dòng)內(nèi)部載流子的流動(dòng) iibcGTR一般采用共發(fā)射極接法。集電極一般采用共發(fā)射極接法。集電極電流電流ic與基極電流與基極電流ib之比為之比為 稱(chēng)為稱(chēng)為GTR

62、的的電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)，它反映，它反映了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力。了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力。當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流Iceo時(shí)，時(shí)，ic和和ib的關(guān)系為的關(guān)系為 單管單管GTR的的 值比處理信息用的小功值比處理信息用的小功率晶體管小得多，通常為率晶體管小得多，通常為10左右，采用左右，采用達(dá)林頓接法達(dá)林頓接法可以有效地增大電流增益?？梢杂行У卦龃箅娏髟鲆?。(2-9)(2-10)60/982.4.2 電力晶體管電力晶體管GTR的基本特性的基本特性 靜態(tài)特性靜態(tài)特性 在在共發(fā)射極共發(fā)射極接法時(shí)的典接法時(shí)的典 型輸出特性分為型輸出特性分為截

63、止區(qū)截止區(qū)、放放 大區(qū)大區(qū)和和飽和區(qū)飽和區(qū)三個(gè)區(qū)域。三個(gè)區(qū)域。在電力電子電路中，在電力電子電路中，GTR工作在工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即工，即工 作在作在截止區(qū)截止區(qū)或或飽和區(qū)飽和區(qū)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，即在截在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，即在截 止區(qū)和飽和區(qū)之間過(guò)渡時(shí)，止區(qū)和飽和區(qū)之間過(guò)渡時(shí)，一般要經(jīng)過(guò)一般要經(jīng)過(guò)放大區(qū)放大區(qū)。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)OIcib3ib2ib1ib1ib220V將導(dǎo)致絕緣層將導(dǎo)致絕緣層擊穿。擊穿。極間電容極間電容 CGS、CGD和和CDS。漏源間的漏源間的耐壓耐壓、漏極最大允許、漏極最大允許電流電流和最大和最大耗散功率耗散功率決決定了電力定了電力MOSFET的安全工作區(qū)。的安全工作區(qū)。75

64、/982.4.4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管GTR和和GTO是雙極型電流驅(qū)動(dòng)器件，由于具有是雙極型電流驅(qū)動(dòng)器件，由于具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)，但開(kāi)關(guān)速度較電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)，但開(kāi)關(guān)速度較低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。n 而電力而電力MOSFET是單極型電壓驅(qū)動(dòng)器件，開(kāi)關(guān)是單極型電壓驅(qū)動(dòng)器件，開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。率小而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。n 絕緣柵雙極晶體管（絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gateBipolar TransistorIGBT或

65、或IGT）綜合了綜合了GTR和和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。76/982.4.4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 IGBT的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 是三端器件，具有是三端器件，具有柵極柵極G、集電極集電極C和和發(fā)射極發(fā)射極E。由由N溝道溝道VDMOSFET與與雙雙 極型晶體管極型晶體管組合而成的組合而成的IGBT，比比VDMOSFET多一層多一層P+注入注入 區(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)區(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào) 制，使得制，使得IGBT具有很強(qiáng)的具有很強(qiáng)的通流通流 能力。能力。IGBT 是用是用GTR與與MOSFET組成

66、的組成的達(dá)林頓達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于一個(gè)由相當(dāng)于一個(gè)由 MOSFET驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)的厚基區(qū)PNP晶體管。晶體管。圖圖2-23 IGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)形符號(hào)a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b)簡(jiǎn)化等效電簡(jiǎn)化等效電路路 c)電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào)RN為晶體為晶體管基區(qū)內(nèi)的管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。調(diào)制電阻。77/98E2.4.4 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理的工作原理 IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與電力的驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同，是一種基本相同，是一種場(chǎng)控場(chǎng)控器件。器件。其開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓其開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定。決定。當(dāng)當(dāng)UGE為正且大于開(kāi)啟電壓為正且大于開(kāi)啟電壓UGE(th)時(shí)，時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為內(nèi)形成溝道，并為晶體管提供基極電流進(jìn)而使晶體管提供基極電流進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通。導(dǎo)通。當(dāng)柵極與發(fā)射極間施加反向電壓或不加信號(hào)時(shí)，當(dāng)柵極與發(fā)射極間施加反向電壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，使得道消失，晶體管的基極電流被切斷，使得I