《半導(dǎo)體物理學(xué)》課程教學(xué)大綱

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1、 《半導(dǎo)體物理學(xué)》課程教學(xué)大綱 一、課程說(shuō)明 （一）課程名稱：《半導(dǎo)體物理學(xué)》 所屬專業(yè)：物理學(xué)（電子材料和器件工程方向） 課程性質(zhì)：專業(yè)課 學(xué) 分：4學(xué)分 （二）課程簡(jiǎn)介、目標(biāo)與任務(wù)： 《半導(dǎo)體物理學(xué)》是物理學(xué)專業(yè)（電子材料和器件工程方向）本科生的一門必修課程。通過(guò)學(xué)習(xí)本課程，使學(xué)生掌握半導(dǎo)體物理學(xué)中的基本概念、基本理論和基本規(guī)律，培養(yǎng)學(xué)生分析和應(yīng)用半導(dǎo)體各種物理效應(yīng)解決實(shí)際問題的能力，同時(shí)為后繼課程的學(xué)習(xí)奠定基礎(chǔ)。 本課程的任務(wù)是從微觀上解釋發(fā)生在半導(dǎo)體中的宏觀物理現(xiàn)象，研究并揭示微觀機(jī)理；重點(diǎn)學(xué)習(xí)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)及

2、載流子的統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律，學(xué)習(xí)半導(dǎo)體中載流子的輸運(yùn)理論及相關(guān)規(guī)律；學(xué)習(xí)載流子在輸運(yùn)過(guò)程中所發(fā)生的宏觀物理現(xiàn)象；學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的基本結(jié)構(gòu)及其表面、界面問題。 （三）先修課程要求，與先修課與后續(xù)相關(guān)課程之間的邏輯關(guān)系和內(nèi)容銜接： 本課程的先修課程包括熱力學(xué)與統(tǒng)計(jì)物理學(xué)、量子力學(xué)和固體物理學(xué)，學(xué)生應(yīng)掌握這些先修課程中必要的知識(shí)。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)為后繼《半導(dǎo)體器件》、《晶體管原理》等課程的學(xué)習(xí)奠定基礎(chǔ)。 （四）教材與主要參考書： ［1］劉恩科，朱秉升，羅晉生. 半導(dǎo)體物理學(xué)（第7版）［M］. 北京：電子工業(yè)出版社. 2011. ［2］黃昆,謝希德. 半導(dǎo)體物理學(xué)［M］. 北京：科學(xué)出版社. 2

3、012. ［3］葉良修.半導(dǎo)體物理學(xué)（第2版）［M］. 上冊(cè). 北京：高等教育出版社. 2007. ［4］S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (2nd ed.), Wiley, New York, 2006. 二、課程內(nèi)容與安排 第一章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài) 第一節(jié) 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì) 第二節(jié) 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶 第三節(jié) 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量 第四節(jié) 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴 第五節(jié) 回旋共振 第六節(jié) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 第七節(jié) III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) 第八節(jié) II-VI族化合物半

4、導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) 第九節(jié) Si1-xGex合金的能帶 第十節(jié) 寬禁帶半導(dǎo)體材料 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約8-10學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第8-10節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章將先修課程《固體物理學(xué)》中所學(xué)的晶體結(jié)構(gòu)、單電子近似和能帶的知識(shí)應(yīng)用到半導(dǎo)體中，要求深入理解并重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)（導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶及其寬度）；掌握有效質(zhì)量、空穴的概念以及硅和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)；了解回旋共振實(shí)驗(yàn)的目的、意義和原理。 本章的重點(diǎn)包括單電子近似，半導(dǎo)體的導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶及其寬度，有效質(zhì)量，空穴，硅、砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)。難點(diǎn)為能帶論，硅、砷化鎵能帶結(jié)構(gòu)，有效

5、質(zhì)量。 第二章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí) 第一節(jié) 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí) 第二節(jié) III-V族化合物中的雜質(zhì)能級(jí) 第三節(jié) 氮化鎵、氮化鋁、氮化硅中的雜質(zhì)能級(jí) 第四節(jié) 缺陷、位錯(cuò)能級(jí) （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約3-4學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第3節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要介紹在常見半導(dǎo)體的禁帶中引入雜質(zhì)和缺陷能級(jí)的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)結(jié)果。要求學(xué)生根據(jù)所引入的雜質(zhì)能級(jí)情況，理解雜質(zhì)的性質(zhì)和作用，分清淺能級(jí)雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)；重點(diǎn)掌握施主雜質(zhì)和n型半導(dǎo)體、受主雜質(zhì)和p型半導(dǎo)體的概念；掌握雜質(zhì)電離、電離能、雜質(zhì)補(bǔ)償、雜質(zhì)濃度的概念，了解缺陷、位錯(cuò)能級(jí)的特點(diǎn)和作用

6、。 本章的重點(diǎn)包括施主雜質(zhì)和施主能級(jí)，受主雜質(zhì)和受主能級(jí)，淺能級(jí)雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)，n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償作用等。難點(diǎn)為雜質(zhì)能級(jí)，雜質(zhì)電離過(guò)程。 第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布 第一節(jié) 狀態(tài)密度 第二節(jié) 費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布 第三節(jié) 本征半導(dǎo)體的載流子濃度 第四節(jié) 雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度 第五節(jié) 一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布 第六節(jié) 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 第七節(jié) 電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的概率 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約8-10學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第7節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論半導(dǎo)體中載流子濃度隨溫度的變化規(guī)律，解決如何計(jì)算一

7、定溫度下半導(dǎo)體中熱平衡載流子濃度的問題。通過(guò)本章的學(xué)習(xí)，要求掌握狀態(tài)密度、費(fèi)米分布和玻爾茲曼分布、費(fèi)米能級(jí)、導(dǎo)帶和價(jià)帶有效狀態(tài)密度的概念；重點(diǎn)掌握應(yīng)用電中性條件和電中性方程，推導(dǎo)本征半導(dǎo)體的載流子濃度，計(jì)算在各種不同雜質(zhì)濃度和溫度下雜質(zhì)半導(dǎo)體的的費(fèi)米能級(jí)位置和載流子濃度；掌握非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的概念以及簡(jiǎn)并化條件。 本章重點(diǎn)包括波矢空間的量子態(tài)分布、半導(dǎo)體導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂附近的狀態(tài)密度計(jì)算，費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)及其物理意義，本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度的計(jì)算。難點(diǎn)為半導(dǎo)體導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂附近的狀態(tài)密度計(jì)算，費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布，雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度的計(jì)算。 第四章

8、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 第一節(jié) 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和遷移率 第二節(jié) 載流子的散射 第三節(jié) 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系 第四節(jié) 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系 第五節(jié) 玻耳茲曼方程、電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論 第六節(jié) 強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)、熱載流子 第七節(jié) 多能谷散射、耿氏效應(yīng) （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約7-8學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第5節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論載流子在外加電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)，討論半導(dǎo)體的遷移率、電導(dǎo)率隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律。要求重點(diǎn)掌握遷移率的概念；掌握電離雜質(zhì)散射、晶格振動(dòng)散射的機(jī)理、散射幾率與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；掌握遷移率、

9、電導(dǎo)率（電阻率）與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；了解強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)以及砷化鎵的負(fù)微分電導(dǎo)、耿氏效應(yīng)。 本章重點(diǎn)包括電導(dǎo)率、遷移率概念及相互關(guān)系，遷移率、電阻率隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律，強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)。難點(diǎn)為載流子的散射機(jī)構(gòu)，電導(dǎo)率與遷移率的關(guān)系，強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)。 第五章 非平衡載流子 第一節(jié) 非平衡載流子的注入與復(fù)合 第二節(jié) 非平衡載流子的壽命 第三節(jié) 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) 第四節(jié) 復(fù)合理論 第五節(jié) 陷阱效應(yīng) 第六節(jié) 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 第七節(jié) 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，愛因斯坦關(guān)系式 第八節(jié) 連續(xù)性方程式 第九節(jié) 硅的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長(zhǎng)度 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約10學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)

10、，第9節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律。通過(guò)學(xué)習(xí)，要求掌握非平衡載流子的產(chǎn)生、壽命、復(fù)合及其復(fù)合機(jī)構(gòu)，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，陷阱效應(yīng)，載流子的漂移和擴(kuò)散等概念；掌握非平衡載流子的復(fù)合理論；了解愛因斯坦關(guān)系；理解并靈活應(yīng)用電流密度方程和連續(xù)性方程。 本章重點(diǎn)包括非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合，非平衡載流子壽命，載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)，連續(xù)性方程運(yùn)用等。難點(diǎn)為復(fù)合理論，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程的應(yīng)用。 第六章 pn結(jié) 第一節(jié) pn結(jié)及其能帶圖 第二節(jié) pn結(jié)電流電壓特性 第三節(jié) pn結(jié)電容 第四節(jié) pn結(jié)擊穿 第五節(jié) pn結(jié)隧道效

11、應(yīng) （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約6-7學(xué)時(shí)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論pn結(jié)的性質(zhì)。通過(guò)學(xué)習(xí)要求掌握pn結(jié)的物理特性、能帶結(jié)構(gòu)以及接觸電勢(shì)差的計(jì)算；掌握I-V特性、結(jié)電容的推導(dǎo)；了解pn結(jié)的擊穿機(jī)制和隧道效應(yīng)。 本章重點(diǎn)包括空間電荷區(qū)，pn結(jié)接觸電勢(shì)差，載流子分布，I-V特性，結(jié)電容，擊穿機(jī)制，隧道效應(yīng)等。難點(diǎn)為I-V特性，結(jié)電容。 第七章 金屬和半導(dǎo)體的接觸 第一節(jié) 金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖 第二節(jié) 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 第三節(jié) 少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約3-4學(xué)時(shí)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要

12、討論金屬半導(dǎo)體接觸。通過(guò)本章學(xué)習(xí)，要求掌握理想和實(shí)際的金-半接觸的能帶圖；對(duì)其電流傳輸理論的幾種模型的建立、表達(dá)式的推導(dǎo)和應(yīng)用有所了解；掌握實(shí)現(xiàn)良好歐姆接觸和整流接觸的原理和方法。 本章的重點(diǎn)包括金屬和半導(dǎo)體接觸的能帶彎曲過(guò)程分析及簡(jiǎn)圖畫法。難點(diǎn)為金屬和半導(dǎo)體接觸的能帶彎曲過(guò)程分析，熱電子發(fā)射理論。 第八章 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu) 第一節(jié) 表面態(tài) 第二節(jié) 表面電場(chǎng)效應(yīng) 第三節(jié) MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性 第四節(jié) 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì) 第五節(jié) 表面電導(dǎo)及遷移率 第六節(jié) 表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約4學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第5、6節(jié)可不講授，學(xué)

13、生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論半導(dǎo)體的表面現(xiàn)象及其相關(guān)的理論，側(cè)重于實(shí)際的半導(dǎo)體表面。通過(guò)學(xué)習(xí)，要求學(xué)生了解表面狀態(tài)；掌握理想MIS結(jié)構(gòu)的表面電場(chǎng)效應(yīng)、電容電壓特性；學(xué)會(huì)對(duì)實(shí)際MIS結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的各種情況進(jìn)行分析；掌握如何用C-V法來(lái)研究半導(dǎo)體的表面狀況；了解Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)。 本章的重點(diǎn)包括半導(dǎo)體表面電場(chǎng)效應(yīng)，MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性。難點(diǎn)為Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)。 第九章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 第一節(jié) 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 第二節(jié) 半導(dǎo)體異質(zhì)pn結(jié)的電流電壓特性及注入特性 第三節(jié) 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性 第四節(jié) 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu) 第

14、五節(jié) GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 第六節(jié) 半導(dǎo)體超晶格 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約5-6學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第4-5節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)、異質(zhì)pn結(jié)的I-V特性與注入特性及各種半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)等。通過(guò)學(xué)習(xí)要求學(xué)生重點(diǎn)掌握各種理想異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu)及其畫法；了解異質(zhì)pn結(jié)的I-V特性和注入特性；了解異質(zhì)結(jié)幾種電流傳輸模型和重要應(yīng)用；了解異質(zhì)結(jié)的調(diào)制摻雜、高遷移率特性、二維電子氣、應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體量子阱和超晶格在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。 本章的重點(diǎn)是理想異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu)及其畫法，半導(dǎo)體量子阱和超

15、晶格結(jié)構(gòu)的特性及其在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。難點(diǎn)為異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法。 第十章 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象 第一節(jié) 半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù) 第二節(jié) 半導(dǎo)體的光吸收 第三節(jié) 半導(dǎo)體的光電導(dǎo) 第四節(jié) 半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng) 第五節(jié) 半導(dǎo)體發(fā)光 第六節(jié) 半導(dǎo)體激光 第七節(jié) 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)在光電子器件中的應(yīng)用 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約7-8學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第6、7節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論光和半導(dǎo)體相互作用的一般規(guī)律，重點(diǎn)討論光的吸收、光電導(dǎo)和發(fā)光等效應(yīng)。通過(guò)學(xué)習(xí)，要求學(xué)生重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體的光吸收和光電導(dǎo)特性；掌握光生伏特效

16、應(yīng)和太陽(yáng)電池、半導(dǎo)體發(fā)光和LED的機(jī)理及其應(yīng)用；了解各種光敏器件和半導(dǎo)體激光器等。 本章的重點(diǎn)包括半導(dǎo)體的光吸收及發(fā)光現(xiàn)象，半導(dǎo)體光電導(dǎo)，光生伏特效應(yīng)，半導(dǎo)體激光等。難點(diǎn)為光電導(dǎo)效應(yīng)，電致發(fā)光機(jī)構(gòu)。 第十一章 半導(dǎo)體的熱電性質(zhì) 第一節(jié) 熱電效應(yīng)的一般描述 第二節(jié) 半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)率 第三節(jié) 半導(dǎo)體的珀?duì)柼?yīng) 第四節(jié) 半導(dǎo)體的湯姆遜效應(yīng) 第五節(jié) 半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率 第六節(jié) 半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 限于學(xué)時(shí)，本章可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章主要討論由溫度梯度及電流同時(shí)存在時(shí)引起的現(xiàn)象，介紹產(chǎn)生這些現(xiàn)象的物理

17、機(jī)理。通過(guò)學(xué)習(xí)，要求了解半導(dǎo)體的熱電效應(yīng)的種類、應(yīng)用和物理機(jī)制；掌握半導(dǎo)體溫差電動(dòng)勢(shì)率的計(jì)算和影響因素。 本章的重點(diǎn)包括塞貝克效應(yīng)，珀?duì)柼?yīng)，湯姆遜效應(yīng)，開耳芬關(guān)系，溫差電動(dòng)勢(shì)率和熱導(dǎo)率。難點(diǎn)為溫差電動(dòng)勢(shì)率。 第十二章 半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng) 第一節(jié) 霍耳效應(yīng) 第二節(jié) 磁阻效應(yīng) 第三節(jié) 磁光效應(yīng) 第四節(jié) 量子化霍耳效應(yīng) 第五節(jié) 熱磁效應(yīng) 第六節(jié) 光磁電效應(yīng) 第七節(jié) 壓阻效應(yīng) （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 課堂講授，大約3學(xué)時(shí)。限于學(xué)時(shí)，第3-7節(jié)可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章扼要講述半導(dǎo)體在磁場(chǎng)中發(fā)生的各種效應(yīng)以及對(duì)半導(dǎo)體施加壓力時(shí)產(chǎn)生

18、的壓阻效應(yīng)。通過(guò)學(xué)習(xí)，要求掌握半導(dǎo)體霍耳效應(yīng)物理機(jī)制和應(yīng)用；了解磁阻效應(yīng)、磁光效應(yīng)、量子化霍耳效應(yīng)、熱磁效應(yīng)、光磁電效應(yīng)、壓阻效應(yīng)等。 本章重點(diǎn)包括霍耳效應(yīng)，磁阻效應(yīng)，熱磁效應(yīng)，光磁電效應(yīng)，壓阻效應(yīng)。難點(diǎn)為量子化霍耳效應(yīng)。 第十三章 非晶態(tài)半導(dǎo)體 第一節(jié) 非晶態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu) 第二節(jié) 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電子態(tài) 第三節(jié) 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的缺陷、隙態(tài)與摻雜效應(yīng) 第四節(jié) 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電學(xué)性質(zhì) 第五節(jié) 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的光學(xué)性質(zhì) 第六節(jié) a-Si:H的pn結(jié)與金-半接觸特性 （一）教學(xué)方法與學(xué)時(shí)分配 限于學(xué)時(shí)，本章可不講授，學(xué)生可自學(xué)。 （二）內(nèi)容及基本要求 本章

19、主要討論非晶態(tài)半導(dǎo)體的基本特性。通過(guò)學(xué)習(xí)要求了解非晶態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)的特征，理解遷移率邊、帶隙態(tài)與摻雜效應(yīng)的物理意義；掌握非晶態(tài)半導(dǎo)體光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)的特點(diǎn)以及應(yīng)用。 本章的重點(diǎn)包括非晶態(tài)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)，遷移率邊，帶隙態(tài)與摻雜效應(yīng)，非晶態(tài)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制和光電導(dǎo)，SW效應(yīng)等。難點(diǎn)為非晶態(tài)半導(dǎo)體的遷移率邊，帶隙態(tài)與摻雜效應(yīng)。 制定人：賀德衍 審定人： 批準(zhǔn)人： 日 期： 7