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1、第二十七講 功率放大電路power amplification circuit第二十七講 功率放大電路一、概述二、互補(bǔ)輸出級的分析計算一、概述1.功率放大電路研究的問題功率放大電路研究的問題 （1）性能指標(biāo)：輸出功率和效率。性能指標(biāo)：輸出功率和效率。若已知若已知Uom，則可得則可得Pom。L2omomRUP 最大輸出功率與電源損耗的平均功率之比為效率。最大輸出功率與電源損耗的平均功率之比為效率。（2）分析方法：因大信號作用，故應(yīng)采用圖解法。分析方法：因大信號作用，故應(yīng)采用圖解法。（3）晶體管的選用：根據(jù)極限參數(shù)選擇晶體管。晶體管的選用：根據(jù)極限參數(shù)選擇晶體管。在功放中，晶體管通過的最大集電極或
2、射極電流接近在功放中，晶體管通過的最大集電極或射極電流接近最大集電極電流，承受的最大管壓降接近最大集電極電流，承受的最大管壓降接近c(diǎn)-e反向擊穿電反向擊穿電壓，消耗的最大功率接近集電極最大耗散功率。稱為工壓，消耗的最大功率接近集電極最大耗散功率。稱為工作在盡限狀態(tài)。作在盡限狀態(tài)。非線性失真2.對功率放大電路的要求對功率放大電路的要求（1）在電源電壓一定的情況下，最大不失真輸出電壓最）在電源電壓一定的情況下，最大不失真輸出電壓最大，即輸出功率盡可能大。大，即輸出功率盡可能大。（2）效率盡可能高，因而電路損耗的直流功率盡可能小，）效率盡可能高，因而電路損耗的直流功率盡可能小，靜態(tài)時功放管的集電極電
3、流近似為靜態(tài)時功放管的集電極電流近似為0。Class AClass BClass AB3 3、晶體管的工作方式、晶體管的工作方式（1）甲類方式：晶體管在信號的整個周期內(nèi)均處于導(dǎo)通狀態(tài)）甲類方式：晶體管在信號的整個周期內(nèi)均處于導(dǎo)通狀態(tài)（2）乙類方式：晶體管僅在信號的半個周期處于導(dǎo)通狀態(tài)）乙類方式：晶體管僅在信號的半個周期處于導(dǎo)通狀態(tài)（3）甲乙類方式：晶體管在信號的多半個周期處于導(dǎo)通狀態(tài)）甲乙類方式：晶體管在信號的多半個周期處于導(dǎo)通狀態(tài)Transfer characteristic of the emitter follower（1 1）變壓器耦合功率放大電路）變壓器耦合功率放大電路 單管甲類電路
4、單管甲類電路 輸入信號增大，輸出功率如何變化？輸入信號增大，輸出功率如何變化？輸入信號增大，管子的平均電流如何變化？輸入信號增大，管子的平均電流如何變化？輸入信號增大，電源提供的功率如何變化？效率如何變化？輸入信號增大，電源提供的功率如何變化？效率如何變化？4.功率放大電路的種類功率放大電路的種類適合做功放嗎？適合做功放嗎？乙類推挽電路乙類推挽電路 信號的正半周信號的正半周T1導(dǎo)通、導(dǎo)通、T2截止；負(fù)半周截止；負(fù)半周T2導(dǎo)通、導(dǎo)通、T1截止。截止。兩只管子交替工作，稱為兩只管子交替工作，稱為“推挽推挽”。設(shè)。設(shè) 為常量，則負(fù)載為常量，則負(fù)載上可獲得正弦波。輸入信號越大，電源提供的功率也越大。上
5、可獲得正弦波。輸入信號越大，電源提供的功率也越大。2CESCComUVUiBBEu0Push-Pull Follower（2）OTL電路電路 2CCEBIVUUu靜態(tài)時，輸入電壓的正半周：輸入電壓的正半周：VCCT1CRL地地 C 充電。充電。輸入電壓的負(fù)半周：輸入電壓的負(fù)半周：C 的的“”T2地地RL C“”C 放電。放電。C 足夠大，才能認(rèn)為其對交流信號相當(dāng)于短路。足夠大，才能認(rèn)為其對交流信號相當(dāng)于短路。跟隨跟隨OTL電路低頻特性差。電路低頻特性差。2)2(CESCComUVU因變壓器耦合功放笨重、自身損耗大，故選用因變壓器耦合功放笨重、自身損耗大，故選用OTL電路電路。OTL,(Outp
6、ut Transformer Less)power amplifierscrossover distortion（3）OCL電路電路輸入電壓的正半周：輸入電壓的正半周：VCCT1RL地地輸入電壓的負(fù)半周：輸入電壓的負(fù)半周：地地RL T2 VCC兩只管子交替導(dǎo)通，兩路電源交替供電，雙向跟隨。兩只管子交替導(dǎo)通，兩路電源交替供電，雙向跟隨。低頻特性好。低頻特性好。兩路電源兩路電源2CESCComUVU靜態(tài)時，靜態(tài)時，UEQ UBQ0。OCL,(Output Capacitor Less)power amplifiers（4）BTL電路電路 輸入電壓的正半周：輸入電壓的正半周：VCC T1 RL T4
7、地地輸入電壓的負(fù)半周：輸入電壓的負(fù)半周：VCC T2 RL T3地地22CESCComUVU是雙端輸入、雙端輸是雙端輸入、雙端輸出形式，輸入信號、負(fù)出形式，輸入信號、負(fù)載電阻均無接地點(diǎn)。載電阻均無接地點(diǎn)。管子多，損耗大，使管子多，損耗大，使效率低。效率低。幾種電路的比較 單電源供電，單電源供電，笨重，效率笨重，效率低，低頻特性差低，低頻特性差。大功率。大功率單電源供電單電源供電，大電容，低頻大電容，低頻特性差。特性差。雙電源供電，雙電源供電，效率高，低頻特性好。效率高，低頻特性好。單電源供電，單電源供電，低頻特性好；雙端輸入低頻特性好；雙端輸入雙端輸出雙端輸出。損耗大，負(fù)載不接地。損耗大，負(fù)載
8、不接地 Transfer characteristic for the class B output stage二、互補(bǔ)輸出級的分析估算求解輸出功率和效率的方法求解輸出功率和效率的方法:然后求出電源的平均功率，然后求出電源的平均功率，CCC(AV)VVIP效率效率VomPP1.輸出功率輸出功率2CESCComUVUL2CESCCom2)(RUVPL2omomRUP在已知在已知RL的情況下，先求出的情況下，先求出Uom，則則CESU2.效率效率LCESCCCCCC 0 LCESCCV)(2 )d(sin1RUVVtVtRUVPL2CESCCom2)(RUVPCCCESCC4 VUVPower d
9、issipation versus amplitude of the outputIllustrating how the dead band in the class B transfer characteristic results in crossover distortionTransfer characteristic of the class AB stage3.晶體管的極限參數(shù)晶體管的極限參數(shù)CMLCCmaxCIRViCEO(BR)CCmaxCE2UVuttRUtUVP d sin)sin(21LOM 0 OMCCTPT對對UOM求導(dǎo)，并令其為求導(dǎo)，并令其為0，可得，可得CCCC
10、OM 6.02VVU 在輸出功率最大時，因管壓降最小，在輸出功率最大時，因管壓降最小，故管子損耗不大；輸出功率最小時，因故管子損耗不大；輸出功率最小時，因集電極電流最小，故管子損耗也不大。集電極電流最小，故管子損耗也不大。管子功耗與輸出電壓峰值的關(guān)系為管子功耗與輸出電壓峰值的關(guān)系為L22CCTmax RVPomom2TmaxL2CComCES2.0220PPPRVPU，則若因此，選擇晶體管時，其極限參數(shù)因此，選擇晶體管時，其極限參數(shù)L2CCmaxTCMCCmaxCECEO(BR)LCCmaxCCM22.02RVPPVuURViI將將UOM代入代入PT的表達(dá)式，可得的表達(dá)式，可得散熱條件散熱條件
11、1.指出圖中放大電路部分；指出圖中放大電路部分；2.說明電路中是否引入了級間反饋，是直流反饋還是交流反饋，說明電路中是否引入了級間反饋，是直流反饋還是交流反饋，若若為交流負(fù)為交流負(fù)反饋則說明其反饋組態(tài)；反饋則說明其反饋組態(tài)；3.最大輸出功率和效率的表達(dá)式；最大輸出功率和效率的表達(dá)式；4.說明如何估算在輸出最大功率時輸入電壓的有效值；說明如何估算在輸出最大功率時輸入電壓的有效值；5.說明說明D1D3和和RW的作用，的作用，C1C4的作用；的作用；6.說明哪些元件構(gòu)成過流保護(hù)電路及其原理。說明哪些元件構(gòu)成過流保護(hù)電路及其原理。討論一討論二：圖示各電路屬于哪種功放？圖示各電路屬于哪種功放？討論三：出現(xiàn)下列故障時，將產(chǎn)生什么現(xiàn)象出現(xiàn)下列故障時，將產(chǎn)生什么現(xiàn)象?1.R2短路；短路；2.R2斷路；斷路；3.D1短路；短路；4.D1斷路；斷路；5.T1集電極開路。集電極開路。T2、T5的極限參數(shù)：的極限參數(shù)：PCM1.5W，ICM600mA，UBR（CEO）40V。
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)：第27講 功率放大電路 (2)
