電力電子器件

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1、會計學(xué)1電力電子器件電力電子器件 1 1 1 1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管（晶閘管（ThyristorThyristor）硅晶體閘流管硅晶體閘流管硅晶體閘流管硅晶體閘流管的簡稱的簡稱 又稱：可控硅整流器又稱：可控硅整流器SCRSCRSCRSCR，簡稱，簡稱可控硅可控硅可控硅可控硅。晶閘管派生器件：快速晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘晶閘管派生器件：快速晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘 管、光控晶閘管等。管、光控晶閘管等。1956年美國貝爾實驗室發(fā)明了晶閘管。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品。1958年商業(yè)化。能承受大

2、電壓和電流，工作可靠，在大容量的場合具有重要地位。第1頁/共29頁1.1 1.1 1.1 1.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管的結(jié)構(gòu)外形有外形有螺栓型螺栓型和和平板型平板型兩種封裝。兩種封裝。有三個電極：有三個電極：A A、K K、G G 螺栓型封裝，通常螺栓是其陽極，能與散熱器緊密聯(lián)接且安裝方便。螺栓型封裝，通常螺栓是其陽極，能與散熱器緊密聯(lián)接且安裝方便。平板型晶閘管可由兩個散熱器將其夾在中間平板型晶閘管可由兩個散熱器將其夾在中間。第2頁/共29頁晶閘管等效電路（a）（b）第3頁/共29頁常用晶閘管的結(jié)構(gòu)常用晶閘管的結(jié)構(gòu)螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu)第4頁/共29

3、頁解釋解釋當(dāng)當(dāng)SCR的陽極和陰極電壓的陽極和陰極電壓UAK0時，只有時，只有EGk0，SCR才能導(dǎo)通（燈亮）。說明才能導(dǎo)通（燈亮）。說明SCR具有單向可控具有單向可控導(dǎo)電性；導(dǎo)電性；SCR導(dǎo)通后，去掉導(dǎo)通后，去掉EGK,SCR仍然導(dǎo)通。說明仍然導(dǎo)通。說明SCR一旦導(dǎo)通，門極一旦導(dǎo)通，門極G將失去將失去控制作用。控制作用。SCR導(dǎo)通后的管壓降為導(dǎo)通后的管壓降為1V左右，左右，主電路中的電流主電路中的電流I由由R和和EA的的大小決定；大小決定；SCR導(dǎo)通后，若導(dǎo)通后，若UAK0，SCR關(guān)斷。（若使關(guān)斷。（若使R增大或增大或EA降低，導(dǎo)致降低，導(dǎo)致I逐漸逐漸降低至某一個小數(shù)值時，則降低至某一個小數(shù)值

4、時，則SCR同樣會關(guān)斷。該小電流稱為同樣會關(guān)斷。該小電流稱為SCR的維持的維持電流。）電流。）1.2 晶閘管的單向可控導(dǎo)電性晶閘管的單向可控導(dǎo)電性第5頁/共29頁承承承承受受受受反反反反向向向向電電電電壓壓壓壓時時時時，不不不不論論論論門門門門極極極極是是是是否否否否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。承承承承受受受受正正正正向向向向電電電電壓壓壓壓時時時時，僅僅僅僅在在在在門門門門極極極極有有有有觸觸觸觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。發(fā)電流的情況下晶

5、閘管才能開通。晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管一一一一旦旦旦旦導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)通通通通，門門門門極極極極就就就就失失失失去去去去控控控控制作用。制作用。制作用。制作用。要要要要使使使使晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管關(guān)關(guān)關(guān)關(guān)斷斷斷斷，只只只只能能能能使使使使晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管的的的的電電電電流流流流降降降降到到到到接接接接近近近近于于于于零零零零的的的的某某某某一一一一數(shù)數(shù)數(shù)數(shù)值值值值以下以下以下以下 。晶閘管的特性總結(jié)如下：晶閘管的特性總結(jié)如下：結(jié)論結(jié)論：SCR導(dǎo)通條件：導(dǎo)通條件：UAK0 同時同時 UGK0由導(dǎo)通由導(dǎo)通關(guān)斷的條件關(guān)斷的條件：使流過：使流過SCR的電流降低至維持電流以下。的電流降低至維持電流以

6、下。如去掉陽極電壓如去掉陽極電壓UAK、加反向電壓。、加反向電壓。第6頁/共29頁式中式中式中式中 1 1 1 1和和和和 2 2 2 2分別是晶體管分別是晶體管分別是晶體管分別是晶體管V V V V1 1 1 1和和和和V V V V2 2 2 2的的的的共基極電流增益；共基極電流增益；共基極電流增益；共基極電流增益；I I I ICBO1CBO1CBO1CBO1和和和和I I I ICBO2CBO2CBO2CBO2分別分別分別分別是是是是V V V V1 1 1 1和和和和V V V V2 2 2 2的共基極漏電流。由以上的共基極漏電流。由以上的共基極漏電流。由以上的共基極漏電流。由以上式

7、可得式可得式可得式可得 ：圖1-7 晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理a)雙晶體管模型 b)工作原理1.3 晶閘管的工作原理晶閘管的工作原理（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）（1-5）第7頁/共29頁正正正正向向向向阻阻阻阻斷斷斷斷：開開開開 關(guān)關(guān)關(guān)關(guān) S S S S斷斷斷斷 開開開開，I I I IG G G G=0=0=0=0，1 1 1 1+2 2 2 2很很很很小小小小。流流流流過過過過晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管的的的的漏漏漏漏電電電電流流流流稍稍稍稍大于兩個晶體管漏電流之和。大于兩個晶體管漏電流之和。大于兩個晶體管漏電流之和。大于兩個晶體管漏電流之和。觸觸觸觸發(fā)發(fā)發(fā)發(fā)導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)通通通

8、通：開開開開關(guān)關(guān)關(guān)關(guān)S S S S閉閉閉閉合合合合，注注注注入入入入觸觸觸觸發(fā)發(fā)發(fā)發(fā)電電電電流流流流I I I IG G G G。管管管管子子子子內(nèi)內(nèi)內(nèi)內(nèi)部部部部形形形形成成成成電電電電流流流流正正正正反反反反饋饋饋饋，V1V1V1V1、V2V2V2V2飽飽飽飽和和和和，1 1 1 1+2 2 2 2趨趨趨趨近近近近于于于于1 1 1 1，流流流流過過過過晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管的的的的電電電電流流流流I I I IA A A A急急急急劇劇劇劇增增增增大大大大，晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)通。通。通。通。I I I IA A A A實際由外電路決定。實際由外電路決定。實際由外電路決定。實

9、際由外電路決定。IGIb2Ic2(=2Ib2)Ib1Ic1(=1Ib1)第8頁/共29頁陽陽陽陽極極極極電電電電壓壓壓壓升升升升高高高高至至至至相相相相當(dāng)當(dāng)當(dāng)當(dāng)高高高高的的的的數(shù)數(shù)數(shù)數(shù)值值值值造造造造成成成成雪雪雪雪崩崩崩崩效效效效應(yīng)應(yīng)應(yīng)應(yīng)（硬硬硬硬開開開開通通通通）陽極電壓上升率陽極電壓上升率陽極電壓上升率陽極電壓上升率d d d du u u u/d/d/d/dt t t t過高過高過高過高結(jié)溫較高結(jié)溫較高結(jié)溫較高結(jié)溫較高光觸發(fā)光觸發(fā)光觸發(fā)光觸發(fā)光光光光觸觸觸觸發(fā)發(fā)發(fā)發(fā)原原原原理理理理制制制制成成成成光光光光控控控控晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管，可可可可以以以以應(yīng)應(yīng)應(yīng)應(yīng)用用用用于于于于高高高高

10、壓壓壓壓電電電電力力力力設(shè)設(shè)設(shè)設(shè)備備備備中中中中，保保保保證證證證控控控控制制制制電電電電路路路路與與與與主主主主電電電電路路路路之之之之間間間間的的的的良良良良好好好好絕絕絕絕緣。緣。緣。緣。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。其他幾種可能導(dǎo)通的情況其他幾種可能導(dǎo)通的情況：第9頁/共29頁2 2 晶閘管的特性晶閘管的特性 陽極伏安特性陽極伏安特性（1 1）正向特性）正向特性I IG G=0=0時，器件兩端時，器件兩端施加正向電壓，只施加正向電壓，只有很小的正向

11、漏電有很小的正向漏電流，為正向阻斷狀流，為正向阻斷狀態(tài)。態(tài)。正向電壓超過正向正向電壓超過正向轉(zhuǎn)折電壓轉(zhuǎn)折電壓U Ubobo，則，則漏電流急劇增大，漏電流急劇增大，器件開通。器件開通。隨隨著著門門極極電電流流幅幅值值的的增增大大，正正向向轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)折折電壓降低。電壓降低。晶晶閘閘管管本本身身的的壓壓降降很小，在很小，在1V1V左右。左右。導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)導(dǎo)通通通通期期期期間間間間，若若若若門門門門極極極極電電電電流流流流為為為為零零零零，且且且且陽陽陽陽極極極極電電電電流流流流降降降降至至至至某某某某一一一一數(shù)數(shù)數(shù)數(shù)值值值值I I I IH H H H以以以以下下下下，則則則則晶晶晶晶閘閘閘閘管管管管又又又又回

12、回回回到正向阻斷狀態(tài)。到正向阻斷狀態(tài)。到正向阻斷狀態(tài)。到正向阻斷狀態(tài)。I I I IH H H H稱為維持電流稱為維持電流稱為維持電流稱為維持電流。正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM2.1 2.1 靜態(tài)特性靜態(tài)特性圖1-8 晶閘管的伏安特性IG2IG1IG第10頁/共29頁反反向向特特性性類類似似二二極極管管的的反反向向特性。特性。反反向向阻阻斷斷狀狀態(tài)態(tài)時時，只只有有極極小小的反向漏電流流過。的反向漏電流流過。當(dāng)當(dāng)反反向向電電壓壓達達到到反反向向擊擊穿穿電電壓壓后后，可可能能導(dǎo)導(dǎo)致致晶晶閘閘管管發(fā)發(fā)熱熱損壞。損壞。圖1-8

13、晶閘管的伏安特性IG2IG1IG正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM（2）反向特性反向特性第11頁/共29頁 工作頻率低時，不需要考慮動態(tài)特性；工作頻率高時必須考慮動態(tài)特性。（1）開通過程開通過程延遲時間延遲時間td：門極電流階躍：門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的升到穩(wěn)態(tài)值的10%的時間的時間上升時間上升時間tr：陽極電流從：陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時間所需的時間開通時間開通時間ton以上兩者之和，以上兩者之和，ton=td+tr普通晶閘管延遲時間為普通晶閘管延

14、遲時間為0.51.5 s，上升時間為，上升時間為0.53 s2.2 晶閘管的動態(tài)特性晶閘管的動態(tài)特性影響因素：影響因素：陽極電壓大小、陽極電壓大小、門極電流大小、門極電流大小、主回路電感大小主回路電感大小等等第12頁/共29頁（1）開通開通過程程延延遲時間td(0.51.5 s)上升上升時間tr (0.53 s)開開通通時間ton以以上上兩兩者者之之和和，ton=td+tr100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA反向阻斷恢復(fù)時間反向阻斷恢復(fù)時間trr正向阻斷恢復(fù)時間正向阻斷恢復(fù)時間tgr關(guān)關(guān)斷斷時時間間toff以以上上兩兩者者之之和和toff=trr+tgr 普

15、普通通晶晶閘閘管管的的關(guān)關(guān)斷斷時時間間約約幾幾百微秒百微秒晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形（2）關(guān)斷過程關(guān)斷過程2.2 晶閘管的動態(tài)特性晶閘管的動態(tài)特性第13頁/共29頁反向阻斷恢復(fù)時間反向阻斷恢復(fù)時間t trrrr：正向電流：正向電流降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時間近于零的時間（2 2）關(guān)斷過程）關(guān)斷過程正向阻斷恢復(fù)時間正向阻斷恢復(fù)時間t tgrgr：晶閘管要：晶閘管要恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力還恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力還需要一段時間需要一段時間第14頁/共29頁 在正向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向在正

16、向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)▽?dǎo)通 實實際際應(yīng)應(yīng)用用中中，應(yīng)應(yīng)對對晶晶閘閘管管施施加加足足夠夠長長時時間間的的反反向向電電壓壓，使使晶晶閘閘管管充充分分恢恢復(fù)復(fù)其其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作關(guān)斷關(guān)斷時間toff：trr與與tgr之和，即之和，即toff=trr+tgr （1-6）普通晶管的關(guān)斷普通晶管的關(guān)斷時間約幾百微秒。幾百微秒。第15頁/共29頁動態(tài)損耗動態(tài)損耗這兩部分屬于這兩部分屬于靜態(tài)損耗靜態(tài)損耗導(dǎo)通時器件上有一定導(dǎo)通時器件上有一定的通態(tài)壓降，形成的通態(tài)壓降，形成通態(tài)損耗通態(tài)損耗阻斷時器件上有微小阻斷

17、時器件上有微小小斷態(tài)漏電流流過，小斷態(tài)漏電流流過，形成形成斷態(tài)損耗斷態(tài)損耗第16頁/共29頁在在器器件件開開通通或或關(guān)關(guān)斷斷的的轉(zhuǎn)換過程程中中產(chǎn)生生開開通通損耗耗和和關(guān)斷關(guān)斷損耗耗，是，是動態(tài)損耗耗還有有擴展展損耗耗和和過渡渡損耗耗，也也是是動態(tài)損耗耗開通損耗開通損耗關(guān)斷損耗關(guān)斷損耗第17頁/共29頁對對某某些些器器件件來來講講，驅(qū)驅(qū)動動電電路路向向其其注注入入的的功功率率也也是是造造成成器器件件發(fā)發(fā)熱的原因之一熱的原因之一通通常常電電力力電電子子器器件件的的斷斷態(tài)態(tài)漏漏電電流流極極小小，因因而而通通態(tài)態(tài)損損耗耗是是器器件件功率損耗的主要成因功率損耗的主要成因器器件件開開關(guān)關(guān)頻頻率率較較高高時

18、時，開開關(guān)關(guān)損損耗耗會會隨隨之之增增大大而而可可能能成成為為器器件件功率損耗的主要因素功率損耗的主要因素第18頁/共29頁一、電壓定額一、電壓定額1)1)斷斷態(tài)態(tài)重重復(fù)復(fù)峰峰值值電電壓壓U UDRMDRM在在門門極極斷斷開開而而結(jié)結(jié)溫溫為為額額定定值值時時，允允許許重重復(fù)復(fù)加加在在器器件件上上的的正正向向峰峰值值電壓。電壓。2)2)反反向向重重復(fù)復(fù)峰峰值值電電壓壓U URRMRRM 在在門門極極斷斷開開而而結(jié)結(jié)溫溫為為額額定定值值時時，允允許許重重復(fù)復(fù)加加在在器器件件上上的的反反向向峰峰值值電壓。電壓。通通常常取取晶晶閘閘管管的的U UDRMDRM和和U URRMRRM中較小者，再取相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)

19、電壓等級中較小中較小者，再取相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)電壓等級中較小值作為該器件的額定電壓。值作為該器件的額定電壓。選用時，額定電壓要留有一定裕量選用時，額定電壓要留有一定裕量,一般取額定電壓為正常工作時晶一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓閘管所承受峰值電壓2323倍倍3 3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)第19頁/共29頁3)3)通通態(tài)態(tài)（峰峰值值）電電壓壓U UTMTM晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓。晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓。4 4）通態(tài)平均電壓（管壓降）通態(tài)平均電壓（管壓降）UTUT（AVAV）晶閘管流過正弦半波的額定電流平均值和穩(wěn)

20、定的額定結(jié)溫時，兩端電壓降的平均值。第20頁/共29頁1)1)通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流 I IT(AV)T(AV)晶晶閘閘管管在在環(huán)環(huán)境境溫溫度度為為4040 C C和和規(guī)規(guī)定定的的冷冷卻卻狀狀態(tài)態(tài)下下，穩(wěn)穩(wěn)定定結(jié)結(jié)溫溫不不超超過額定結(jié)溫時所允許流過的過額定結(jié)溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值最大工頻正弦半波電流的平均值。將將此此電電流流按按晶晶閘閘管管標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)電電流流系系列列取取相相應(yīng)應(yīng)的的電電流流等等級級，稱稱為為額額定定電電流。流。二、電流定額二、電流定額整流輸出關(guān)心平均值，因此額定電流按平均值標(biāo)定整流輸出關(guān)心平均值，因此額定電流按平均值標(biāo)定電流波形不同時，需要根據(jù)電流波形不同

21、時，需要根據(jù)有效值相等的原則有效值相等的原則換算到額定波形情況下，換算到額定波形情況下，計算通態(tài)平均電流，選取晶閘管。計算通態(tài)平均電流，選取晶閘管。第21頁/共29頁波形系數(shù)：波形系數(shù)：有效值有效值平均值平均值有效值：有效值：平均值：平均值：波形系數(shù)：波形系數(shù)：額定情況的波形系數(shù)：額定情況的波形系數(shù)：第22頁/共29頁換算方法：換算方法：通過晶閘管的電流的有效值晶閘管選取方法：晶閘管選取方法：電路中可能出現(xiàn)的最大電流有效值第23頁/共29頁第24頁/共29頁5)5)浪涌電流浪涌電流I ITSMTSM 指指由由于于電電路路異異常常情情況況引引起起的的使使結(jié)結(jié)溫溫超超過過額額定定結(jié)結(jié)溫溫的的不不重

22、重復(fù)復(fù)性性最最大大正向過載電流正向過載電流2)2)維持電流維持電流 I IH H 使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小陽極電流使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小陽極電流一般為幾十到幾百毫安，與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則一般為幾十到幾百毫安，與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I IH H越小越小3)3)擎住電流擎住電流 I IL L 晶晶 閘閘 管管 剛剛 從從 斷斷 態(tài)態(tài) 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 入入 通通 態(tài)態(tài) 并并 移移 除除 觸觸 發(fā)發(fā) 信信 號號 后后，能維持導(dǎo)通所需的最小陽極電流能維持導(dǎo)通所需的最小陽極電流 對同一晶閘管來說，通常對同一晶閘管來說，通常I IL L約為約為I IH H的的2424倍倍4)4)斷態(tài)重復(fù)峰值電流斷態(tài)重

23、復(fù)峰值電流I IDRMDRM和反向重復(fù)峰值電流和反向重復(fù)峰值電流I IRRMRRM 與斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓對應(yīng)第25頁/共29頁三、門極觸發(fā)電流IGT和門極觸發(fā)電壓UGT IGT是室溫下，給晶閘管加6V正向陽極電壓時，使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必須的最小門極電流。UGT為產(chǎn)生IGT所需的最小門極電壓四、動態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù) 除開通時間t tonon和關(guān)斷時間t toffoff外，還有：1 1 1 1。斷態(tài)電壓臨界上升率。斷態(tài)電壓臨界上升率。斷態(tài)電壓臨界上升率。斷態(tài)電壓臨界上升率d d d du u u u/d/d/d/dt t t t 指在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)

24、到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。第26頁/共29頁 電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導(dǎo)通。2 2 2 2。通態(tài)電流臨界上升率。通態(tài)電流臨界上升率。通態(tài)電流臨界上升率。通態(tài)電流臨界上升率d d d di i i i/d/d/d/dt t t t 指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。如果電流上升太快，可能造成局部過熱而使晶閘管損壞。第27頁/共29頁1.晶閘管的導(dǎo)通條件：晶閘管的導(dǎo)通條件：(1)陽極與陰極之間加上正向電壓；陽極與陰極之間加上正向電壓；(2)門極與陰極之間加上適當(dāng)?shù)恼螂妷?。門極與陰極之間加上適當(dāng)?shù)恼螂妷?。晶閘管一旦導(dǎo)通，門極即失去控制作用，故晶閘管為半控型器件。晶閘管一旦導(dǎo)通，門極即失去控制作用，故晶閘管為半控型器件。2.晶閘管關(guān)斷的條件：晶閘管關(guān)斷的條件：使流過晶閘管的陽極電流小于晶閘管規(guī)定的維持電流。使流過晶閘管的陽極電流小于晶閘管規(guī)定的維持電流。關(guān)斷實現(xiàn)的方式：關(guān)斷實現(xiàn)的方式：減小陽極電壓減小陽極電壓 增大負載電阻增大負載電阻 加反向陽極電壓加反向陽極電壓第28頁/共29頁