MEMS加速度傳感器

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1、LOGO傳感器技術(shù)傳感器技術(shù) 加速度傳感器加速度傳感器MEMSLOGO目錄簡(jiǎn)述加速度傳感器簡(jiǎn)述加速度傳感器1電阻式加速度傳感器電阻式加速度傳感器2電容式加速度傳感器電容式加速度傳感器3其他類型加速度傳感器其他類型加速度傳感器4Group 3LOGO篇前語vMEMS是什么？加速度傳感器與是什么？加速度傳感器與MEMS什么關(guān)什么關(guān)系？系？ 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng) 微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)。Group 3

2、LOGO概述加速度傳感器加速度傳感器加速度傳感器中的分類加速度傳感器中的分類加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速力的電子設(shè)備。加速力就是加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速力的電子設(shè)備。加速力就是當(dāng)物體在加速過程中作用在物體上的力，就好比地球引力，也當(dāng)物體在加速過程中作用在物體上的力，就好比地球引力，也就是重力。加速力可以是個(gè)常量，比如就是重力。加速力可以是個(gè)常量，比如g，也可以是變量。加，也可以是變量。加速度計(jì)有兩種：一種是角加速度計(jì)，是由陀螺儀（角速度傳速度計(jì)有兩種：一種是角加速度計(jì)，是由陀螺儀（角速度傳感器）的改進(jìn)的。另一種就是線加速度計(jì)。感器）的改進(jìn)的。另一種就是線加速度計(jì)。加速度傳感器的原理隨其

3、應(yīng)用而不同，有壓阻式，電容式，壓加速度傳感器的原理隨其應(yīng)用而不同，有壓阻式，電容式，壓電式，諧振式、伺服式等。電式，諧振式、伺服式等。Group 3LOGO壓阻式加速度傳感器壓阻式壓阻式器件是最早微型化和商業(yè)化的一類加速度傳感器?；谑澜珙I(lǐng)先的壓阻式壓阻式器件是最早微型化和商業(yè)化的一類加速度傳感器?；谑澜珙I(lǐng)先的MEMS硅微加工技術(shù)，壓阻式加速度傳感器具有體積小、低功耗等特點(diǎn)，易于集硅微加工技術(shù)，壓阻式加速度傳感器具有體積小、低功耗等特點(diǎn)，易于集成在各種模擬和數(shù)字電路中，廣泛應(yīng)用于汽車碰撞實(shí)驗(yàn)、測(cè)試儀器、設(shè)備振動(dòng)監(jiān)成在各種模擬和數(shù)字電路中，廣泛應(yīng)用于汽車碰撞實(shí)驗(yàn)、測(cè)試儀器、設(shè)備振動(dòng)監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。

4、測(cè)等領(lǐng)域。Group 3LOGO壓阻式加速度傳感器作用機(jī)理作用機(jī)理特點(diǎn)特點(diǎn)壓阻式加速度傳感器的懸臂梁上制作有壓敏電阻，當(dāng)慣性質(zhì)量壓阻式加速度傳感器的懸臂梁上制作有壓敏電阻，當(dāng)慣性質(zhì)量塊發(fā)生位移時(shí)，會(huì)引起懸臂梁的伸長(zhǎng)或壓縮，改變梁上的應(yīng)力塊發(fā)生位移時(shí)，會(huì)引起懸臂梁的伸長(zhǎng)或壓縮，改變梁上的應(yīng)力分布，進(jìn)而影響壓敏電阻的阻值分布，進(jìn)而影響壓敏電阻的阻值.壓阻電阻多位于應(yīng)力變化最明壓阻電阻多位于應(yīng)力變化最明顯的部位。這樣，通過兩個(gè)或四個(gè)壓敏電阻形成的電橋就可實(shí)顯的部位。這樣，通過兩個(gè)或四個(gè)壓敏電阻形成的電橋就可實(shí)現(xiàn)加速度的測(cè)量?，F(xiàn)加速度的測(cè)量。壓阻式加速度傳感器低頻信號(hào)好、可測(cè)量直流信號(hào)、輸入阻抗壓阻式

5、加速度傳感器低頻信號(hào)好、可測(cè)量直流信號(hào)、輸入阻抗低、且工作溫度范圍寬，同時(shí)它的后處理電路簡(jiǎn)單、體積小、低、且工作溫度范圍寬，同時(shí)它的后處理電路簡(jiǎn)單、體積小、質(zhì)量輕。質(zhì)量輕。Group 3LOGO壓阻式加速度傳感器MEMS壓阻式加速度傳感器的敏感元件由彈性梁、質(zhì)量塊、固定框組成。壓阻式加速度傳感器的敏感元件由彈性梁、質(zhì)量塊、固定框組成。壓阻式加速度傳感器實(shí)質(zhì)上是一個(gè)力傳感器，他是利用用測(cè)量固定質(zhì)量塊壓阻式加速度傳感器實(shí)質(zhì)上是一個(gè)力傳感器，他是利用用測(cè)量固定質(zhì)量塊在受到加速度作用時(shí)產(chǎn)生的力在受到加速度作用時(shí)產(chǎn)生的力F來測(cè)得加速度來測(cè)得加速度a的。在目前研究尺度內(nèi)，可的。在目前研究尺度內(nèi)，可以認(rèn)為其

6、基本原理仍遵從牛頓第二定律。也就是說當(dāng)有加速度以認(rèn)為其基本原理仍遵從牛頓第二定律。也就是說當(dāng)有加速度a作用于傳感作用于傳感器時(shí)，傳感器的慣性質(zhì)量塊便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)慣性力器時(shí)，傳感器的慣性質(zhì)量塊便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)慣性力:F=ma,此慣性力此慣性力F作用于作用于傳感器的彈性梁上，便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)正比于傳感器的彈性梁上，便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)正比于F的應(yīng)變。，此時(shí)彈性梁上的壓敏的應(yīng)變。，此時(shí)彈性梁上的壓敏電阻也會(huì)隨之產(chǎn)生一個(gè)變化量電阻也會(huì)隨之產(chǎn)生一個(gè)變化量R，由壓敏電阻組成的惠斯通電橋輸出一，由壓敏電阻組成的惠斯通電橋輸出一個(gè)與個(gè)與R成正比的電壓信號(hào)成正比的電壓信號(hào)V。Group 3構(gòu)造原理構(gòu)造原理LOGO壓阻式加速度傳感

7、器懸臂梁根部的橫向受力：懸臂梁根部的橫向受力：Group 326zmlabh懸臂梁的電阻的相對(duì)變化率：懸臂梁的電阻的相對(duì)變化率：4423/zzhhmlR Rabh 質(zhì)量塊的質(zhì)量m、 懸臂梁的寬度和厚度b,h、質(zhì)量塊中心至懸臂梁根部的距離l、 加速度a. 懸臂梁分析懸臂梁分析LOGO壓阻式加速度傳感器Group 3信號(hào)檢測(cè)信號(hào)檢測(cè)本系統(tǒng)的信號(hào)檢測(cè)電路采用壓阻全橋來作為信號(hào)檢測(cè)電路。本系統(tǒng)的信號(hào)檢測(cè)電路采用壓阻全橋來作為信號(hào)檢測(cè)電路。則電橋輸出的表達(dá)式變?yōu)閯t電橋輸出的表達(dá)式變?yōu)?SCeRUURLOGO壓阻式加速度傳感器為加工出圖示的加速度傳感器為加工出圖示的加速度傳感器,主要采用下列加工手段來實(shí)現(xiàn)

8、。采用注入、推進(jìn)、主要采用下列加工手段來實(shí)現(xiàn)。采用注入、推進(jìn)、氧化的創(chuàng)新工藝來制作壓敏電阻；采用氧化的創(chuàng)新工藝來制作壓敏電阻；采用KHO各向異性深腐蝕來形成質(zhì)量塊；并使各向異性深腐蝕來形成質(zhì)量塊；并使用用AES來釋放梁和質(zhì)量塊；最后利用鍵合工藝來得到所需的來釋放梁和質(zhì)量塊；最后利用鍵合工藝來得到所需的“三明治三明治”結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。Group 3工藝流程工藝流程LOGO壓阻式加速度傳感器硅微機(jī)械加工技術(shù)是在傳統(tǒng)的集成電路平面工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是常規(guī)集硅微機(jī)械加工技術(shù)是在傳統(tǒng)的集成電路平面工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是常規(guī)集成電路工藝和硅微機(jī)械加工的獨(dú)特技術(shù)的結(jié)合。這些獨(dú)特的加工技術(shù)與常規(guī)集成成電

9、路工藝和硅微機(jī)械加工的獨(dú)特技術(shù)的結(jié)合。這些獨(dú)特的加工技術(shù)與常規(guī)集成電路工藝相結(jié)合，才能制作出微電子機(jī)械系統(tǒng)。微機(jī)械加工技術(shù)一般分為體硅微電路工藝相結(jié)合，才能制作出微電子機(jī)械系統(tǒng)。微機(jī)械加工技術(shù)一般分為體硅微機(jī)械加工技術(shù)、表面硅微機(jī)械加工技術(shù)和機(jī)械加工技術(shù)、表面硅微機(jī)械加工技術(shù)和LIGA技術(shù)三類。技術(shù)三類。Group 3工藝流程工藝流程LOGO壓阻式加速度傳感器(a)在硅片兩側(cè)積淀氮化硅。在硅片兩側(cè)積淀氮化硅。(b)在硅片的前側(cè)積淀第一層多晶硅犧牲層，然后制作第一層。在硅片的前側(cè)積淀第一層多晶硅犧牲層，然后制作第一層。(c)在硅片的前側(cè)積淀第二層氮化硅，并在硅片后側(cè)積淀第一層氮化硅。在硅片的前側(cè)

10、積淀第二層氮化硅，并在硅片后側(cè)積淀第一層氮化硅。(d)制作前側(cè)和后側(cè)。制作前側(cè)和后側(cè)。(e)積淀并制作金屬層（鎳）。積淀并制作金屬層（鎳）。(f)各向異性腐蝕來得到溝槽。各向異性腐蝕來得到溝槽。Group 3工藝流程工藝流程LOGO電容式加速度傳感器電容式加速度傳感器是基于電容原理的極距變化型的電容傳感器，其中一個(gè)電極電容式加速度傳感器是基于電容原理的極距變化型的電容傳感器，其中一個(gè)電極是固定的，另一變化電極是彈性膜片。彈性膜片在外力是固定的，另一變化電極是彈性膜片。彈性膜片在外力(氣壓、液壓等氣壓、液壓等)作用下發(fā)作用下發(fā)生位移，使電容量發(fā)生變化。這種傳感器可以測(cè)量氣流生位移，使電容量發(fā)生變

11、化。這種傳感器可以測(cè)量氣流(或液流或液流)的振動(dòng)速度的振動(dòng)速度(或加或加速度速度)，還可以進(jìn)一步測(cè)出壓力。，還可以進(jìn)一步測(cè)出壓力。Group 3LOGO電容式加速度傳感器電容式加速度傳感器從力學(xué)角度可以看成是一個(gè)質(zhì)量電容式加速度傳感器從力學(xué)角度可以看成是一個(gè)質(zhì)量彈簧彈簧阻尼系統(tǒng)。阻尼系統(tǒng)。根據(jù)牛頓第二定律可得力學(xué)模型為：根據(jù)牛頓第二定律可得力學(xué)模型為：Group 3力學(xué)模型力學(xué)模型其中傳感器無阻尼自振角頻率、傳感器阻尼比分別為：其中傳感器無阻尼自振角頻率、傳感器阻尼比分別為：對(duì)其進(jìn)行零初始條件下的拉普拉斯變換對(duì)其進(jìn)行零初始條件下的拉普拉斯變換,可得傳遞函數(shù)為：可得傳遞函數(shù)為：可見可見,如果將傳

12、感器的殼體固定在載體上如果將傳感器的殼體固定在載體上,只要能把質(zhì)量塊在敏感軸方向相對(duì)只要能把質(zhì)量塊在敏感軸方向相對(duì)殼體的位移測(cè)出來殼體的位移測(cè)出來,便可以把它作為加速度的間接度量。便可以把它作為加速度的間接度量。LOGO壓阻式加速度傳感器Group 3數(shù)學(xué)模型數(shù)學(xué)模型電容式加速度傳感器可簡(jiǎn)化為如圖所示的模型，相當(dāng)于兩個(gè)電容串聯(lián)，建電容式加速度傳感器可簡(jiǎn)化為如圖所示的模型，相當(dāng)于兩個(gè)電容串聯(lián)，建立方程得到電容變化與加速度之間的關(guān)系為立方程得到電容變化與加速度之間的關(guān)系為質(zhì)量塊由于加速度造成的微小位移可轉(zhuǎn)化為差動(dòng)電容的變化，并且兩電容質(zhì)量塊由于加速度造成的微小位移可轉(zhuǎn)化為差動(dòng)電容的變化，并且兩電容

13、的差值與位移量成正比。從而可以測(cè)得加速度。的差值與位移量成正比。從而可以測(cè)得加速度。LOGO壓阻式加速度傳感器當(dāng)前大多數(shù)的電容式加速度傳感器都是由三部分硅晶體圓片構(gòu)成的，中層是由雙當(dāng)前大多數(shù)的電容式加速度傳感器都是由三部分硅晶體圓片構(gòu)成的，中層是由雙層的層的SOI硅片制成的活動(dòng)電容極板。如圖一所示，硅片制成的活動(dòng)電容極板。如圖一所示， 中間的活動(dòng)電容極板是由八個(gè)中間的活動(dòng)電容極板是由八個(gè)彎曲彈性連接梁所支撐，夾在上下層兩塊固定的電容極板之間?；窘Y(jié)構(gòu)選擇需彎曲彈性連接梁所支撐，夾在上下層兩塊固定的電容極板之間?；窘Y(jié)構(gòu)選擇需要考慮的條件是：量程、剛性約束條件、彈性約束條件、諧振頻率約束。對(duì)于梁

14、要考慮的條件是：量程、剛性約束條件、彈性約束條件、諧振頻率約束。對(duì)于梁的選擇一般是選擇的選擇一般是選擇U形折疊梁，即可保證其一定的剛度又可以節(jié)省材料。為實(shí)現(xiàn)形折疊梁，即可保證其一定的剛度又可以節(jié)省材料。為實(shí)現(xiàn)過載保護(hù)常采用止擋塊結(jié)構(gòu)來限制敏感質(zhì)量塊運(yùn)動(dòng)的最大位移。常用材料是二氧過載保護(hù)常采用止擋塊結(jié)構(gòu)來限制敏感質(zhì)量塊運(yùn)動(dòng)的最大位移。常用材料是二氧化硅化硅Group 3工藝構(gòu)造工藝構(gòu)造LOGO壓阻式加速度傳感器電容式電容式MEMS加速度計(jì)的工藝一般采用的有：表面工藝、體硅工藝、加速度計(jì)的工藝一般采用的有：表面工藝、體硅工藝、LIGA工藝及工藝及 SOI+DRIE工藝等。下面介紹一下工藝流程：工藝

15、等。下面介紹一下工藝流程：Group 3工藝流程工藝流程（a）確定上下極板間的電容間距 （b）用KOH對(duì)兩面的SiO2進(jìn)行濕法刻蝕 （c）等SiO2層被去除，新的氧化層會(huì)在兩面重新生成，繼續(xù)用KOH進(jìn)行濕法刻蝕直到SiO2層被完全去除 LOGO壓阻式加速度傳感器Group 3工藝流程工藝流程（d）在兩面涂上光刻膠作為濕法刻蝕的梁結(jié)構(gòu) （e）去除光刻膠以后兩面重新被氧化生成SiO2，隨后再EVG-100覆蓋（f）利用剩下的光刻膠進(jìn)行刻蝕然后移除光刻膠LOGO壓阻式加速度傳感器Group 3工藝流程工藝流程（g）等刻蝕完成，對(duì)稱梁結(jié)構(gòu)形成（h）利用對(duì)稱結(jié)構(gòu)確認(rèn)中間梁位置（i）上下兩層形成2m的Si

16、O2對(duì)稱氧化層來隔絕上中下三層LOGO壓阻式加速度傳感器Group 3工藝流程工藝流程（j）隨后通過梁結(jié)構(gòu)中間層與上下層連接（K）控制480度的粘接溫度隨后在1100度下保存一小時(shí)。LOGO其他類型的加速度傳感器光波導(dǎo)式光波導(dǎo)式新新微諧振式微諧振式 諧振式加速度傳感器是一種典型的微機(jī)械慣性器件，基本工作原理是利用振梁的力頻特性，通過檢測(cè)諧振頻率變化量獲取輸入的加速度。新新熱對(duì)流式熱對(duì)流式 微型熱對(duì)流加速度計(jì)是利用封閉空氣囊內(nèi)的自由熱對(duì)流對(duì)加速度敏感性。兩個(gè)溫度傳感器對(duì)稱地在有氣體的腔體兩側(cè)，中間有一個(gè)熱源。新新Group 3目前廣泛應(yīng)用制備光學(xué)加速度計(jì)的邁克爾遜、馬赫曾德等干涉儀的核心部件都包

17、含3 dB耦合器。壓電式壓電式 壓電式加速度傳感器是利用某些物質(zhì)如石英晶體的壓電效應(yīng)，在加速度計(jì)受振時(shí)，質(zhì)量塊加在壓電元件上的力也隨之變化。成熟成熟LOGO其他類型加速度傳感器1.光波導(dǎo)加速度計(jì)光波導(dǎo)加速度計(jì)光波導(dǎo)加速度計(jì)的原理如下圖所示：光源從波導(dǎo)光波導(dǎo)加速度計(jì)的原理如下圖所示：光源從波導(dǎo)1進(jìn)入，經(jīng)過分束部分后分成兩部進(jìn)入，經(jīng)過分束部分后分成兩部分分別通入波導(dǎo)分分別通入波導(dǎo)4和波導(dǎo)和波導(dǎo)2，進(jìn)入波導(dǎo)，進(jìn)入波導(dǎo)4的一束直接被探測(cè)器的一束直接被探測(cè)器2探測(cè)，而進(jìn)入波導(dǎo)探測(cè)，而進(jìn)入波導(dǎo)2的的一束會(huì)經(jīng)過一段微小的間隙后進(jìn)入波導(dǎo)一束會(huì)經(jīng)過一段微小的間隙后進(jìn)入波導(dǎo)3，最終被探測(cè)器，最終被探測(cè)器1探測(cè)到。

18、有加速度時(shí)，探測(cè)到。有加速度時(shí)，質(zhì)量塊會(huì)使得波導(dǎo)質(zhì)量塊會(huì)使得波導(dǎo)2彎曲，進(jìn)而導(dǎo)至其與波導(dǎo)彎曲，進(jìn)而導(dǎo)至其與波導(dǎo)3的正對(duì)面積減小，使探測(cè)器的正對(duì)面積減小，使探測(cè)器1探測(cè)到探測(cè)到的光減弱。通過比較兩個(gè)探測(cè)器檢測(cè)到的信號(hào)即可求得加速度的光減弱。通過比較兩個(gè)探測(cè)器檢測(cè)到的信號(hào)即可求得加速度Group 3LOGO其他類型加速度傳感器2.諧振式加速度計(jì)諧振式加速度計(jì)諧振式加速度計(jì)，諧振式加速度計(jì)，Silicon Oscillating Accelerometer，簡(jiǎn)稱，簡(jiǎn)稱SOA。一根琴弦繃。一根琴弦繃緊程度不同時(shí)彈奏出的聲音頻率也不同，諧振式加速度計(jì)的原理與此相同。若對(duì)緊程度不同時(shí)彈奏出的聲音頻率也不同

19、，諧振式加速度計(jì)的原理與此相同。若對(duì)梁施加一確定的激振，檢測(cè)其響應(yīng)就可測(cè)出其固有頻率，進(jìn)而測(cè)出加速度。激振梁施加一確定的激振，檢測(cè)其響應(yīng)就可測(cè)出其固有頻率，進(jìn)而測(cè)出加速度。激振的施加和響應(yīng)的檢測(cè)通常都是通過梳齒機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。的施加和響應(yīng)的檢測(cè)通常都是通過梳齒機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。SOA的特點(diǎn)在于，它是通過的特點(diǎn)在于，它是通過改變二階系統(tǒng)本身的特性來反映加速度的變化的，這區(qū)別與電容式、壓電式和光改變二階系統(tǒng)本身的特性來反映加速度的變化的，這區(qū)別與電容式、壓電式和光波導(dǎo)式的加速度計(jì)。波導(dǎo)式的加速度計(jì)。SOA常見的結(jié)構(gòu)有常見的結(jié)構(gòu)有S結(jié)構(gòu)和雙端固定音叉（結(jié)構(gòu)和雙端固定音叉（Double-ended Tuning

20、 Fork，DETF）兩種。）兩種。S結(jié)構(gòu)原理圖如下圖所示，結(jié)構(gòu)原理圖如下圖所示，DEFT式就是在質(zhì)量塊的式就是在質(zhì)量塊的另一半加上和左邊對(duì)稱的一套機(jī)構(gòu)另一半加上和左邊對(duì)稱的一套機(jī)構(gòu)Group 3LOGO其他類型加速度傳感器3.熱對(duì)流加速度計(jì)熱對(duì)流加速度計(jì)一個(gè)被放置在芯片中央的熱源在一個(gè)空腔中產(chǎn)生一個(gè)懸浮的熱氣團(tuán)，同時(shí)由鋁和一個(gè)被放置在芯片中央的熱源在一個(gè)空腔中產(chǎn)生一個(gè)懸浮的熱氣團(tuán)，同時(shí)由鋁和多晶硅組成的熱電偶組被等距離對(duì)稱地放置在熱源的四個(gè)方向。在未受到加速度多晶硅組成的熱電偶組被等距離對(duì)稱地放置在熱源的四個(gè)方向。在未受到加速度或水平放置時(shí)，溫度的下降陡度是以熱源為中心完全對(duì)稱的。此時(shí)所有四

21、個(gè)熱電或水平放置時(shí)，溫度的下降陡度是以熱源為中心完全對(duì)稱的。此時(shí)所有四個(gè)熱電偶組因感應(yīng)溫度而產(chǎn)生的電壓是相同的。偶組因感應(yīng)溫度而產(chǎn)生的電壓是相同的。Group 3LOGO其他類型加速度傳感器4.壓電式加速度計(jì)壓電式加速度計(jì)壓電式加速度計(jì)利用了壓壓電式加速度計(jì)利用了壓電效應(yīng)，通過測(cè)量壓電材電效應(yīng)，通過測(cè)量壓電材料兩級(jí)的電勢(shì)差即可求得料兩級(jí)的電勢(shì)差即可求得其形變壓電原理在宏觀尺其形變壓電原理在宏觀尺度的加速度計(jì)中應(yīng)用頗為度的加速度計(jì)中應(yīng)用頗為廣泛，這類加速度計(jì)的構(gòu)廣泛，這類加速度計(jì)的構(gòu)造多為基座和質(zhì)量塊之間造多為基座和質(zhì)量塊之間夾一壓阻材料。夾一壓阻材料。Group 3MEMS壓電式加速度計(jì)壓電式加速度計(jì)MEMS壓電式加速度計(jì)采壓電式加速度計(jì)采用的結(jié)構(gòu)與壓阻式微加速用的結(jié)構(gòu)與壓阻式微加速度計(jì)類似度計(jì)類似,都是懸臂梁末端都是懸臂梁末端加質(zhì)量塊的震動(dòng)系統(tǒng)，二加質(zhì)量塊的震動(dòng)系統(tǒng)，二者差別在于鍍?cè)诹荷系牟恼卟顒e在于鍍?cè)诹荷系牟牧喜煌?，壓電式加速度?jì)料不同，壓電式加速度計(jì)自然只要鍍上壓電材料，自然只要鍍上壓電材料，而非壓阻材料。而非壓阻材料。LOGO THATS ALLMEMS