模擬電子技術(shù)題庫(kù) 答案分解
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1、 模擬電子技術(shù) 試題匯編 成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院 電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室 2010-9 第一章 半導(dǎo)體器件 一、填空題 1、本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是 電子 ,少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 。 2、 在N型半導(dǎo)體中,電子濃度 大于 空穴濃度,而在P型半導(dǎo)體中,電子濃度 小于 空穴濃度。 3、PN結(jié)反向偏置時(shí),空間電荷區(qū)將變 寬 。 4、雙極型三極管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是_____飽和_____區(qū)、______放大___區(qū)、__截止________區(qū)。 5、場(chǎng)
2、效應(yīng)管分為兩大類:一類稱為_結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管___________,另一類稱為__ 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管_______。 6、PN結(jié)外加反向電壓,即電源的正極接N區(qū),電源的負(fù)極接P區(qū),這種接法稱為___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半導(dǎo)體二極管的基本特性是 單向?qū)щ娦? ____,在電路中可以起___整流____和___檢波____等作用。 8、雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為__NPN_____型和__PNP_____型兩種,它們的符號(hào)分別為_______和________。 9、PN結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動(dòng):多數(shù)載流子的 擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載
3、流子的___漂移_____運(yùn)動(dòng)。 10、硅二極管的死區(qū)電壓約為__0.5____V,鍺二極管的死區(qū)電壓約為__0.1____V。 11、晶體管穿透電流是反向飽和電流的___1+β_______倍,在選用晶體管的時(shí)候,一般希望盡量___小_______。 12、場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是___跨導(dǎo)_______。 13、PN結(jié)具有__單向?qū)щ奯______特性。 14、雙極型三極管有兩個(gè)PN結(jié),分別是___集電結(jié)____和_發(fā)射結(jié)______。 15、為了保證三極管工作在放大區(qū),應(yīng)使發(fā)射結(jié)_____正向________偏置,集電路______反向_______偏置。 16、場(chǎng)
4、效應(yīng)管是____電壓______控制型元件,而雙極型三極管是____電流_______控制型元件。 17、本征硅中若摻入3價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 ,少數(shù)載流子應(yīng)是 電子 。 18、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ,少數(shù)載流子是 電子 。 19、PN結(jié)外加正向電壓,即電源的正極接P區(qū),電源的負(fù)極接N區(qū),這種接法稱為 正向接法 或_正向偏置______。 20、從雙極型三極管內(nèi)部三個(gè)區(qū)引出三個(gè)電極,分別是_集電極______、___發(fā)射極____和__基極______。 21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是:(
5、1)發(fā)射結(jié)外加_正____________向電壓;(2)集電結(jié)外加___反________向電壓。 22、N型半導(dǎo)體可用___正________離子和等量的___負(fù)電子________來(lái)簡(jiǎn)化表示。 23、PN結(jié)正向偏置時(shí),空間電荷區(qū)將變___窄________。 24、二極管的兩個(gè)電極分別稱為__陽(yáng)____極和__陰____極,二極管的符號(hào)是________。 25、當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的輸入特性曲線會(huì)__左___移,輸出特性曲線會(huì) 上 ________移,而且輸出特性曲線之間的間隔將__增大_________。 26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是___溫度____
6、______。 27、P型半導(dǎo)體可用_負(fù)______離子和等量的___空穴_____來(lái)簡(jiǎn)化表示。 28、主要半導(dǎo)體材料是_硅_____和__鍺____;兩種載流子是__空穴_______和__電子_______;兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是_P型________和___N型________。 29、二極管外加 正 向電壓導(dǎo)通,外加 反 向電壓截止。 30、當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的參數(shù)β會(huì) 變大 ________,會(huì) 增加 ________,導(dǎo)通電壓會(huì) 變小 _________ 。 31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電,即____多數(shù)載流子________
7、_和_少數(shù)載流子____________導(dǎo)電,而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電,即__多數(shù)載流子___________導(dǎo)電。 32、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 電子 ,少數(shù)載流子是___空穴_____。 33、某晶體管的極限參數(shù),,。若它的工作電壓,則工作電流不得超過__15_____;若工作電壓,則工作電流不得超過____100___;若工作電流,則工作電壓不得超過___30____。 34、放大電路中,已知三極管三個(gè)電極的對(duì)地電位為=-9V, =-6.2V, =-6V,則該三極管是______PNP_______型三極管,A為_______集電______極,B為_____
8、基________極,C為______發(fā)射_______極。 35、雙極型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_____。 36、場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是_______恒流______區(qū)、____可變電阻_________區(qū)、___夾斷__________區(qū)。 37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為_____本征半導(dǎo)體_____。 38、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管比較, 場(chǎng)效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好,輸入電阻高, 晶體 管的放大能力強(qiáng)。 39、雙極型三極管內(nèi)部有三個(gè)摻雜區(qū)域,分別是__發(fā)射區(qū)_______、___基區(qū)_______和___集電區(qū)_______。 二、
9、選擇題 1、從二極管伏安特性曲線可以看出,二極管兩端壓降大于( B )時(shí)處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。 A.0 B.死區(qū)電壓 C.反向擊穿電壓 D.正向壓降 2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中( A )的濃度對(duì)溫度敏感。 A.少子 B.多子 C.雜質(zhì)離子 D.空穴 3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置,它的工作狀態(tài)是( B ),若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置,它的工作狀態(tài)是( A ),若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置,則它的工作狀態(tài)是( C )。 A.截止 B.放大
10、 C.飽和 D.損毀 4、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為( B )。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 D.前者反偏、后者也正偏 5、雙極型晶體管工作時(shí)有( A )和( B )兩種載流子參與導(dǎo)電,而場(chǎng)效應(yīng)管所導(dǎo)電過程僅僅取決于( A )的流動(dòng)。 A.多子 B.少子 C.自由電子 D.空穴 6、當(dāng)NPN型晶體管工作在放大區(qū)時(shí),各極電位關(guān)系為(A?。ˋ )。 A. >
11、 B. < C. = D. ≤ 7、對(duì)二極管正向電阻和反向電阻的要求是( C ) A.、都大 B.、都小 C.很小,很大 D.大,小 8、穩(wěn)壓二極管動(dòng)態(tài)電阻( B ),穩(wěn)壓性能愈好。 A.愈大 B. 愈小 C.為任意值 9、 三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時(shí)工作于( C )狀態(tài)。 A. 放大 B. 截止 C. 飽和 D. 無(wú)法確定 10.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置方式是(
12、A、D ) A.自給偏壓電路 B.外加偏壓電路 C.無(wú)須偏置電路 D.柵極分壓與源極自偏結(jié)合 11、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于( A ),而少數(shù)載流子的濃度與( B )有很大關(guān)系。 A.溫度 B.摻雜工藝 C.雜質(zhì)濃度 D.晶體管缺陷 12、場(chǎng)效應(yīng)管屬于( B )控制型器件,而晶體管若用簡(jiǎn)化h參數(shù)來(lái)分析,則可認(rèn)為是( C )控制型器件。 A.電荷 B.電壓 C.電流 13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流( B )漂移電流,耗盡層(D )。
13、A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變 14、當(dāng)溫度升高時(shí),二極管正向特性和反向特性曲線分別( D )。 A.左移,下移 B.右移,上移 C.左移,上移 D.右移,下移 15、PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通,此時(shí)空間電荷區(qū)將( A )。 A.變窄 B.基本不變 C.變寬 D.先變窄,后變寬 16、 在25oC時(shí),某二極管的死區(qū)電壓Uth≈0.5V,反向飽和電流Is≈0.1pA,則在35oC時(shí),下列哪組數(shù)據(jù)可能正
14、確:( D )。 A Uth≈0.575V,Is≈0.05pA B Uth≈0.575V,Is≈0.2pA C Uth≈0.475V,Is≈0.05pA D Uth≈0.475V,Is≈0.2pA 17、用萬(wàn)用表判斷放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類型(NPN或PNP)與三個(gè)電極時(shí),最為方便的測(cè)試方法為( B )。 A.測(cè)試各極間電阻 B.測(cè)試各極間、對(duì)地電壓 C.測(cè)試各極電流 三、判斷題 1、 三極管在工作頻率大于最高工作頻率時(shí)會(huì)損壞。 ( ╳ ) 2、 穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓
15、時(shí)應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。 ( ╳ ) 3、與三極管放大電路相比,場(chǎng)效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。( √ ) 4、P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。( ╳ ) 5、有人測(cè)得晶體管在=0.6V時(shí),=5,因此認(rèn)為在此工作點(diǎn)上的大約為。 ( √ ) 6、通常結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時(shí),仍有正常的放大作用。( √ ) 7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí),仍有較大的電流放大作用。 ( ╳ ) 8、在N型半導(dǎo)體中,摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。(√ ) 9、P型半導(dǎo)體帶正
16、電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。( ╳ ) 10、PN結(jié)內(nèi)擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。( ╳ ) 11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場(chǎng)作用下形成的。( √ ) 12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差,所以當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí),就有電流流過。( ╳ ) 13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性,也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。( ╳ ) 14、場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻( ╳ ) 15、有人測(cè)試晶體管的,方法是通過測(cè)得晶體管的,,推算出 。 ( ╳ ) 四、綜合題 1、放大電路中測(cè)得晶體管各電極電位如下表所示,試將表格填寫完整
17、。(10分) 管腳(各電極)電位 晶體管1 晶體管2 3V 3.7V 6V -4V -1.2V -1.4V 電極(e或b或c) e b c c b e NPN或PNP NPN PNP 材料(Si或Ge) Si Ge 2、判斷下列管子的工作狀態(tài)(a.飽和;b.放大;c.截止;d.損壞)(共8分) 管子類型 NPN PNP NPN PNP 各電極電位(V) Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc 2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1
18、 1.2 狀態(tài) c b d a 3、如下圖,試確定二極管D是正偏還是反偏?設(shè)二極管正偏時(shí)的正向壓降為0.7V,試計(jì)算UX和UY的值(共9分) (a) (b) 答案:(a) D正偏導(dǎo)通 I= 2RI==6.2V (b) D僅偏截止 I=0 =0 =10V 4、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V, 求Uo為多少?(共3分) 答:=9-6=3V 5、(3分)圖示電路中二極管為理想二極管,請(qǐng)判斷它是否導(dǎo)通,并求出u0。 D導(dǎo)通, 6、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。(設(shè)圖中所有電容對(duì)交
19、流信號(hào)視為短路) (9分)都不能放大電壓信號(hào) (a) (b) (c) 輸入交流短路 無(wú)直流基極偏壓 輸入交流短路 7、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V,試寫出輸出電壓Uo為多少?(共8分) (a) (b) (c) (d) 8、設(shè)二極管理想化,試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止?并求出UO=? (a)D導(dǎo)通
20、 (b)D截止 (c) 導(dǎo)通截止 (d)先導(dǎo)通截止 =0V =-3V 第二章 放大電路原理 一、填空題 1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中,_共集________組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng),_共基____________組態(tài)頻率響應(yīng)好,__共射___________組態(tài)有倒相作用,__共集___________組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小。 2、多級(jí)放大電路的對(duì)數(shù)增益等于其各級(jí)對(duì)數(shù)增益的_之和______。 3、BJT放大電路的三種組態(tài)是___共射__
21、________、___共基__________、____共集_________。 4、影響放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要原因是___溫度變化__________。 5、三極管___共集_________組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點(diǎn)。 6、放大電路最常用的基本分析方法,就是__圖解法________和_微變等效電路法___________。 7、共集電極放大電路又稱為___射極輸出器或射隨器_________。 8、多級(jí)放大電路常用的耦合方式有三種:即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___變壓器耦合_________。 9、放大電路的
22、三種基本組態(tài)中,__共射___________組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力,___共集__________只具有電流放大能力,__共基___________組態(tài)只具有電壓放大能力。 10、放大的本質(zhì)首先是實(shí)現(xiàn)_能量_____的控制;所謂放大作用,其放大的對(duì)象是_變化量_____。 11、產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受__溫度_______的影響而發(fā)生波動(dòng),導(dǎo)致放大電路的__靜態(tài)工作點(diǎn)________不穩(wěn)定。 12、輸出電壓離開零點(diǎn),緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化,這種現(xiàn)象稱為__零點(diǎn)漂移_______。 二、選擇題 1、關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)(簡(jiǎn)稱Q點(diǎn)),下列
23、說(shuō)法中不正確的是( D )。 A.Q點(diǎn)過高會(huì)產(chǎn)生飽和失真 B.Q點(diǎn)過低會(huì)產(chǎn)生截止失真 C.導(dǎo)致Q點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化 D.Q點(diǎn)可采用微變等效電路法求得 2、雙極型三極管放大電路中,輸入電阻最大的是___B________電路。 A. 共發(fā)射極 B. 共集電極 C.共基極 D.不能確定 3、晶體管放大電路中,高頻特性最好的電路是( D ) 。 A.共射電路 B.共集電路 C.共源電路 D.共基電路 4、有兩個(gè)放大倍數(shù)(電路相同,采用同一晶體管)相同,
24、輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B,對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大,在負(fù)載開路的條件下測(cè)得A的輸出電壓小,這說(shuō)明A的( B )。 A.輸入電阻大 B.輸入電阻小 C.輸出電阻大 D .輸出電阻小 5、多極放大電路的增益是( B )、輸入電阻是( A )、輸出電阻是( C )。 A.由第一級(jí)確定 B.由各級(jí)共同確定 C.由末級(jí)電路確定 6、某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入3K的負(fù)載電阻的輸出電壓降為3V,這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為(C ) A.10K B.2K
25、 C 1K D 0.5K 7、放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是( A )。 A.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化 B.放大倍數(shù)太大 C.晶體管的噪聲太大 D.外界存在干擾源 8、在多級(jí)放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者:(本題可多選) (1)要求各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響,可選用(A,C )。 (2)要求能放大直流信號(hào),可選用(B )。 (3)要求能放大高頻交流信號(hào),可選用(A,B )。 (4)要求電路的溫漂小,可選用(A,C )。 (5)為了實(shí)現(xiàn)阻抗交換,使信號(hào)與負(fù)載間有較好的耦合,應(yīng)采用(C )。 A.阻容耦合
26、 B.直接耦合 C.變壓器耦合 9、用微變等效電路法分析放大電路( B ) A.只能分析靜態(tài)工作點(diǎn) B.只能分析動(dòng)態(tài)參數(shù) C.既可分析靜態(tài),也能分析動(dòng)態(tài) 10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是( B ); 既能放大電流,又能放大電壓的電路是( C )。 A. 共基放大電路 B.共集放大電路 C.共射放大電路 11、對(duì)于基本共射放大電路,如下圖,試判斷某一參數(shù)變化時(shí)放大電路動(dòng)態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格 (1)減小時(shí),輸入電阻 _B____。 (2)增大時(shí),輸出電阻 __
27、__A_。 (3)信號(hào)源內(nèi)阻增大時(shí),輸入電阻___C___。 (4)信號(hào)源遠(yuǎn)內(nèi)阻減小時(shí),電壓放大倍數(shù) __A____。 (5)負(fù)載電阻增大時(shí),電壓放大倍數(shù)__A___; (6)負(fù)載電阻減小時(shí),輸出電阻Ro ____C__; (7) 若Rb減小,則靜態(tài)的將__A____,將__B__電壓放大倍數(shù) 將__A____。 (8)若換一個(gè)值較小的晶體管,則靜態(tài)的將___C__。 (9) 增大時(shí), 將_A_____。 (10) 增大時(shí),將__B____。 (11) 增大時(shí),將__C____。 (12) 增大時(shí)
28、,將__C____。 A.增大 B.減小 C.不變 12、由NPN晶體管組成的基本放大電路,如圖: 輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真,則: (1)這種失真是___B______ A.飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真。 (2)為了消除這種失真,應(yīng)___D_____ A.減小集電極電阻 B.改換小的管子 C.增大基極偏置電阻Rb D.減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓。 13、由PNP晶體管組成的基本放
29、大電路,如圖: 電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則 (1) 這種失真是___A______ A.飽和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 頻率失真。 (2)為了消除這種失真,應(yīng)___A,B,C______ A.減小集電極電阻 B.改換小的管子 C增大基極偏置電阻Rb D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓。 14、如下圖,選擇正確答案填空 (1) 要使靜態(tài)工作電流減小,則應(yīng)_A_____ 。 (2)在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則|| _B_____, _A_____, _C_____。
30、 (3) 在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則|| _C_____, __C____, _C_____。 (4) 從輸出端開路,到接上,靜態(tài)工作點(diǎn)將_C_____, _B_____,(設(shè)靜態(tài)工作點(diǎn)偏低) (5) 減小時(shí),直流負(fù)載線斜率__C____。 (6)減小時(shí),直流負(fù)載線斜率__A____。 A.增大 B.減小 C.不變 (7) 若=10V, =4,=6,=3.3,=2,、足夠大,設(shè)則: ① Vi=0,管壓降大約是__B____ (A. 4V B. 4.7V C 7V D 5V) ② 使管
31、子由50改為100,則|是 __A__________ (A.約為原來(lái)的2倍 B.約為原來(lái)的 C.基本不變 D 約為原來(lái)的4倍) ③保持=50不變,將由3.3改為6.6,則|| _C_____ 。 (A 約為原來(lái)的2倍 B 約為原來(lái)的 C 基本不變 D 約為原來(lái)的4倍 E 約為原來(lái)的) 15、兩級(jí)放大電路=-40,=-50,若輸入電壓,則輸出電壓為_C_____ A.-200mV B.-250mV C.10V D.100V 三、判斷題 1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(hào)(能放大
32、的√,不能正常放大的畫×)。 √ × × 2、測(cè)得某些電路中幾個(gè)三極管各極的電位如下圖所示,試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。 放大 截止 飽和 放大 3、判斷三極管的工作狀態(tài)(放大、截止、飽和)。(6分) (a) 放大
33、 (b) 截止 4、判斷圖示電路是否有信號(hào)放大作用(用“√”,“×”表示。每圖3分,共12分) (a) × (b) × (c) × (d) × (e) × (f) √ 5、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。(設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路) (6分) (a) √ (b) × (c) × 6、
34、如下圖,判斷是否正確: (1)=////(+)( × ) (2) =////[+(1+)] ( × ) (3) =//// ( √ ) (4) =// ( × ) (5) = ( √ ) (6) = - ( × ) (7) = ( × ) (8) = - ( √ ) 7、判斷下列說(shuō)法是否正確,對(duì)的畫√,錯(cuò)誤的畫× (1) 晶體管的輸入電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻,故它與靜態(tài)工作點(diǎn)無(wú)關(guān)。(×) (2) 在基本共射放大電路中,為得到較高的輸入電阻,在固定不變的條件下,晶體管的電流放大系數(shù)應(yīng)該盡可能大些。( ×
35、) (3) 在基本共射放大電路中,若晶體管的增大一倍,則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)增大一倍。(√ ) (4) 對(duì)于基極分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路來(lái)說(shuō),其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。(× ) (5) 共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1,故不能用來(lái)實(shí)現(xiàn)功率放大。(× ) (6) 共射放大電路既能放大電壓,也能放大電流。( √) (7) 共集放大電路可放大電壓,但不能放大電流。(× ) (8) 共基放大電路只能放大電流,但不能放大電壓。( ×) 四 分析題 1、試指出下圖中電路的錯(cuò)誤,并畫出正確的電路(圖中晶體管類型不允許改變) 有三個(gè)錯(cuò)誤: (1):電源極性錯(cuò) (2):極
36、性錯(cuò) (3):位置接錯(cuò) 2、 分析下圖有何錯(cuò)誤,應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大,畫出更改后的電路,要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。 有三個(gè)錯(cuò) (1)位置接錯(cuò) (2)位置接錯(cuò) (3)位置接錯(cuò) 3、 分析下圖能否對(duì)的正弦電壓進(jìn)行線性放大,如不能指出錯(cuò)在哪里,并進(jìn)行改正,要求不增減元件,且電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值要大于1,無(wú)直流成分。 答:不能正常放大。 錯(cuò)誤有:(1)位置接錯(cuò)。 (2)位置接錯(cuò)。 (3)、極性接反。 (4)若要,則不能從射極輸出。 = , 且無(wú)直流成分。 4、有兩個(gè)放大電路如下圖所示,向各是什么組態(tài)?(共射,共基,共集)若晶體管
37、都工作在放大區(qū),輸入端均加上正弦小信號(hào)電壓,請(qǐng)問圖中所示的輸出波形是否正確?若有錯(cuò)誤,應(yīng)如何改正?設(shè)電容都很大。 均為共基組態(tài)。波形有錯(cuò)。 (a)圖波形應(yīng)與波形相同。 (b)圖波形應(yīng)無(wú)直流分量 五、計(jì)算題 1、在下圖的放大電路中,設(shè)三極管的=30,=0.7V,= 1,=10,,=1.3,==5,=12V。 (1)試估算靜態(tài)時(shí)的、、;(5分) (2)設(shè)電容、和均足夠大,試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù);(5分) (3)估算放大電路的輸入電阻和輸出電阻;(5分) (4)如果去掉旁路電容,寫出此時(shí)放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)和輸入電阻和輸出電阻的表達(dá)式(可不計(jì)算出具體數(shù)值
38、)。(5分) (1) (2) (3) (4)斷開,有電流串聯(lián)負(fù)反饋,(下降),增加,不變; 2、(20分)圖示電路中,已知UBEQ=0.7V,β=100,=374Ω,RB1=5 kΩ,RB2=15 kΩ,RE=2.3 kΩ,RC=RL=3 kΩ,VCC=12V。 (1)估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)UBQ、ICQ、UCEQ (2)畫出微變等效電路,計(jì)算電壓放大倍數(shù)、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro (3)若信號(hào)源內(nèi)阻為RS=1kΩ時(shí),求 的數(shù)值。 (1) (2)圖略 (3) 3、如下圖,足夠大, (1)畫出直流通路
39、和微變等效電路(6分)。 (2)設(shè),求靜態(tài)工作點(diǎn)、(4分) (3)求、、,設(shè)=30,=194(6分) (4)、忽略不計(jì),估算最大不失真輸出電壓峰值(4分)(總共20分) 解:(1)圖略 (2) (3) (4)不飽和失真 不截止失真 最大不是真輸出電壓峰值 4、如圖所示電路中,已知三極管T為硅管 =337Ω,UBEQ=0.7V,β=50;Rb1=51KΩ , Rb2=15KΩ , RE=1KΩ, Rc=2KΩ, RL=2KΩ,VCC=12V。(共18分) 試求: (1)靜態(tài)工作點(diǎn)Q(IBQ.ICQ.UCEQ)?
40、(2)電壓放大倍數(shù)AU=?輸入電阻Ri=? 輸出電阻Ro=? 解:(1) (2) 5、電路如下圖(a)所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時(shí)UBEQ=0.7V。利用圖解法分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom。(共15分) 解: 6.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。(共15分) (1)圖解法靜態(tài)工作點(diǎn)Q(、)。(設(shè)=40uA,=50)(6分) (2)畫出微變等效電路,估算放大器的動(dòng)態(tài)參數(shù)、、(設(shè)=340,=60) (9分) 解:
41、 相交Q點(diǎn),得 (2) 7、如下圖,~足夠大, (1)畫出直流通路和微變等效電路(4分)。 (2)求靜態(tài)工作點(diǎn)、。(4分) (3)求輸入、輸出電阻、及電壓放大倍數(shù)各自的表達(dá)式。(4分) (總共12分) (1)略 (2) (3)=// R=R//R ==- =+(1+)=+ 8.電路如下圖所示,晶體管的β=100, rbb’=100Ω, =0.7V。(共20分) (1)畫直流通路和微變等效電路。(6分) (2)求電路的Q點(diǎn)、Au、Ri和Ro;(9分) (3)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化?(5分
42、) (2) ==2V ==1mA =12-1(5+1.3)=5.7v =100+(1+100)=2.7k =-=-7.64 =////[+(1+)]=3.66k ==5k (3) Ce開路,Au下降,Ri上升,不變 9. 如圖所示的放大電路(10分) (1)寫出輸出,輸出時(shí),電路的電壓放大倍數(shù)、的表達(dá)式。 (2)根據(jù)輸入波形,當(dāng)時(shí),畫出、的波形。 10. 如下圖,的=10ms, 的=100,=,試估算:(1)的值;(2) ;(3) 。(C1到C4足夠大) 11. 如下圖,求(1)接在A(斷開)時(shí),(2)接在B點(diǎn)時(shí)的,設(shè)=,=100,并求這時(shí)的,。C足夠大。 (1)= = (2) 12. 如下圖: (1) 推導(dǎo)出飽和條件(與電路參數(shù)關(guān)系式) (2) 若=120KΩ,,=100,=0.7V,試問電路工作在什么狀態(tài)(放大,飽和,截止) (3) 應(yīng)如何改變電路參數(shù),使之脫離上述工作狀態(tài)? (1)NPN管發(fā)射結(jié)正偏,要使集電結(jié)也正偏,必須,即得為飽和條件。 (2)此時(shí)電路工作在飽和狀態(tài)。 (3)為了脫離飽和狀態(tài),有三個(gè)方法: ①β,不變, ②不變, ③不變,換管子使
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