2019年高考化學(xué)二輪專題復(fù)習(xí) 專題十六 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)限時(shí)集訓(xùn).doc

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專題十六 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.鉀和碘的相關(guān)化合物在化工醫(yī)藥材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}: (1)基態(tài)K原子中,核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)共　　種,占據(jù)最高能層的電子的電子云輪廓圖形狀為　　　　。 (2)K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同。第一電離能比較:K　　　　(填“>”或“<”)Cr,金屬鍵強(qiáng)度比較:K　　　　(填“>”或“<”)Cr。 (3)IO3-的立體構(gòu)型的名稱為　　　　,中心原子的雜化方式為　　　　。 (4)HIO4的酸性強(qiáng)于HIO3,其原因?yàn)? 　。 圖Z16-1 (5)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料,晶胞如圖Z16-1所示。 晶胞的棱長(zhǎng)為a=0.446 nm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置,K與I間的最短距離為　　　　　　nm,與K緊鄰的O的個(gè)數(shù)為　　　　。阿伏伽德羅常數(shù)的值為6.021023,列式計(jì)算晶體的密度為　　　　　　　　　　(不必計(jì)算結(jié)果)gcm-3。 2.第23號(hào)元素釩在地殼中的含量大約為0.009%,在過渡元素中僅次于Fe、Ti、Mn、Zn,排第五位。 (1)釩在周期表中的位置為　　　　　　　　,電子占據(jù)的最高能層的軌道形狀為　　　　。 (2)在地殼中含量最高的五種過渡金屬元素Fe、Ti、Mn、Zn、V中,基態(tài)原子核外單電子數(shù)最多的是　　　　。 (3)過渡金屬可形成許多羰基配合物,即CO作為配體形成的配合物。 ①CO的等電子體有N2、CN-、　　　　(任寫一個(gè))等。 ②CO作配體時(shí),配位原子是C而不是O,其原因是 　。 (4)過渡金屬配合物常滿足18電子規(guī)則,即中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18,如[Fe(CO)5]、[Mn(CO)5]-等都滿足這個(gè)規(guī)則。 ①下列釩配合物中,釩原子滿足18電子規(guī)則的是　　　　。 A.[V(H2O)6]2+ B.[V(CN)6]4- C.[V(CO)6]- D.[V(O2)4]3- ②化合物的熔點(diǎn)為138 ℃,其晶體類型為　　　　　　;已知該化合物滿足18電子規(guī)則,其配體“”中的大π鍵可表示為　　　　。 (5)VCl2(熔點(diǎn)1027 ℃)和VBr2(熔點(diǎn)827 ℃)均為六方晶胞,結(jié)構(gòu)如圖Z16-2所示。 圖Z16-2 ①VCl2和VBr2二者熔點(diǎn)有差異的原因是 　。 ②設(shè)晶體中陰、陽離子半徑分別為r-和r+,該晶體的空間利用率為　　　　　　(用含a、c、r+和r-的式子表示)。 3.C、O、Si、S、Fe是重要的化學(xué)元素,在中學(xué)化學(xué)中對(duì)它們的單質(zhì)和化合物的研究頗多。 (1)C、O、Si三種元素第一電離能由大到小的順序是　　　　　　。 (2)CS2是重要的溶劑,CS2中C原子的雜化方式為　　　　,其空間構(gòu)型為　　　　。 (3)基態(tài)Fe原子中,核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)是　　　　,占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為　　　　。 圖Z16-3 (4)晶胞推導(dǎo)有助于我們理解晶體結(jié)構(gòu)。 ①將NaCl晶胞(如圖Z16-3)中的所有Cl-去掉,并將Na+全部換成Si原子,再間隔地在“小立方體”中心處各放置一個(gè)Si原子便構(gòu)成了晶體Si的一個(gè)晶胞,若再在每?jī)蓚€(gè)距離最近的Si原子中心連線的中點(diǎn)處增添一個(gè)O原子,便構(gòu)成了SiO2晶胞。由此可推算SiO2晶胞中有　　個(gè)Si原子,　　個(gè)O原子。 ②簡(jiǎn)述利用NaCl晶胞推導(dǎo)出CsCl晶胞的方法: 　。 4.科學(xué)的進(jìn)步離不開技術(shù)的突破。原子光譜、核磁共振、X射線衍射、量子計(jì)算等技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用都推進(jìn)了結(jié)構(gòu)的研究。如過渡元素原子結(jié)構(gòu)、超分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)研究等。 (1)過渡元素Ni原子的基態(tài)電子排布式為　　　　　,Ni的核外電子由基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)時(shí)產(chǎn)生的光譜是　　　(填“吸收”或“發(fā)射”)光譜。 圖Z16-4 (2)胍離子[C(NH2)3+]可以與甲基磺酸根(CH3SO3-)形成超分子晶體,其局部結(jié)構(gòu)如圖Z16-4所示。 ①組成該晶體的元素中第一電離能最大的是　　　　,其中C的雜化類型有　　　　。 ②元素C、N、S的氣態(tài)氫化物在水中的溶解度從大到小的順序?yàn)椤　　　　　　　?原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　。 圖Z16-5 (3)近年研究人員通過量子化學(xué)計(jì)算預(yù)測(cè)并合成了化合物Na2He,經(jīng)X射線衍射分析其晶胞結(jié)構(gòu)如圖Z16-5所示。 ①晶胞中Na堆積形成　　　　(填形狀)空隙,He占據(jù)一半空隙,另一半由e-占據(jù)。已知Na2He晶體不能導(dǎo)電,理由是　　　　　　　　　　　　　　　。 ②已知晶胞邊長(zhǎng)為a nm,晶胞中Na的半徑為b nm,則He的半徑為　　　　nm(列出計(jì)算式即可)。 5.由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途,回答下列問題: (1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為　　　　　　　　,P、S、Cl的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤　　　　　　? (2)SCl2 分子中的中心原子雜化軌道類型是　　　　,該分子空間構(gòu)型為　　　　。 (3)Fe、Co、Ni 等過渡元素易與CO 形成配合物,化學(xué)式遵循18 電子規(guī)則: 中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18,如Ni 與CO 形成的配合物的化學(xué)式為Ni(CO)4,則Fe 與CO 形成的配合物的化學(xué)式為　　　。Ni(CO)4 中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為　　　　,已知: Ni(CO)4的熔點(diǎn)為-19.3 ℃,沸點(diǎn)為43 ℃,則Ni(CO)4為　　　　晶體。 (4)已知NiO 的晶體結(jié)構(gòu)如圖Z16-6(a)所示。 圖Z16-6 ①NiO的晶體結(jié)構(gòu)可描述為:氧原子位于面心和頂點(diǎn),氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙,鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的　　　　體空隙中。 ②已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相似,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66 pm 和69 pm。則熔點(diǎn):MgO　　(填“>”“<”或“=”)NiO,理由是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　。 ③一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認(rèn)為O2-作密置單層排列,Ni2+填充在O2-形成的正三角形空隙中,如圖Z16-6(b),已知O2-的半徑為a m,每平方米面積上分散的NiO的質(zhì)量為　　　　g。(用a、NA表示) 6.亞鐵氰化鉀(結(jié)構(gòu)式如圖Z16-7所示)屬于歐盟批準(zhǔn)使用的食品添加劑。亞鐵氰化鉀不穩(wěn)定,受熱易分解:3K4[Fe(CN)6]12KCN+Fe3C+2(CN)2↑+N2↑+C;K4[Fe(CN)6]+K2CO35KCN+KOCN+Fe+CO2↑。 圖Z16-7 (1)基態(tài)Fe原子的未成對(duì)電子數(shù)為　　　　;K4[Fe(CN)6]中Fe2+與CN-的中心原子形成的化學(xué)鍵類型為　　　　,提供孤電子對(duì)的成鍵原子是　　　　。 (2)KOCN中陰離子OCN-的幾何構(gòu)型為　　　　,中心原子的雜化軌道類型為　　　　。O、C、N的第一電離能從大到小的順序?yàn)椤　　　　?電負(fù)性從大到小的順序?yàn)椤　　　　? (3)(CN)2的結(jié)構(gòu)式為　　　　。 圖Z16-8 (4)KCN的晶體結(jié)構(gòu)如圖Z16-8所示,已知晶胞參數(shù)a=0.648 nm。則K+的配位數(shù)為　　　,緊鄰的兩個(gè)K+的距離為　　　　cm,該晶體的密度為　　　　　　　　(列出計(jì)算式)gcm-3。 7.稀土元素是指元素周期表中原子序數(shù)為57 到71 的15種鑭系元素,以及與鑭系元素化學(xué)性質(zhì)相似的鈧(Sc)和釔(Y)共17 種元素。稀土有“工業(yè)維生素”的美稱,如今已成為極其重要的戰(zhàn)略資源。 (1)鈧(Sc)為21號(hào)元素,位于周期表的　　　　區(qū),基態(tài)原子價(jià)電子排布圖為　　　　　　。 (2)離子化合物 Na3[Sc(OH)6]中,存在的化學(xué)鍵除離子鍵外還有　　　　　　　　　。 (3)Sm(釤)的單質(zhì)與1,2-二碘乙烷可發(fā)生如下反應(yīng):Sm+ICH2CH2ISmI2+CH2CH2。 ICH2CH2I中碳原子雜化軌道類型為　　　　　　　　,1 mol CH2CH2中含有的σ鍵數(shù)目為　　　　。常溫下1,2-二碘乙烷為液體而乙烷為氣體,其主要原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　。 (4)PrO2(二氧化鐠)的晶體結(jié)構(gòu)與CaF2相似,晶胞中Pr(鐠)原子位于面心和頂點(diǎn)。則PrO2(二氧化鐠)的晶胞中有　　　　個(gè)氧原子。 (5)Ce(鈰)單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù)a=516 pm。晶胞中Ce(鈰)原子的配位數(shù)為　　　　,列式表示Ce(鈰)單質(zhì)的密度:　　　　　　　　　　　　　gcm-3(用NA表示阿伏伽德羅常數(shù)的值,不必計(jì)算出結(jié)果)。 8.銅和硫的化合物在化工、醫(yī)藥材料等領(lǐng)域具有廣泛的用途。回答下列問題: (1)原子軌道是指電子在原子核外的　　　　　　　　,基態(tài)S原子的原子軌道數(shù)是　　　　個(gè)。 (2)基態(tài)Cu原子中,核外電子占據(jù)的原子軌道為球形的最高能級(jí)的符號(hào)是　　　,占據(jù)該能級(jí)的電子數(shù)為　　　。 (3)Cl、S、Se在元素周期表中處于相鄰的位置,其第一電離能的大小順序?yàn)椤　　　　? 圖Z16-9 (4)圖Z16-9是含元素Cu、S的有機(jī)物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。 ①該有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)中含有的化學(xué)鍵類型是　　　　(填“共價(jià)鍵”“離子鍵”或“共價(jià)鍵、離子鍵”)、配位鍵,其中1個(gè)該有機(jī)物分子中配位鍵的數(shù)目為　　　　　個(gè),這些配位鍵中提供孤電子對(duì)的元素是　　　。 ②S原子的雜化方式為　　　　、帶*N原子的雜化方式為　　　　。 圖Z16-10 (5)圖Z16-10是Cu-Au合金的一種立方晶胞結(jié)構(gòu)。 已知該合金的密度為d gcm-3,阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA,若Au原子的半徑為b pm(1 pm=10-10 cm),則銅原子的半徑為　　　　　　　　　　cm(寫出計(jì)算表達(dá)式)。 專題限時(shí)集訓(xùn)(十六) 1.(1)10　球形　(2)<　< (3)三角錐形　sp3雜化 (4)HIO4中I的正電性更高, 導(dǎo)致I—O—H中O的電子更向I偏移,更容易電離出H+,酸性更強(qiáng) (5)320.446或0.386　12 2146.021023(0.44610-7)3 [解析] (1)基態(tài)K原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s1,所以核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)共10種;核外電子占據(jù)的最高能層為N,K原子最外層4s軌道電子云輪廓為球形。(2)由于K原子的半徑比較大,第一電離能比較:KC>Si　(2)sp　直線形　(3)N　球形 (4)①8　16?、趯aCl晶胞中面心上的Na+和棱邊上的Cl-全部去掉,將頂角上的Na+替換為Cs+(或其他合理答案) [解析] (1)同周期元素第一電離能從左到右有增大的趨勢(shì),同一主族元素從上到下,原子半徑增加,第一電離能逐漸變小,所以元素的第一電離能由大到小的順序是O>C>Si 。(2)CS2分子中碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是2,所以碳原子采用sp雜化,該分子空間構(gòu)型為直線形。(3)基態(tài)Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,所以核外電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為N;Fe原子最外層4s軌道電子云輪廓圖形狀為球形。(4)①由晶胞圖可知,8個(gè)Si位于頂角,6個(gè)Si位于面心,則可得出Si原子個(gè)數(shù)為188+126+4=8,每?jī)蓚€(gè)距離最近的Si原子中心連線的中點(diǎn)處增添一個(gè)O原子,則Si、O原子的個(gè)數(shù)比為1∶2,O原子個(gè)數(shù)為16。②利用NaCl晶胞推導(dǎo)出CsCl晶胞的方法:將NaCl晶胞中面心上的Na+和棱邊上的Cl-全部去掉,將頂角上的Na+替換為Cs+。 4.(1)[Ar]3d84s2(或1s22s22p63s23p63d84s2)　吸收 (2)①N　sp2、sp3 ②NH3>H2S>CH4　CH4為非極性分子,NH3、H2S均為極性分子,且NH3能與水形成氫鍵 (3)①立方體　沒有自由移動(dòng)的離子和電子?、?4a-b [解析] (1)Ni的原子序數(shù)為28,根據(jù)能量最低原理可寫出電子排布式為[Ar]3d84s2或1s22s22p63s23p63d84s2。(2)①組成該晶體的元素有C、H、N、O、S,O、S 屬于同一主族元素,同一主族元素的第一電離能從上而下依次減小,故O>S;C、N、O屬于同一周期元素且原子序數(shù)依次增大,同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,但第ⅤA族的大于第ⅥA族的,所以第一電離能大小順序是N>O>C,故第一電離能最大的是N。該晶體甲基中的碳為sp3雜化,[C(NH2)3+]中的C為sp2雜化。②元素C、N、S的氣態(tài)氫化物在水中的溶解度從大到小的順序?yàn)镹H3>H2S>CH4,原因是CH4為非極性分子,NH3、H2S均為極性分子,且NH3能與水之間形成氫鍵。(3)①由圖可知,晶胞中Na堆積形成立方體空隙,He占據(jù)一半空隙,另一半由e-占據(jù)。Na2He晶體中沒有自由移動(dòng)的離子和電子,因此不能導(dǎo)電。②已知晶胞邊長(zhǎng)為a nm,Na與He原子之間的最短距離為34a nm,晶胞中Na的半徑為b nm,則He的半徑為34a-b nm。 5.(1)1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2　Cl>P>S (2)sp3　V形 (3)Fe(CO)5　1∶1　分子 (4)①正八面　 ②>　Mg2+半徑比 Ni2+小, MgO的晶格能比 NiO大　③2532a2NA [解析] (1)鈷元素是第27號(hào)元素,位于第四周期第Ⅷ族,基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2;同周期元素第一電離能從左到右有增大的趨勢(shì),P元素原子的3p軌道為半充滿結(jié)構(gòu),第一電離能較高,高于S元素而低于Cl元素,故第一電離能大小順序?yàn)镃l>P>S。(2)SCl2中S原子雜化軌道數(shù)為4,采取sp3雜化方式,該分子空間構(gòu)型為V形。(3)CO作配體時(shí)可提供的電子數(shù)為2,Fe的價(jià)電子排布式是3d64s2,一共有8個(gè)價(jià)電子,遵循18電子規(guī)則,則Fe與CO形成的配合物的化學(xué)式為Fe(CO)5。每個(gè)CO分子內(nèi)含有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵,而每個(gè)CO分子同時(shí)又通過1個(gè)σ配位鍵與Ni原子連接,所以σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)之比為1∶1。Ni(CO)4的熔沸點(diǎn)較低,所以該物質(zhì)是分子晶體。(4)①由圖可知,氧原子形成的正四面體空隙中不含鎳原子,形成的正八面體空隙中含有一個(gè)鎳原子,則該晶體中鎳原子填充在氧原子形成的正八面體空隙中。②晶體結(jié)構(gòu)相似時(shí),離子半徑越小離子鍵強(qiáng)度越高,Mg2+半徑比Ni2+小,MgO的晶格能比NiO大,故熔點(diǎn)MgO>NiO。③圖中的“單分子層”可以如圖畫出一維重復(fù)單元: 重復(fù)單元呈平行四邊形,由相鄰四個(gè)O原子中心的連線組成,每個(gè)重復(fù)單元包含1個(gè)O原子和1個(gè)Ni原子,NiO相對(duì)分子質(zhì)量為75。重復(fù)單元所占的平行四邊形面積:S=2a3a=23a2 m2,則1平方米上該晶體的質(zhì)量為123a21NA75 g,即2532a2NA g。 6.(1)4　配位鍵　C (2)直線形　sp　N>O>C　O>N>C (3)N≡C—C≡N (4)6　4.5810-8　465NA(6.4810-8)3 [解析] (1)鐵為26號(hào)元素,基態(tài)Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,3d中有4個(gè)未成對(duì)電子;K4[Fe(CN)6]中Fe2+與CN-的中心原子形成的化學(xué)鍵為配位鍵,提供孤電子對(duì)的成鍵原子是C。(2)KOCN中陰離子OCN-與CO2互為等電子體,結(jié)構(gòu)相似,幾何構(gòu)型為直線形,中心原子的雜化軌道類型為sp雜化;同一周期,從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),但第ⅡA族、第ⅤA族元素的第一電離能大于相鄰元素,O、C、N的第一電離能從大到小的順序?yàn)镹>O>C;一般元素的非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性數(shù)值越大,電負(fù)性從大到小的順序?yàn)镺>N>C。(3) 氰分子為直線形,因C形成4個(gè)化學(xué)鍵、N形成3個(gè)化學(xué)鍵,則其結(jié)構(gòu)式為N≡C—C≡N。(4)KCN的晶胞中含CN-數(shù)目為1214+1=4,含K+數(shù)目為818+612=4,晶體中K+周圍緊鄰的CN-數(shù)為6,即晶體中K+的配位數(shù)為6;緊鄰的兩個(gè)K+的距離為面對(duì)角線的一半=0.648 nm22≈4.5810-8 cm;晶胞的體積為(0.64810-7)3 cm3,NA個(gè)晶胞的質(zhì)量為[4(39+12+14)] g=(465) g,則KCN晶體的密度為465NA(6.4810-8)3 gcm-3。 7.(1)d　 (2)共價(jià)鍵和配位鍵 (3)sp3　3.011024或5NA　1,2-二碘乙烷的相對(duì)分子質(zhì)量較大,分子間作用力較強(qiáng),沸點(diǎn)相對(duì)較高 (4)8　(5)12　4140NA(51610-10)3 [解析] (1)鈧為21號(hào)元素,核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d14s2,則鈧元素位于周期表的d區(qū),基態(tài)原子價(jià)電子排布圖為。(3)在ICH2CH2I分子中碳原子只形成了單鍵,有四個(gè)單鍵,故碳原子雜化軌道類型為sp3;1個(gè)CH2CH2分子中含有5個(gè)σ鍵,故1 mol CH2CH2中含有的σ鍵數(shù)目為5NA;由于1,2-二碘乙烷的相對(duì)分子質(zhì)量較大,分子間作用力較強(qiáng),沸點(diǎn)相對(duì)較高,所以常溫下1,2-二碘乙烷為液體而乙烷為氣體。(4)在晶胞中,Y為鐠原子,X為氧原子,可以看到氧原子在晶胞的內(nèi)部,故此晶胞中應(yīng)有8個(gè)氧原子。(5)Ce(鈰)單質(zhì)為面心立方晶體,以晶胞頂點(diǎn)的鈰原子為例,與之距離最近的鈰原子分布在經(jīng)過該頂點(diǎn)的所有立方體的面心上,這樣的面有12個(gè),所以鈰原子的配位數(shù)為12。晶胞中鈰原子位于頂點(diǎn)和面心,數(shù)目為818+612=4,該晶胞體積為a3,該晶胞的質(zhì)量為4140NA g,根據(jù)ρ=mV可知,密度為4140NA(51610-10)3 gcm-3。 8.(1)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)　9 (2)4s　1　(3)Cl>S>Se (4)①共價(jià)鍵　2　N、O?、趕p3　sp2 (5)223389dNA-b10-10 [解析] (1)原子軌道是指電子在原子核外的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài),基態(tài)S原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p4,s軌道只有1個(gè)軌道、p軌道有3個(gè)軌道,所以其原子軌道數(shù)是9個(gè)。(2) 基態(tài)Cu原子中,核外電子占據(jù)的原子軌道為球形的最高能級(jí)的符號(hào)是4s,占據(jù)該能級(jí)的電子數(shù)為1。(3)Cl、S、Se在元素周期表中處于相鄰的位置,Cl和S同周期、S和Se同主族,其第一電離能的大小順序?yàn)镃l>S>Se。(4)①該有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)中含有的化學(xué)鍵類型是共價(jià)鍵、配位鍵;該有機(jī)物分子中Cu原子與3個(gè)N原子和1個(gè)O原子成鍵,根據(jù)N和O的原子結(jié)構(gòu)及其成鍵情況,可以判斷 1個(gè)該有機(jī)物分子中配位鍵的數(shù)目為2個(gè),這些配位鍵中提供孤電子對(duì)的元素是N、O。②該有機(jī)物分子中S原子有2個(gè)σ鍵和2對(duì)孤電子對(duì),故S原子的雜化方式為sp3;帶*N原子的雜化方式為sp2。(5)由Cu-Au合金的晶胞結(jié)構(gòu)可知,其晶胞中Cu、Au原子分別位于晶胞的面心和頂點(diǎn),所以晶胞中Cu、Au原子數(shù)分別為3和1。已知該合金的密度為d gcm-3,阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA,若Au原子的半徑為b pm(1 pm=10-10 cm),設(shè)Cu原子的半徑為x pm,晶胞的邊長(zhǎng)為a pm,則2a2=(2x+2b)2,a=2(x+b)。NA個(gè)晶胞的質(zhì)量和體積分別為389 g和NA[2(x+b)10-10 cm]3,所以d=389NA[2(x+b)10-10]3,則銅原子的半徑為223389dNA-b10-10 cm。