《高中化學(xué) 第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 章末歸納整合課件 新人教版選修3》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高中化學(xué) 第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 章末歸納整合課件 新人教版選修3（62頁珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、請(qǐng)分別用一句話表達(dá)下列關(guān)鍵詞：請(qǐng)分別用一句話表達(dá)下列關(guān)鍵詞：晶體晶體晶胞晶胞分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子晶體離子晶體晶晶格能格能提示提示晶體：內(nèi)部微粒晶體：內(nèi)部微粒(原子、離子和分子原子、離子和分子)在三維空間按一定在三維空間按一定規(guī)律做周期性有序排列構(gòu)成的固體物質(zhì)，叫晶體。規(guī)律做周期性有序排列構(gòu)成的固體物質(zhì)，叫晶體。晶胞：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元；一般都是平行六面體。晶胞：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元；一般都是平行六面體。分子晶體：由分子構(gòu)成，相鄰分子靠分子間作用力相互吸引。分子晶體：由分子構(gòu)成，相鄰分子靠分子間作用力相互吸引。原子晶體：原子間都以共價(jià)鍵相結(jié)合，是三維的空間網(wǎng)
2、狀結(jié)構(gòu)。原子晶體：原子間都以共價(jià)鍵相結(jié)合，是三維的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。章章 末末 歸歸 納納 整整 合合金屬晶體：通過金屬陽離子與自由電子之間的較強(qiáng)作用形金屬晶體：通過金屬陽離子與自由電子之間的較強(qiáng)作用形成的單質(zhì)晶體，叫做金屬晶體。成的單質(zhì)晶體，叫做金屬晶體。離子晶體：由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。離子晶體：由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。晶格能：氣態(tài)離子形成晶格能：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量，通常取摩離子晶體釋放的能量，通常取正值。正值。一、氯化鈉、氯化銫晶體一、氯化鈉、氯化銫晶體離子晶體離子晶體 由于離子鍵無飽和性與方向性，所以離子晶體中無單由于離子鍵無飽和性與方向
3、性，所以離子晶體中無單 個(gè)分子存在。陰陽離子在晶體中按一定的規(guī)則排列，個(gè)分子存在。陰陽離子在晶體中按一定的規(guī)則排列， 使整個(gè)晶體不顯電性且能量最低。離子的配位數(shù)分析使整個(gè)晶體不顯電性且能量最低。離子的配位數(shù)分析 如下：如下：1氯化鈉晶體中每個(gè)氯化鈉晶體中每個(gè)Na周圍有周圍有6個(gè)個(gè)Cl，每個(gè)，每個(gè)Cl周圍周圍 有有6個(gè)個(gè)Na，與一個(gè)，與一個(gè)Na距離最近且相等的距離最近且相等的Cl圍成的圍成的 空間構(gòu)型為正八面體。每個(gè)空間構(gòu)型為正八面體。每個(gè)Na周圍與其最近且距離周圍與其最近且距離 相等的相等的Na有有12個(gè)。如圖。個(gè)。如圖。因此因此CsCl的一個(gè)晶胞中含有的一個(gè)晶胞中含有1個(gè)個(gè)CsCl(1個(gè)個(gè)C
4、s和和1個(gè)個(gè)Cl)。二、金剛石、二氧化硅二、金剛石、二氧化硅原子晶體原子晶體金剛石晶體金剛石晶體C原子數(shù)原子數(shù) CC鍵鍵數(shù)鍵鍵數(shù)1 2；C原子數(shù)原子數(shù) 六元環(huán)數(shù)六元環(huán)數(shù)1 2。2二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，C被被Si代替，代替，C與與C 之間插氧，即為之間插氧，即為SiO2晶體，則晶體，則SiO2晶體中最小環(huán)為晶體中最小環(huán)為12 環(huán)環(huán)(6個(gè)個(gè)Si，6個(gè)個(gè)O)，即即Si O1 2，用，用SiO2表示。表示。在在SiO2晶體中每個(gè)晶體中每個(gè)Si原子周圍有原子周圍有4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合原子結(jié)合2個(gè)硅原子。一個(gè)個(gè)硅原子。一個(gè)Si原子可形成原
5、子可形成4個(gè)個(gè)SiO鍵，鍵，1 mol Si原子可形成原子可形成4 mol SiO鍵。鍵。但是由此有許多學(xué)生認(rèn)為二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)中一個(gè)最小的但是由此有許多學(xué)生認(rèn)為二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)中一個(gè)最小的環(huán)是由環(huán)是由8個(gè)原子構(gòu)成的。實(shí)際上，在二氧化硅晶體中每個(gè)個(gè)原子構(gòu)成的。實(shí)際上，在二氧化硅晶體中每個(gè)硅原子與周圍的硅原子與周圍的4個(gè)氧原子的成鍵情況與金剛石晶體中的個(gè)氧原子的成鍵情況與金剛石晶體中的碳原子與周圍的其他碳原子連接的情況是相同的。即每個(gè)碳原子與周圍的其他碳原子連接的情況是相同的。即每個(gè)硅原子與周圍的硅原子與周圍的4個(gè)氧原子構(gòu)成一個(gè)正四面體。只是每個(gè)個(gè)氧原子構(gòu)成一個(gè)正四面體。只是每個(gè)氧原子又處在由另
6、一個(gè)硅原子為中心的一個(gè)正四面體上。氧原子又處在由另一個(gè)硅原子為中心的一個(gè)正四面體上。即每個(gè)氧原子為兩個(gè)硅氧四面體共用。如上圖所示。從此即每個(gè)氧原子為兩個(gè)硅氧四面體共用。如上圖所示。從此圖中可以明確看出，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是由圖中可以明確看出，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是由12個(gè)原子構(gòu)成的椅式環(huán)，注意圖中個(gè)原子構(gòu)成的椅式環(huán)，注意圖中OSiO夾角為夾角為10928。三、干冰三、干冰分子晶體分子晶體 干冰晶體是一種立方面心結(jié)構(gòu)，立方體的干冰晶體是一種立方面心結(jié)構(gòu)，立方體的8個(gè)頂角及個(gè)頂角及6 個(gè)面的中心各排布一個(gè)個(gè)面的中心各排布一個(gè)CO2分子，晶胞是一個(gè)面心立分子，晶胞是一個(gè)面心立 方。
7、一個(gè)晶胞實(shí)際擁有的方。一個(gè)晶胞實(shí)際擁有的CO2分子數(shù)為分子數(shù)為4個(gè)個(gè)(均攤法均攤法)， 每個(gè)每個(gè)CO2分子周圍距離相等且最近的分子周圍距離相等且最近的CO2分子共有分子共有12 個(gè)。分子間由分子間作用力形成晶體。每個(gè)個(gè)。分子間由分子間作用力形成晶體。每個(gè)CO2分子分子 內(nèi)存在共價(jià)鍵，因此晶體中既有分子間作用力，又有內(nèi)存在共價(jià)鍵，因此晶體中既有分子間作用力，又有 化學(xué)鍵，但熔、沸點(diǎn)的高低由分子間的作用力決定，化學(xué)鍵，但熔、沸點(diǎn)的高低由分子間的作用力決定， 重要因素是相對(duì)分子質(zhì)量，因此當(dāng)晶體熔化時(shí)，分子重要因素是相對(duì)分子質(zhì)量，因此當(dāng)晶體熔化時(shí)，分子 內(nèi)的化學(xué)鍵不發(fā)生變化。內(nèi)的化學(xué)鍵不發(fā)生變化。四、
8、石墨四、石墨混合型晶體混合型晶體 石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)，在每一層內(nèi)有無數(shù)個(gè)正六邊石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)，在每一層內(nèi)有無數(shù)個(gè)正六邊 形，同層碳原子間以共價(jià)鍵結(jié)合，晶體中形，同層碳原子間以共價(jià)鍵結(jié)合，晶體中CC的夾的夾 角為角為120，層與層之間的作用力為范德華力，每個(gè)，層與層之間的作用力為范德華力，每個(gè)C 原子被原子被6個(gè)棱柱共用，每個(gè)棱柱共用，每6個(gè)棱柱實(shí)際占有的個(gè)棱柱實(shí)際占有的C原子數(shù)原子數(shù) 為為2個(gè)。個(gè)。石墨的獨(dú)特結(jié)構(gòu)決定了它的獨(dú)特性質(zhì)，該晶體實(shí)際介于原石墨的獨(dú)特結(jié)構(gòu)決定了它的獨(dú)特性質(zhì)，該晶體實(shí)際介于原子晶體、分子晶體、金屬晶體之間，因此具有各種晶體的子晶體、分子晶體、金屬晶體之間，因此具有各種
9、晶體的部分性質(zhì)特點(diǎn)，是一種混合型晶體。如熔點(diǎn)高、硬度小、部分性質(zhì)特點(diǎn)，是一種混合型晶體。如熔點(diǎn)高、硬度小、能導(dǎo)電等。能導(dǎo)電等。五、固態(tài)金屬單質(zhì)五、固態(tài)金屬單質(zhì)金屬晶體金屬晶體 金屬金屬(除金屬汞外除金屬汞外)在常溫下都是晶體，在金屬中，金在常溫下都是晶體，在金屬中，金 屬原子好像許多硬球一樣一層一層緊密地堆積著。每屬原子好像許多硬球一樣一層一層緊密地堆積著。每 個(gè)金屬原子周圍都有許多相同的金屬原子圍繞著。其個(gè)金屬原子周圍都有許多相同的金屬原子圍繞著。其 實(shí)由于金屬原子的最外層電子都較少，故金屬原子容實(shí)由于金屬原子的最外層電子都較少，故金屬原子容 易失去電子變成金屬離子。金屬原子釋放電子后形成易
10、失去電子變成金屬離子。金屬原子釋放電子后形成 的離子按一定規(guī)律堆積，釋放的電子則在這個(gè)晶體里的離子按一定規(guī)律堆積，釋放的電子則在這個(gè)晶體里 由運(yùn)動(dòng)，這就是自由電子。在金屬晶體的內(nèi)部，金屬由運(yùn)動(dòng)，這就是自由電子。在金屬晶體的內(nèi)部，金屬 離子和自由電子之間存在較強(qiáng)的相互作用力，這個(gè)作離子和自由電子之間存在較強(qiáng)的相互作用力，這個(gè)作 用力便是金屬鍵。因此有人形象地將金屬鍵比喻為金用力便是金屬鍵。因此有人形象地將金屬鍵比喻為金 屬陽離子沉浸在自由電子的海洋里。屬陽離子沉浸在自由電子的海洋里。 現(xiàn)有四種晶體，其離子排列方式如下圖所示，其中現(xiàn)有四種晶體，其離子排列方式如下圖所示，其中化學(xué)式正確的是化學(xué)式正確
11、的是 ()?！纠?】答案答案CDNaCl的晶胞如圖，每個(gè)的晶胞如圖，每個(gè)NaCl晶胞中含有的晶胞中含有的Na離離子和子和Cl離子的數(shù)目分別是離子的數(shù)目分別是 ()。A. 14，13 B. 1，1 C. 4，4 D. 6，6【例例2】 答案答案C下面關(guān)于下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是 ()。A最小的環(huán)上，有最小的環(huán)上，有3個(gè)個(gè)Si原子和原子和3個(gè)個(gè)O原子原子B最小的環(huán)上，最小的環(huán)上，Si和和O原子數(shù)之比為原子數(shù)之比為1 2C最小的環(huán)上，有最小的環(huán)上，有6個(gè)個(gè)Si原子和原子和6個(gè)個(gè)O原子原子D存在四面體結(jié)構(gòu)單元，存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，處于中心，Si
12、處于處于4個(gè)頂角個(gè)頂角解析解析二氧化硅是原子晶體，結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀，存在硅氧四二氧化硅是原子晶體，結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀，存在硅氧四面體結(jié)構(gòu)，硅處于中心，氧處于面體結(jié)構(gòu)，硅處于中心，氧處于4個(gè)頂角，在個(gè)頂角，在SiO2晶體中，晶體中，每每6個(gè)個(gè)Si和和6個(gè)個(gè)O形成一個(gè)形成一個(gè)12元環(huán)元環(huán)(最小環(huán)最小環(huán))，所以，所以C選項(xiàng)正確，選項(xiàng)正確，A、B、D選項(xiàng)均錯(cuò)誤。選項(xiàng)均錯(cuò)誤。答案答案C【例例3】 石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新材料石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新材料(結(jié)構(gòu)示意圖如下結(jié)構(gòu)示意圖如下)，可由石墨剝離而成，具有極好的應(yīng)，可由石墨剝離而成，具有極好的應(yīng)用前景。下列說法正確的是用前景。下列
13、說法正確的是 ()。A石墨烯與石墨互為同位素石墨烯與石墨互為同位素B0.12 g石墨烯中含有石墨烯中含有6.021022個(gè)碳原子個(gè)碳原子C石墨烯是一種有機(jī)物石墨烯是一種有機(jī)物D石墨烯中的碳原子間以共價(jià)鍵結(jié)合石墨烯中的碳原子間以共價(jià)鍵結(jié)合【例例4】 解析解析同位素的研究對(duì)象是原子，同位素的研究對(duì)象是原子，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；選項(xiàng)錯(cuò)誤；0.12 g石石墨烯的物質(zhì)的量為墨烯的物質(zhì)的量為0.01 mol，所含碳原子個(gè)數(shù)為，所含碳原子個(gè)數(shù)為0.01 NA，B選項(xiàng)錯(cuò)誤；有機(jī)物一般含有碳、氫元素，選項(xiàng)錯(cuò)誤；有機(jī)物一般含有碳、氫元素，C選項(xiàng)錯(cuò)誤；選項(xiàng)錯(cuò)誤；由圖示可知，石墨烯中碳原子間均為共價(jià)鍵結(jié)合，由圖示可知，石墨烯
14、中碳原子間均為共價(jià)鍵結(jié)合，D選項(xiàng)選項(xiàng)正確。正確。答案答案D 乙炔是有機(jī)合成工業(yè)的一種原料。工業(yè)上曾用乙炔是有機(jī)合成工業(yè)的一種原料。工業(yè)上曾用CaC2與水與水反應(yīng)生成乙炔。反應(yīng)生成乙炔。(1) CaC2中中C22與與O22互為等電子體，互為等電子體，O22的電子式可表示的電子式可表示為為_；1 mol O22中含有的中含有的鍵數(shù)目為鍵數(shù)目為_。(2)將乙炔通入將乙炔通入Cu(NH3)2Cl溶液生成溶液生成Cu2C2紅棕色沉淀。紅棕色沉淀。Cu基態(tài)核外電子排布式為基態(tài)核外電子排布式為_。(3)乙炔與氫氰酸反應(yīng)可得丙烯腈乙炔與氫氰酸反應(yīng)可得丙烯腈(H2C=CHCN)。丙烯。丙烯腈分子中碳原子軌道雜化
15、類型是腈分子中碳原子軌道雜化類型是_；分子中處于同一；分子中處于同一直線上的原子數(shù)目最多為直線上的原子數(shù)目最多為_。【例例5】 (4) CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似晶體的相似(如右圖所示如右圖所示)，但，但CaC2晶體中含有的中啞鈴晶體中含有的中啞鈴形形C22的存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。的存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。CaC2晶體中晶體中1個(gè)個(gè)Ca2周圍距離最近的周圍距離最近的C22數(shù)數(shù)目為目為_。解析解析(1)根據(jù)等電子體原理可知，根據(jù)等電子體原理可知，O22的電子式的電子式O O2，在，在1 mol三鍵含有三鍵含有2 mol的的鍵和鍵和1 mol的的鍵，故鍵，
16、故1 mol O22中，含有中，含有2NA個(gè)個(gè)鍵鍵(2)Cu為為29號(hào)元素，要注意號(hào)元素，要注意3d軌道寫在軌道寫在4s軌道的前面同時(shí)還有就軌道的前面同時(shí)還有就是它的是它的3d結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)，Cu的基本電子排布式為的基本電子排布式為1s22s22p63s23p63d10(3)通過丙烯氰的結(jié)構(gòu)可以知道碳原子的雜化軌道類型為通過丙烯氰的結(jié)構(gòu)可以知道碳原子的雜化軌道類型為sp和和sp2雜化，同一直線上有雜化，同一直線上有3個(gè)原子。個(gè)原子。(4)依據(jù)晶胞示意圖可以看出，從晶胞結(jié)構(gòu)圖中可以看出，依據(jù)晶胞示意圖可以看出，從晶胞結(jié)構(gòu)圖中可以看出，1個(gè)個(gè)Ca2周圍距離最近的周圍距離最近的C22有有4個(gè)，而不是個(gè)，
17、而不是6個(gè)，要特別注意題個(gè)，要特別注意題給的信息。給的信息。答案答案(1)O O22NA (2)1s22s22p63s23p63d10(3)sp雜化雜化sp2雜化雜化3(4)4銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途，如金銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途，如金屬銅用來制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑。屬銅用來制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑。(1)Cu位于元素周期表第位于元素周期表第B族。族。Cu2的核外電子排布式的核外電子排布式為為_。(2)下圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可確定該晶下圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個(gè)數(shù)為胞中陰離子的個(gè)數(shù)為_?！纠?/p>
18、例6】 (3)膽礬膽礬CuSO45H2O可寫成可寫成Cu(H2O)4SO4H2O，其結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)示意圖如下：示意圖如下：下列說法正確的是下列說法正確的是_(填字母填字母)。A. 在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都采用在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都采用sp3雜化雜化B. 在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在配位鍵、共價(jià)鍵和離子鍵在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在配位鍵、共價(jià)鍵和離子鍵C. 膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵D. 膽礬中的水在不同溫度下會(huì)分步失去膽礬中的水在不同溫度下會(huì)分步失去(4)往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成Cu(NH3)42配配離子。
19、已知離子。已知NF3與與NH3的空間構(gòu)型都是三角錐形，但的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF3不不易與易與Cu2形成配離子，其原因是形成配離子，其原因是_。(5)Cu2O的熔點(diǎn)比的熔點(diǎn)比Cu2S的的_(填填“高高”或或“低低”)，請(qǐng)解釋原因請(qǐng)解釋原因_。解析解析(1)Cu(電子排布式為：電子排布式為：Ar3d104s1)Cu2的過程中，參的過程中，參與反應(yīng)的電子是最外層的與反應(yīng)的電子是最外層的4s及及3d上各一個(gè)電子，故上各一個(gè)電子，故Cu2離子的離子的電子是為：電子是為：Ar3d9 或或1s22s22p63s23p63d9；(2)從圖中可以看出陰從圖中可以看出陰離子在晶胞有四類：頂角離子在晶胞有四
20、類：頂角(8個(gè)個(gè))、棱上、棱上(4個(gè)個(gè))、面上、面上(2個(gè)個(gè))、體心、體心(1個(gè)個(gè))，根據(jù)立方體的分?jǐn)偡?，可知該晶胞中有，根?jù)立方體的分?jǐn)偡?，可知該晶胞中?個(gè)陰離子；個(gè)陰離子；(3)膽膽礬是由水合銅離子及硫酸根離子構(gòu)成的，屬于離子化合物，礬是由水合銅離子及硫酸根離子構(gòu)成的，屬于離子化合物，C不正確；不正確；(4)N、F、H三種元素的電負(fù)性：三種元素的電負(fù)性：FNH，所以，所以NH3中共用電子對(duì)偏向中共用電子對(duì)偏向N，而在，而在NF3中，共用電子對(duì)偏向中，共用電子對(duì)偏向F，偏離，偏離N原子；原子；(5)由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以
21、亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以離子鍵，所以Cu2O的熔點(diǎn)比的熔點(diǎn)比Cu2S的高。的高。答案答案(1)Ar3d9或或1s22s22p63s23p63d9(2)4個(gè)個(gè)(3)B、D(4)N、F、H三種元素的電負(fù)性：三種元素的電負(fù)性：FNH，在，在NF3中，共用中，共用電子對(duì)偏向電子對(duì)偏向F，偏離，偏離N原子使得氮原子上的孤對(duì)電子難于原子使得氮原子上的孤對(duì)電子難于與與Cu2形成配位鍵形成配位鍵(5)高高 Cu2O與與Cu2S相比陽離子相相比陽離子相同，陰離子所帶的電荷數(shù)也相同，但同，陰離子所帶的電荷數(shù)也相同，但O
22、2半徑比半徑比S2半徑半徑小，所以小，所以Cu2O的晶格能更大，熔點(diǎn)更高的晶格能更大，熔點(diǎn)更高在在NaCl晶體中，晶體中，Na和和Cl的最短平均距離為的最短平均距離為a cm，NaCl晶體的密度為晶體的密度為b gcm3，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為 ()?！纠?】 答案答案B點(diǎn)撥點(diǎn)撥靈活運(yùn)用解題策略處理復(fù)雜、抽象、一般性的問題，靈活運(yùn)用解題策略處理復(fù)雜、抽象、一般性的問題，往往可以使問題變得簡(jiǎn)單、具體、特殊，而易于形成解題往往可以使問題變得簡(jiǎn)單、具體、特殊，而易于形成解題思路。思路。最近科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種由鈦原子和碳原子構(gòu)成的氣態(tài)最近科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種由鈦原子和碳原子構(gòu)成的氣
23、態(tài)團(tuán)簇分子，如圖所示，頂角和面心的原子是鈦原子，棱的團(tuán)簇分子，如圖所示，頂角和面心的原子是鈦原子，棱的中心和體心的原子是碳原子，則它的化學(xué)式是：中心和體心的原子是碳原子，則它的化學(xué)式是：ATiC BTi6C7 CTi14C13 DTi13C14【例例8】 解析解析由于是構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)，而非晶胞結(jié)構(gòu)，由于是構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)，而非晶胞結(jié)構(gòu)，故只需數(shù)出故只需數(shù)出 Ti和和C的數(shù)目，即可得它的化學(xué)式。的數(shù)目，即可得它的化學(xué)式。答案答案C生物質(zhì)能是一種潔凈、可再生的能源。生物質(zhì)氣生物質(zhì)能是一種潔凈、可再生的能源。生物質(zhì)氣(主要成分為主要成分為CO、CO2、H2等等)與與H2混合，催化合成甲
24、醇是混合，催化合成甲醇是生物質(zhì)能利用的方法之一。生物質(zhì)能利用的方法之一。(1)上述反應(yīng)的催化劑含有上述反應(yīng)的催化劑含有Cu、Zn、Al等元素。寫出基態(tài)等元素。寫出基態(tài)Zn原子的核外電子排布式原子的核外電子排布式_。(2)根據(jù)等電子原理，寫出根據(jù)等電子原理，寫出CO分子結(jié)構(gòu)式分子結(jié)構(gòu)式_。(3)甲醇催化氧化可得到甲醛，甲醛與新制甲醇催化氧化可得到甲醛，甲醛與新制Cu(OH)2的堿性的堿性溶液反應(yīng)生成溶液反應(yīng)生成Cu2O沉淀。沉淀。甲醇的沸點(diǎn)比甲醛的高，其主要原因是甲醇的沸點(diǎn)比甲醛的高，其主要原因是_；甲醛；甲醛分子中碳原子軌道的雜化類型為分子中碳原子軌道的雜化類型為_?！纠?】 甲醛分子的空間
25、構(gòu)型是甲醛分子的空間構(gòu)型是_；1 mol甲醛分子中甲醛分子中鍵鍵的數(shù)目為的數(shù)目為_。在在1個(gè)個(gè)Cu2O晶胞中晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示結(jié)構(gòu)如圖所示)，所包含的，所包含的Cu原子數(shù)原子數(shù)目為目為_。解析解析(1)Zn的原子序數(shù)為的原子序數(shù)為30，注意，注意3d軌道寫在軌道寫在4s軌道的軌道的前面；前面；(2)依據(jù)等電子原理，可知依據(jù)等電子原理，可知CO與與N2為等電子體，為等電子體，N2分子的結(jié)構(gòu)式為：分子的結(jié)構(gòu)式為：NN；互為等電子體分子的結(jié)構(gòu)相似，；互為等電子體分子的結(jié)構(gòu)相似，可寫出可寫出CO的結(jié)構(gòu)式；的結(jié)構(gòu)式；(3)甲醇分子之間形成了分子間氫鍵，甲醇分子之間形成了分子間氫鍵，甲醛分子間只是分子間
26、作用力，而沒有形成氫鍵，故甲醇甲醛分子間只是分子間作用力，而沒有形成氫鍵，故甲醇的沸點(diǎn)高；甲醛分子中含有碳氧雙鍵，故碳原子軌道的雜的沸點(diǎn)高；甲醛分子中含有碳氧雙鍵，故碳原子軌道的雜化類型為化類型為sp2雜化；分子的空間構(gòu)型為平面型；雜化；分子的空間構(gòu)型為平面型；1 mol甲醛甲醛分子中含有分子中含有2 mol碳?xì)涮細(xì)滏I，鍵，1 mol碳氧碳氧鍵，故含有鍵，故含有鍵的鍵的數(shù)目為數(shù)目為 3NA；依據(jù)晶胞示意圖可以看出；依據(jù)晶胞示意圖可以看出Cu原子處于晶胞原子處于晶胞內(nèi)部，所包含的內(nèi)部，所包含的Cu原子數(shù)目為原子數(shù)目為4。答案答案(1)1s22s22p63s23p63d104s2 或或Ar3d10
27、4s2(2)CO(3)甲醇分子之間形成氫鍵甲醇分子之間形成氫鍵sp2雜化雜化平面三角形平面三角形3NA4點(diǎn)撥點(diǎn)撥本題主要考查核外電子排布式、等電子體原理、分本題主要考查核外電子排布式、等電子體原理、分子間作用力、雜化軌道、共價(jià)鍵類型、分子的平面構(gòu)型。子間作用力、雜化軌道、共價(jià)鍵類型、分子的平面構(gòu)型。硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子Xm(含含B、O、H三種元素三種元素)的球棍模型如圖所示：的球棍模型如圖所示：【例例10】 (1)在在Xm中，硼原子軌道的雜化類型有中，硼原子軌道的雜化類型有_；配位鍵；配位鍵存在于存在于_原子之間原子之間(填原子的數(shù)字標(biāo)號(hào)填原子的
28、數(shù)字標(biāo)號(hào))；m_(填數(shù)字填數(shù)字)。(2)硼砂晶體由硼砂晶體由Na、Xm和和H2O構(gòu)成，它們之間存在的作構(gòu)成，它們之間存在的作用力有用力有_(填序號(hào)填序號(hào))。A離子鍵離子鍵 B共價(jià)鍵共價(jià)鍵C金屬鍵金屬鍵 D范德華力范德華力E氫鍵氫鍵 解析解析(1)由球棍模型可知，硼原子能形成由球棍模型可知，硼原子能形成3條、條、4條共價(jià)條共價(jià)鍵則鍵則B原子為原子為sp2、sp3雜化；雜化；B原子提供空軌道，原子提供空軌道，O原子提原子提供孤電子對(duì)，故供孤電子對(duì)，故4,5原子之間形成配位鍵；由陰離子的組原子之間形成配位鍵；由陰離子的組成可知，成可知，Xm為為H4B4O9m，得出，得出m2；(2)Na與與Xm間間存
29、在離子鍵，存在離子鍵，H2O分子間存在氫鍵和范德華力。分子間存在氫鍵和范德華力。答案答案(1)sp2、sp34,5(或或5,4)2(2)A、D、E單質(zhì)硼有無定形和晶體兩種，參考下列數(shù)據(jù)：?jiǎn)钨|(zhì)硼有無定形和晶體兩種，參考下列數(shù)據(jù)：【例例11】 金剛石金剛石晶體硅晶體硅晶體硼晶體硼熔點(diǎn)熔點(diǎn)(K)3 8231 6382 573沸點(diǎn)沸點(diǎn)(K)5 1002 6282 823硬度硬度(Moh)107.09.5(1)晶體硼的晶體類型屬于晶體硼的晶體類型屬于_晶晶體，理由是體，理由是_。(2)已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體原子組成的正二十面體(如圖所示如圖所示)
30、，其，其中含有二十個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目中含有二十個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)硼原子。通過觀察圖形及計(jì)算的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)硼原子。通過觀察圖形及計(jì)算確定：確定：該基本結(jié)構(gòu)單元是由該基本結(jié)構(gòu)單元是由_個(gè)硼原子構(gòu)成的；其中個(gè)硼原子構(gòu)成的；其中BB鍵的鍵角為鍵的鍵角為_；所含；所含BB鍵的的數(shù)目是鍵的的數(shù)目是_。若將晶體硼結(jié)構(gòu)單元中的每一個(gè)頂角均削去，余下的部分若將晶體硼結(jié)構(gòu)單元中的每一個(gè)頂角均削去，余下的部分就和就和C60晶體的結(jié)構(gòu)相同，據(jù)此確定：晶體的結(jié)構(gòu)相同，據(jù)此確定：C60是由是由_個(gè)正個(gè)正六邊形和六邊形和_個(gè)正五邊形構(gòu)成。個(gè)正五邊形構(gòu)成。硼酸分子的結(jié)構(gòu)式為硼酸分
31、子的結(jié)構(gòu)式為 和和Al(OH)3的結(jié)構(gòu)相的結(jié)構(gòu)相似，已知似，已知0.01 mol硼酸與硼酸與20 mL 0.5 molL1的的NaOH溶液反溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為應(yīng)的化學(xué)方程式為_。答案答案(1)原子原子晶體硼的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都很高，硬度也很大晶體硼的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都很高，硬度也很大(2)1260302012B(OH)3NaOH=NaBO22H2O點(diǎn)撥點(diǎn)撥物質(zhì)的分子有各種幾何構(gòu)型，應(yīng)用數(shù)學(xué)中的幾何思想，物質(zhì)的分子有各種幾何構(gòu)型，應(yīng)用數(shù)學(xué)中的幾何思想，分析分子結(jié)構(gòu)，能使抽象的變?yōu)榫唧w的，枯燥的變?yōu)槊篮玫模治龇肿咏Y(jié)構(gòu)，能使抽象的變?yōu)榫唧w的，枯燥的變?yōu)槊篮玫?，因此在化學(xué)學(xué)習(xí)過程中，要把數(shù)學(xué)知識(shí)滲透其中，達(dá)
32、到相互融因此在化學(xué)學(xué)習(xí)過程中，要把數(shù)學(xué)知識(shí)滲透其中，達(dá)到相互融合，互相促進(jìn)，形成立體化知識(shí)結(jié)構(gòu)，有利于發(fā)散思維、創(chuàng)新合，互相促進(jìn)，形成立體化知識(shí)結(jié)構(gòu)，有利于發(fā)散思維、創(chuàng)新思維的形成，解題是為了培養(yǎng)我們的能力，在解題過程中學(xué)會(huì)思維的形成，解題是為了培養(yǎng)我們的能力，在解題過程中學(xué)會(huì)學(xué)習(xí)、學(xué)會(huì)思考、學(xué)會(huì)創(chuàng)新。學(xué)習(xí)、學(xué)會(huì)思考、學(xué)會(huì)創(chuàng)新。鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子。工業(yè)鎂、銅等金屬離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子。工業(yè)上從海水中提取鎂時(shí)，先制備無水氯化鎂，然后將其熔融上從海水中提取鎂時(shí)，先制備無水氯化鎂，然后將其熔融電解，得到金屬鎂。電解，得到金屬鎂。(1)以以MgCl2為原料用熔融鹽電解法制備鎂
33、時(shí)，常加入為原料用熔融鹽電解法制備鎂時(shí)，常加入NaCl、KCl或或CaCl2等金屬氯化物，其主要作用除了降低熔點(diǎn)之等金屬氯化物，其主要作用除了降低熔點(diǎn)之外還有外還有_。(2)已知已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型。某同學(xué)畫出的型。某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示，請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤：晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示，請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤：_?！纠?2】 (3)用鎂粉、堿金屬鹽及堿土金屬鹽等可以做成焰火。燃放用鎂粉、堿金屬鹽及堿土金屬鹽等可以做成焰火。燃放時(shí)，焰火發(fā)出五顏六色的光，請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)時(shí)，焰火發(fā)出五顏六色的光，請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因：光的原因：_。(4)Mg
34、是第三周期元素，該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見是第三周期元素，該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見表：解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：表：解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：_。氧化物氧化物NaFMgF2SiF4熔點(diǎn)熔點(diǎn)/K1 2661 534183(5)人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。有研究表明，化合物人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。有研究表明，化合物X可可用于研究模擬酶，當(dāng)其結(jié)合用于研究模擬酶，當(dāng)其結(jié)合NNOORH或或Cu(I)(I表示化合表示化合價(jià)為價(jià)為1)時(shí)，分別形成時(shí)，分別形成a和和b：a中連接相鄰含中連接相鄰含N雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn)，說明該碳碳鍵具雜環(huán)的碳碳鍵可以旋轉(zhuǎn)，說明該碳碳鍵具有有_鍵的特性。鍵的特性。微
35、粒間的相互作用包括化學(xué)鍵和分子間相互作用，比較微粒間的相互作用包括化學(xué)鍵和分子間相互作用，比較a和和b中微粒間相互作用力的差異：中微粒間相互作用力的差異：_。答案答案(1)增大離子濃度，從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性增大離子濃度，從而增大熔融鹽的導(dǎo)電性(2)應(yīng)為應(yīng)為黑色黑色(3)原子核外電子按一定軌道順序排列，軌道離核越遠(yuǎn)，能量原子核外電子按一定軌道順序排列，軌道離核越遠(yuǎn)，能量越高。燃燒時(shí)，電子獲得能量，從內(nèi)側(cè)軌道躍遷到外側(cè)的另越高。燃燒時(shí)，電子獲得能量，從內(nèi)側(cè)軌道躍遷到外側(cè)的另一條軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，它一條軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，它隨即就會(huì)跳回原來軌道
36、，并向外界釋放能量隨即就會(huì)跳回原來軌道，并向外界釋放能量(光能光能)(4)NaF與與MgF2為離子晶體，為離子晶體，SiF4為分子晶體，所以為分子晶體，所以NaF與與MgF2遠(yuǎn)比遠(yuǎn)比SiF4熔點(diǎn)要高。又因?yàn)槿埸c(diǎn)要高。又因?yàn)镸g2的半徑小于的半徑小于Na的的半徑，所以半徑，所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，的離子鍵強(qiáng)度，故故MgF2的熔點(diǎn)大于的熔點(diǎn)大于NaF(5)a中微粒間的相互作用為氫鍵，中微粒間的相互作用為氫鍵，b中微粒間的相中微粒間的相互作用為配位共價(jià)鍵互作用為配位共價(jià)鍵1根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同 提示提示一般熔、沸點(diǎn)：固液
37、氣，如：碘單質(zhì)汞一般熔、沸點(diǎn)：固液氣，如：碘單質(zhì)汞 CO22由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn) 提示提示同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸 低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊， 即即C，Si，Ge，Sn越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似； 還有還有A族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；A族的錫熔點(diǎn)比鉛族的錫熔點(diǎn)比鉛 低。低。3同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律 提示提示高熔點(diǎn)單質(zhì)高熔點(diǎn)單質(zhì)C，Si，B三角形
38、小區(qū)域，因其為原子三角形小區(qū)域，因其為原子 晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3 550 。 金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部，其最高熔金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部，其最高熔 點(diǎn)為鎢點(diǎn)為鎢(3 410 )。 低熔點(diǎn)單質(zhì)低熔點(diǎn)單質(zhì)非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上 方，另有方，另有A的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的 最低者，如氦的熔點(diǎn)最低者，如氦的熔點(diǎn)(272.2 ，26105Pa)、沸點(diǎn)、沸點(diǎn) (268.9 )最低。最低。 金屬的低
39、熔點(diǎn)區(qū)有兩處：金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：A、B族族Zn，Cd，Hg及及A族族 中中Al，Ge，Th；A族的族的Sn，Pb；A族的族的Sb，Bi，呈三角，呈三角 形分布。最低熔點(diǎn)是形分布。最低熔點(diǎn)是Hg(38.87 )，近常溫呈液態(tài)的鎵，近常溫呈液態(tài)的鎵 (29.78 )、銫、銫(28.4 )，體溫即能使其熔化。，體溫即能使其熔化。4從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律 提示提示晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)：不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)：不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成 分有關(guān)分有關(guān)(凝固點(diǎn)不固定凝固點(diǎn)不固定)。非晶體物質(zhì)，如玻璃、水。非晶體物質(zhì)，如玻璃、水 泥、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性泥
40、、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性(軟化過軟化過 程程)直至液體，沒有熔點(diǎn)。直至液體，沒有熔點(diǎn)。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶 體。體。 在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則 熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比 較。如較。如 鍵長(zhǎng)：金剛石鍵長(zhǎng)：金剛石(CC)碳化硅碳化硅(SiC)晶體硅晶體硅(SiSi)。 熔點(diǎn)：金剛石碳化硅晶體硅熔點(diǎn)：金剛石碳化硅晶體硅在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之在離子晶體中
41、，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低。和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低。如如KFKClKBrKI，CaOKCl。分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。(具有氫鍵具有氫鍵的分子晶體，熔沸點(diǎn)反常地高，如：的分子晶體，熔沸點(diǎn)反常地高，如：H2OH2TeH2SeH2S，C2H5OHCH3OCH3)。對(duì)于分子晶體而言又與。對(duì)于分子晶體而言又與極性大小有關(guān)，其判斷思路大體是：極性大小有關(guān)，其判斷思路大體是：組成和結(jié)構(gòu)相似的
42、分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：CH4SiH4GeH4SnH4。組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量相近相對(duì)分子質(zhì)量相近)，分子極性越，分子極性越大，其熔沸點(diǎn)就越高。如：大，其熔沸點(diǎn)就越高。如：CON2，CH3OHCH3CH3。在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。如如C17H35COOH(硬脂酸硬脂酸)C17H33COOH(油酸油酸)；烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳
43、原子烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如C2H6CH4，C2H5ClCH3Cl，CH3COOHHCOOH。同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，熔沸點(diǎn)降低。如：熔沸點(diǎn)降低。如：CH3(CH2)3CH3(正正)CH3CH2CH(CH3)2(異異)(CH3)4C)(新新)。芳香烴的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、。芳香烴的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、鄰、間位降低。鄰、間位降低。(沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低)金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、
44、沸點(diǎn)金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大，如鎢、鉑等高的比例數(shù)很大，如鎢、鉑等(但也有低的如汞、銫等但也有低的如汞、銫等)。在。在金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，反之越低。如反之越低。如NaMgAl。合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金純鋁合金純鋁(或純硅或純硅)。5某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)
45、律性 提示提示同周期主族同周期主族(短周期短周期)金屬熔點(diǎn)。如金屬熔點(diǎn)。如LiBe， NaMgAl 堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2 000 以上，比其他族以上，比其他族 氧化物顯著高，所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材氧化物顯著高，所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材 料。料。 鹵化鈉鹵化鈉(離子型鹵化物離子型鹵化物)熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而 降低。如降低。如NaFNaClNaBrNaI。 通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有：通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有： 化學(xué)鍵，分子間力化學(xué)鍵，分子間力(范德華力范德華力)、氫鍵；、氫鍵
46、；晶體結(jié)構(gòu)，晶體結(jié)構(gòu)， 有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好像石墨跟金剛石就有點(diǎn)不有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好像石墨跟金剛石就有點(diǎn)不 一樣；一樣；晶體成分，例如分子篩的硅鋁比；晶體成分，例如分子篩的硅鋁比；雜質(zhì)影響：一般純雜質(zhì)影響：一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的高低不是一句話導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的高低不是一句話可以講清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律?？梢灾v清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律。晶體中原子空間利用率的計(jì)算，實(shí)質(zhì)是考查同學(xué)們的空間晶體中原子空間利用率的計(jì)
47、算，實(shí)質(zhì)是考查同學(xué)們的空間想象能力和幾何計(jì)算能力。此類題目要運(yùn)用數(shù)形結(jié)合的分想象能力和幾何計(jì)算能力。此類題目要運(yùn)用數(shù)形結(jié)合的分析方法，一般要先畫出金屬晶體的側(cè)面圖，再用勾股定理析方法，一般要先畫出金屬晶體的側(cè)面圖，再用勾股定理計(jì)算。計(jì)算。(1)計(jì)算每個(gè)晶胞含有幾個(gè)原子。計(jì)算每個(gè)晶胞含有幾個(gè)原子。(2)找出原子半徑找出原子半徑r與晶胞邊長(zhǎng)與晶胞邊長(zhǎng)a的關(guān)系。的關(guān)系。學(xué)科思想培養(yǎng)六學(xué)科思想培養(yǎng)六 數(shù)形結(jié)合思想計(jì)算晶體空間利用率數(shù)形結(jié)合思想計(jì)算晶體空間利用率某些晶體某些晶體(Cu、Ag、Au)的原子按面心立方的形式的原子按面心立方的形式緊密堆積，即在晶體結(jié)構(gòu)中可以畫出一個(gè)立方體的結(jié)構(gòu)單緊密堆積，即在晶體結(jié)構(gòu)中可以畫出一個(gè)立方體的結(jié)構(gòu)單元，金屬原子處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)側(cè)面上，試計(jì)元，金屬原子處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)側(cè)面上，試計(jì)算這類金屬晶體原子的空間利用率。算這類金屬晶體原子的空間利用率。【例例1】 答案答案該類金屬晶體原子的空間利用率為該類金屬晶體原子的空間利用率為74%下圖為某晶體的一個(gè)晶胞，該晶體由下圖為某晶體的一個(gè)晶胞，該晶體由A、B、C三種三種基本粒子組成。試根據(jù)圖示判斷，該晶體的化學(xué)式是基本粒子組成。試根據(jù)圖示判斷，該晶體的化學(xué)式是 ()。AA6B8C BA2B4CCA3BC DA3B4C【例例2】 答案答案C
高中化學(xué) 第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 章末歸納整合課件 新人教版選修3
