半導(dǎo)體物理學(xué)基本概念

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1、貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 基本概念基本概念 有效質(zhì)量有效質(zhì)量-載流子在晶體中的表觀質(zhì)量，它體現(xiàn)了載流子在晶體中的表觀質(zhì)量，它體現(xiàn)了周期場(chǎng)對(duì)電子運(yùn)動(dòng)的影響。其物理意義：周期場(chǎng)對(duì)電子運(yùn)動(dòng)的影響。其物理意義：1）有效質(zhì)）有效質(zhì)量的大小仍然是慣性大小的量度；量的大小仍然是慣性大小的量度；2）有效質(zhì)量反映）有效質(zhì)量反映了電子在晶格與外場(chǎng)之間能量和動(dòng)量的傳遞，因此可了電子在晶格與外場(chǎng)之間能量和動(dòng)量的傳遞，因此可正可負(fù)。正可負(fù)。 空穴空穴-是一種準(zhǔn)粒子，代表半導(dǎo)體近滿帶（價(jià)帶）是一種準(zhǔn)粒子，代表半導(dǎo)體近滿帶（價(jià)帶）中的少量空態(tài)，相當(dāng)于具有正的電子電荷和正的有效中的少量空態(tài)，

2、相當(dāng)于具有正的電子電荷和正的有效質(zhì)量的粒子，描述了近滿帶中大量電子的運(yùn)動(dòng)行為。質(zhì)量的粒子，描述了近滿帶中大量電子的運(yùn)動(dòng)行為。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 回旋共振回旋共振-半導(dǎo)體中的電子在恒定磁場(chǎng)中受洛侖茲力作半導(dǎo)體中的電子在恒定磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用將作回旋運(yùn)動(dòng)，此時(shí)在半導(dǎo)體上再加垂直于磁場(chǎng)的交變用將作回旋運(yùn)動(dòng)，此時(shí)在半導(dǎo)體上再加垂直于磁場(chǎng)的交變磁場(chǎng)，當(dāng)交變磁場(chǎng)的頻率等于電子的回旋頻率時(shí)，發(fā)生強(qiáng)磁場(chǎng)，當(dāng)交變磁場(chǎng)的頻率等于電子的回旋頻率時(shí)，發(fā)生強(qiáng)烈的共振吸收現(xiàn)象，稱為回旋共振。烈的共振吸收現(xiàn)象，稱為回旋共振。 施主施主-在半導(dǎo)體中起施予電子作用的雜質(zhì)。在半導(dǎo)體中起施予電子作用的雜質(zhì)。 受主

3、受主-在半導(dǎo)體中起接受電子作用的雜質(zhì)。在半導(dǎo)體中起接受電子作用的雜質(zhì)。 雜質(zhì)電離能雜質(zhì)電離能-使中性施主雜質(zhì)束縛的電子電離或使中性使中性施主雜質(zhì)束縛的電子電離或使中性受主雜質(zhì)束縛的空穴電離所需要的能量。受主雜質(zhì)束縛的空穴電離所需要的能量。 n-型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體-以電子為主要載流子的半導(dǎo)體。以電子為主要載流子的半導(dǎo)體。 p-型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體-以空穴為主要載流子的半導(dǎo)體。以空穴為主要載流子的半導(dǎo)體。 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 淺能級(jí)雜質(zhì)淺能級(jí)雜質(zhì)-雜質(zhì)能級(jí)位于半導(dǎo)體禁帶中靠近導(dǎo)帶底或價(jià)雜質(zhì)能級(jí)位于半導(dǎo)體禁帶中靠近導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂，即雜質(zhì)電離能很低的雜質(zhì)。淺能級(jí)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)帶頂，即雜質(zhì)電

4、離能很低的雜質(zhì)。淺能級(jí)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性質(zhì)有較大的影響。電性質(zhì)有較大的影響。 深能級(jí)雜質(zhì)深能級(jí)雜質(zhì)-雜質(zhì)能級(jí)位于半導(dǎo)體禁帶中遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底（施雜質(zhì)能級(jí)位于半導(dǎo)體禁帶中遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底（施主）或價(jià)帶頂（受主），即雜質(zhì)電離能很大的雜質(zhì)。深能級(jí)主）或價(jià)帶頂（受主），即雜質(zhì)電離能很大的雜質(zhì)。深能級(jí)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性質(zhì)影響較小，但對(duì)半導(dǎo)體中非平衡載流雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性質(zhì)影響較小，但對(duì)半導(dǎo)體中非平衡載流子的復(fù)合過程有重要作用。位于半導(dǎo)體禁帶中央能級(jí)附近的子的復(fù)合過程有重要作用。位于半導(dǎo)體禁帶中央能級(jí)附近的深能級(jí)雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心。深能級(jí)雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心。 雜質(zhì)補(bǔ)償雜質(zhì)補(bǔ)償-在半導(dǎo)體中同時(shí)存在施主和受主雜質(zhì)時(shí)

5、，存在雜在半導(dǎo)體中同時(shí)存在施主和受主雜質(zhì)時(shí)，存在雜質(zhì)補(bǔ)償現(xiàn)象，即施主雜質(zhì)束縛的電子優(yōu)先填充受主能級(jí)，實(shí)質(zhì)補(bǔ)償現(xiàn)象，即施主雜質(zhì)束縛的電子優(yōu)先填充受主能級(jí)，實(shí)際的有效雜質(zhì)濃度為補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，即兩者之差。際的有效雜質(zhì)濃度為補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，即兩者之差。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 直接帶隙直接帶隙-半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于k空間同一位空間同一位置時(shí)稱為直接帶隙。直接帶隙材料中載流子躍遷幾率較置時(shí)稱為直接帶隙。直接帶隙材料中載流子躍遷幾率較大。大。 間接帶隙間接帶隙-半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于k空間不同位空間不同位置時(shí)稱為間接帶隙。間接帶

6、隙材料中載流子躍遷時(shí)需有置時(shí)稱為間接帶隙。間接帶隙材料中載流子躍遷時(shí)需有聲子參與，躍遷幾率較小。聲子參與，躍遷幾率較小。 平衡狀態(tài)與非平衡狀態(tài)平衡狀態(tài)與非平衡狀態(tài)-半導(dǎo)體處于熱平衡態(tài)時(shí)，載半導(dǎo)體處于熱平衡態(tài)時(shí)，載流子遵從平衡態(tài)分布，電子和空穴具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。流子遵從平衡態(tài)分布，電子和空穴具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。半導(dǎo)體處于外場(chǎng)中時(shí)為非平衡態(tài)，載流子分布函數(shù)偏離半導(dǎo)體處于外場(chǎng)中時(shí)為非平衡態(tài)，載流子分布函數(shù)偏離平衡態(tài)分布，電子和空穴不具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，載流平衡態(tài)分布，電子和空穴不具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，載流子濃度也比平衡時(shí)多出一部分，但可認(rèn)為它們各自達(dá)到子濃度也比平衡時(shí)多出一部分，但可認(rèn)為它們各自達(dá)到

7、平衡，可引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)表示。平衡，可引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)表示。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 電中性條件電中性條件-半導(dǎo)體在任何情況下都維持體內(nèi)電中性，半導(dǎo)體在任何情況下都維持體內(nèi)電中性，即單位體積內(nèi)正電荷數(shù)與負(fù)電荷數(shù)相等。即單位體積內(nèi)正電荷數(shù)與負(fù)電荷數(shù)相等。 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體-半導(dǎo)體中載流子分布可由經(jīng)典的玻爾半導(dǎo)體中載流子分布可由經(jīng)典的玻爾茲曼分布代替費(fèi)米分布描述時(shí)，稱之為非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。茲曼分布代替費(fèi)米分布描述時(shí)，稱之為非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體簡(jiǎn)并半導(dǎo)體-半導(dǎo)體重?fù)诫s時(shí)，其費(fèi)米能級(jí)有可能進(jìn)半導(dǎo)體重?fù)诫s時(shí)，其費(fèi)米能級(jí)有可能進(jìn)入到導(dǎo)帶或價(jià)帶中，此時(shí)載流子分布必須用費(fèi)米分布入到導(dǎo)帶或價(jià)帶中

8、，此時(shí)載流子分布必須用費(fèi)米分布描述，稱之為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體有如下性質(zhì)：描述，稱之為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體有如下性質(zhì)：1）雜質(zhì)不能充分電離；雜質(zhì)不能充分電離；2）雜質(zhì)能級(jí)擴(kuò)展為雜質(zhì)能帶。如）雜質(zhì)能級(jí)擴(kuò)展為雜質(zhì)能帶。如果雜質(zhì)能帶與導(dǎo)帶或價(jià)帶相連，則禁帶寬度將減小。果雜質(zhì)能帶與導(dǎo)帶或價(jià)帶相連，則禁帶寬度將減小。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體-本征半導(dǎo)體即純凈半導(dǎo)體，其載流子濃度本征半導(dǎo)體即純凈半導(dǎo)體，其載流子濃度隨溫度增加呈指數(shù)規(guī)律增加。隨溫度增加呈指數(shù)規(guī)律增加。 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體-在半導(dǎo)體中人為地，有控制地?fù)饺肷倭康脑诎雽?dǎo)體中人為地，有控制地?fù)饺肷倭康臏\能級(jí)雜質(zhì)

9、的半導(dǎo)體，可在較大溫度范圍內(nèi)保持半導(dǎo)體淺能級(jí)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，可在較大溫度范圍內(nèi)保持半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度不隨溫度改變。即摻雜的主要作用是在較內(nèi)載流子濃度不隨溫度改變。即摻雜的主要作用是在較大溫度范圍維持半導(dǎo)體中載流濃度不變。大溫度范圍維持半導(dǎo)體中載流濃度不變。 多數(shù)載流子與少數(shù)載流子多數(shù)載流子與少數(shù)載流子-多數(shù)載流子是在半導(dǎo)體輸多數(shù)載流子是在半導(dǎo)體輸運(yùn)過程中起主要作用的載流子，如運(yùn)過程中起主要作用的載流子，如n-型半導(dǎo)體中的電子。型半導(dǎo)體中的電子。而少數(shù)載流子在是在半導(dǎo)體輸運(yùn)過程中起次要作用的載而少數(shù)載流子在是在半導(dǎo)體輸運(yùn)過程中起次要作用的載流子，如流子，如n-型半導(dǎo)體中的空穴。型半導(dǎo)體中的空穴。貴

10、州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 費(fèi)米分布費(fèi)米分布-費(fèi)米分布是費(fèi)米子（電子）在平衡態(tài)時(shí)的分布，費(fèi)米分布是費(fèi)米子（電子）在平衡態(tài)時(shí)的分布，其物理意義是在溫度其物理意義是在溫度T時(shí)，電子占據(jù)能量為時(shí)，電子占據(jù)能量為E的狀態(tài)的幾率，的狀態(tài)的幾率，或能量為或能量為E的狀態(tài)上的平均電子數(shù)。的狀態(tài)上的平均電子數(shù)。 費(fèi)米能級(jí)費(fèi)米能級(jí)-費(fèi)米能級(jí)是費(fèi)米能級(jí)是T=0 K時(shí)電子系統(tǒng)中電子占據(jù)態(tài)和時(shí)電子系統(tǒng)中電子占據(jù)態(tài)和 未未占據(jù)態(tài)的分界線，是占據(jù)態(tài)的分界線，是T=0 K時(shí)系統(tǒng)中電子所能具有的最高能量。時(shí)系統(tǒng)中電子所能具有的最高能量。 漂移速度漂移速度-載流子在外場(chǎng)作用下定向運(yùn)動(dòng)的平均速度，弱場(chǎng)載流子在外場(chǎng)作用下定向

11、運(yùn)動(dòng)的平均速度，弱場(chǎng)下漂移速度大小正比于外場(chǎng)強(qiáng)度。下漂移速度大小正比于外場(chǎng)強(qiáng)度。 遷移率遷移率-描述半導(dǎo)體中載流子在外場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)難易程度的物理描述半導(dǎo)體中載流子在外場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，若外場(chǎng)不太強(qiáng)，載流子運(yùn)動(dòng)遵從歐姆定律時(shí)，遷移率與電量，若外場(chǎng)不太強(qiáng)，載流子運(yùn)動(dòng)遵從歐姆定律時(shí)，遷移率與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)，為一常數(shù)。強(qiáng)場(chǎng)時(shí)，遷移率與外場(chǎng)有關(guān)。場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)，為一常數(shù)。強(qiáng)場(chǎng)時(shí)，遷移率與外場(chǎng)有關(guān)。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 電導(dǎo)率電導(dǎo)率-描述材料導(dǎo)電性質(zhì)的物理量。半導(dǎo)體中載流子描述材料導(dǎo)電性質(zhì)的物理量。半導(dǎo)體中載流子遵從歐姆定律時(shí)，電流密度正比于電場(chǎng)強(qiáng)度，其比例系數(shù)遵從歐姆定律時(shí)，電流密度正比于電

12、場(chǎng)強(qiáng)度，其比例系數(shù)即為電導(dǎo)率。電導(dǎo)率大小與載流子濃度，載流子的遷移率即為電導(dǎo)率。電導(dǎo)率大小與載流子濃度，載流子的遷移率有關(guān)。從微觀機(jī)制看，電導(dǎo)率與載流子的散射過程有關(guān)。有關(guān)。從微觀機(jī)制看，電導(dǎo)率與載流子的散射過程有關(guān)。 電阻率電阻率-電導(dǎo)率的倒數(shù)。本征半導(dǎo)體電阻率隨溫度上升電導(dǎo)率的倒數(shù)。本征半導(dǎo)體電阻率隨溫度上升而單調(diào)下降。同樣，電阻率與載流子的散射過程有關(guān)。而單調(diào)下降。同樣，電阻率與載流子的散射過程有關(guān)。 金屬電阻率金屬電阻率-隨溫度上升而上升。（晶格振動(dòng)散射）隨溫度上升而上升。（晶格振動(dòng)散射）貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 散射幾率散射幾率-載流子在單位時(shí)間內(nèi)被散射的次數(shù)載流子在單位時(shí)

13、間內(nèi)被散射的次數(shù) 平均自由時(shí)間平均自由時(shí)間-載流子在兩次散射之間自由運(yùn)動(dòng)的平均載流子在兩次散射之間自由運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間。時(shí)間。 強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)-電場(chǎng)強(qiáng)度較高時(shí)載流子的平均漂移速度與電電場(chǎng)強(qiáng)度較高時(shí)載流子的平均漂移速度與電場(chǎng)強(qiáng)度間的關(guān)系偏離線性關(guān)系的現(xiàn)象，此時(shí)遷移率不再場(chǎng)強(qiáng)度間的關(guān)系偏離線性關(guān)系的現(xiàn)象，此時(shí)遷移率不再是常數(shù)。電場(chǎng)強(qiáng)度繼續(xù)增加時(shí)，漂移速度不再隨外場(chǎng)增是常數(shù)。電場(chǎng)強(qiáng)度繼續(xù)增加時(shí)，漂移速度不再隨外場(chǎng)增加而變化，達(dá)到飽和。加而變化，達(dá)到飽和。 熱載流子熱載流子-半導(dǎo)體處于強(qiáng)場(chǎng)中時(shí)，電子的平均能量高于半導(dǎo)體處于強(qiáng)場(chǎng)中時(shí)，電子的平均能量高于晶格平均能量，以溫度度量，則電子平均溫度高于晶格晶格

14、平均能量，以溫度度量，則電子平均溫度高于晶格平均溫度，因此稱強(qiáng)場(chǎng)中電子為熱載流子。平均溫度，因此稱強(qiáng)場(chǎng)中電子為熱載流子。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 多能谷散射多能谷散射-半導(dǎo)體中有多個(gè)能量值接近的導(dǎo)帶底時(shí)，半導(dǎo)體中有多個(gè)能量值接近的導(dǎo)帶底時(shí)，電子被散射到不同能谷的現(xiàn)象。電子被散射到不同能谷的現(xiàn)象。 負(fù)微分電導(dǎo)（電阻）負(fù)微分電導(dǎo)（電阻）-定義定義dJ/dE為微分電導(dǎo)，當(dāng)半為微分電導(dǎo)，當(dāng)半導(dǎo)體中電流密度隨電場(chǎng)增加而減小時(shí)，微分電導(dǎo)小于導(dǎo)體中電流密度隨電場(chǎng)增加而減小時(shí)，微分電導(dǎo)小于零，稱為負(fù)微分電導(dǎo)。零，稱為負(fù)微分電導(dǎo)。 耿氏振蕩耿氏振蕩-存在負(fù)微分電導(dǎo)的半導(dǎo)體在強(qiáng)場(chǎng)中電流出存在負(fù)微分電導(dǎo)的

15、半導(dǎo)體在強(qiáng)場(chǎng)中電流出現(xiàn)振蕩的現(xiàn)象。由于載流子分布不均勻，在高阻區(qū)形現(xiàn)振蕩的現(xiàn)象。由于載流子分布不均勻，在高阻區(qū)形成偶極疇，偶極疇不斷產(chǎn)生、長(zhǎng)大、漂移和吸收的過成偶極疇，偶極疇不斷產(chǎn)生、長(zhǎng)大、漂移和吸收的過程便產(chǎn)生微波振蕩。程便產(chǎn)生微波振蕩。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 非平衡載流子非平衡載流子-半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，比平衡態(tài)時(shí)多半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，比平衡態(tài)時(shí)多出來(lái)的那一部分載流子稱為非平衡載流子。出來(lái)的那一部分載流子稱為非平衡載流子。p=n 非平衡載流子的注入與復(fù)合非平衡載流子的注入與復(fù)合-非平衡載流子的產(chǎn)生過非平衡載流子的產(chǎn)生過程稱為注入，非平衡載流子湮滅的過程稱為復(fù)合。程稱為注入，

16、非平衡載流子湮滅的過程稱為復(fù)合。 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)-半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，導(dǎo)帶電子和價(jià)半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空隙不再有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，但可以認(rèn)為它們各自達(dá)帶空隙不再有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，但可以認(rèn)為它們各自達(dá)到平衡，相應(yīng)的費(fèi)米能級(jí)稱為電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。到平衡，相應(yīng)的費(fèi)米能級(jí)稱為電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。 少子壽命少子壽命-非平衡少數(shù)載流子在半導(dǎo)體中存在的平均非平衡少數(shù)載流子在半導(dǎo)體中存在的平均時(shí)間。即產(chǎn)生非平衡載流子的因素去除后，非平衡載流時(shí)間。即產(chǎn)生非平衡載流子的因素去除后，非平衡載流子濃度衰減至初始時(shí)濃度的子濃度衰減至初始時(shí)濃度的1/e倍所需的時(shí)間。倍所需的時(shí)間。貴州大學(xué)新

17、型光電子材料與技術(shù)研究所 直接復(fù)合直接復(fù)合-電子從導(dǎo)帶直接躍遷至價(jià)帶與空穴相遇而電子從導(dǎo)帶直接躍遷至價(jià)帶與空穴相遇而復(fù)合。復(fù)合。 間接復(fù)合間接復(fù)合-電子通過禁帶中的能級(jí)而躍遷至價(jià)帶與空電子通過禁帶中的能級(jí)而躍遷至價(jià)帶與空穴相遇而復(fù)合。穴相遇而復(fù)合。 表面復(fù)合表面復(fù)合-發(fā)生在半導(dǎo)體表面處的復(fù)合。發(fā)生在半導(dǎo)體表面處的復(fù)合。 體內(nèi)復(fù)合體內(nèi)復(fù)合-發(fā)生在半導(dǎo)體內(nèi)部的復(fù)合。發(fā)生在半導(dǎo)體內(nèi)部的復(fù)合。 輻射復(fù)合輻射復(fù)合-電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，多余的能量以輻射光子或聲子的形式釋放。多余的能量以輻射光子或聲子的形式釋放。 俄歇復(fù)合俄歇復(fù)合-電子從高能級(jí)躍遷至低

18、能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，釋放的能量用于其它載流子由較低能態(tài)躍遷至較高能釋放的能量用于其它載流子由較低能態(tài)躍遷至較高能態(tài)。態(tài)。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 復(fù)合中心復(fù)合中心-對(duì)間接復(fù)合起促進(jìn)作用的深能級(jí)雜質(zhì)。相對(duì)間接復(fù)合起促進(jìn)作用的深能級(jí)雜質(zhì)。相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為復(fù)合中心能級(jí)，通常位于半導(dǎo)體禁帶應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為復(fù)合中心能級(jí)，通常位于半導(dǎo)體禁帶中央能級(jí)附近。中央能級(jí)附近。 載流子陷阱載流子陷阱-對(duì)間接復(fù)合起阻礙作用的深能級(jí)雜質(zhì)。對(duì)間接復(fù)合起阻礙作用的深能級(jí)雜質(zhì)。相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為陷阱能級(jí)。相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為陷阱能級(jí)。貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所半導(dǎo)體物理學(xué)

19、半導(dǎo)體物理學(xué) 計(jì)算問題計(jì)算問題 能態(tài)密度能態(tài)密度 費(fèi)米分布費(fèi)米分布 雜質(zhì)電離能雜質(zhì)電離能 載流子濃度載流子濃度 費(fèi)米能級(jí)與準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)費(fèi)米能級(jí)與準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) 電阻率電阻率 電導(dǎo)率電導(dǎo)率貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所例1. 已知Si導(dǎo)帶底在方向，等能面為旋轉(zhuǎn)橢球面，等能面附近能譜： 22223122tlkkkEmm式中mt和ml分別為橫向和縱向有效質(zhì)量。試求Si導(dǎo)帶的能態(tài)密度。解：由能態(tài)密度定義： dZg EdE式中dZ為E-E+dE之間的能量狀態(tài)數(shù)，也可以視為k空間中兩等能面之間的狀態(tài)數(shù)，對(duì)一支能帶： 2iidZgE dEg k dk貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 1 2223 21 23

20、 23224433243*tltlm Em EVabcm mE2222222331212221222tltlkkkkkkEm Em Emm式中為k空間體積元。由等能面為橢球面，此等能面所圍的體積為： 32Vg k,dk貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 兩等能面之間的體積： 3 21 21 233 21 21 232433222tl*tlm mdkdVEdEm mEdE 3 21 21 2333 21 21 2222222222iitltldZgE dEg k dkm mVEdEVm mEdE貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 Si導(dǎo)帶底在方向，包括六個(gè)旋轉(zhuǎn)橢球等能面，故能態(tài)密度： 3 21

21、21 2223 21 21 2223 21 2222 31 31 22 322622622266itlitlcctltlVg EgEm mEVm mEmVEmm mm m能態(tài)密度有效質(zhì)量貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所例2. 某晶體價(jià)電子具有球形等能面，電子能譜為：222kEm試求其能態(tài)密度。解： 1 221 23223 21 2223 21 222222124222222dZg E dEg k dkVVmEmk dkEdEVmEdEVmg EE貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所例3. 求本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度。解：本征半導(dǎo)體的電中性條件：0()exp()()exp()lncF0C

22、BFvvBcFFvCvBBcFFvvBBCE -En = N exp -k TEEpNk TE -EEEN exp -Nk Tk TE -EEEN-k Tk TN 00np貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所*1 200ln223ln24exp()2cvvBiFCpcvBiFngicvBEENk TEENmEEk TEEmEnnpN Nk T貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所例4. 已知處于平衡態(tài)的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體中施主濃度為ND，當(dāng)半導(dǎo)體處于飽和區(qū)時(shí)，求其費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度。0000:()DDDnpnornpNn000,DDpnnN解：只含一種施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體的電中性條件：半導(dǎo)體處于飽和區(qū)時(shí)，e

23、xplnlncFcDBcFDDFcBBccEENNk TEENNEEk Tk TNN 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所02002200/expDiiiDgcvDBnNn pnpnnnNEN NNk T載流子濃度：貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)示意圖半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)示意圖 分布函數(shù)曲線分布函數(shù)曲線 能態(tài)密度曲線能態(tài)密度曲線 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 作圖問題作圖問題貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所典型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)典型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)-價(jià)帶為滿帶，價(jià)帶與緊鄰空帶間禁價(jià)帶為滿帶，價(jià)帶與緊鄰空帶間禁帶寬度較??；室溫下即有電子

24、從價(jià)帶躍升至導(dǎo)帶：帶寬度較??；室溫下即有電子從價(jià)帶躍升至導(dǎo)帶：Eg2eV空帶（導(dǎo)帶）滿帶（價(jià)帶）T=0K。. . . . . . . . .Eg0K貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 Si、Ge的能帶結(jié)構(gòu)（間接帶隙）的能帶結(jié)構(gòu)（間接帶隙）貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 GaAs的能帶結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu) （直接帶隙）（直接帶隙）貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 分布函數(shù)曲線E01f(E)T00FE 能態(tài)密度曲線0FE0EN(E)貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 半導(dǎo)體平衡時(shí)能帶結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體平衡時(shí)能帶結(jié)構(gòu)：p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體EvEFEc 處于非平衡態(tài)時(shí)半導(dǎo)體的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：處于非平衡態(tài)時(shí)半導(dǎo)體的

25、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：EFEcEvn型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體EFEcEvn型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體EFnEFpp型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體EvEFEcEFpEFn貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 實(shí)驗(yàn)規(guī)律實(shí)驗(yàn)規(guī)律 費(fèi)米能級(jí)與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系費(fèi)米能級(jí)與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系 費(fèi)米能級(jí)的位置與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及電子費(fèi)米能級(jí)的位置與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及電子填充能級(jí)水平的關(guān)系填充能級(jí)水平的關(guān)系 雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與溫度的關(guān)系雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與溫度的關(guān)系 雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與雜質(zhì)濃度的關(guān)系雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與雜質(zhì)濃度的關(guān)系 載流子的遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系載流子的遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

26、 半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系 半導(dǎo)體中非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)圖象半導(dǎo)體中非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)圖象貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所費(fèi)米能級(jí)的位置與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及電子填充能級(jí)水平費(fèi)米能級(jí)的位置與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及電子填充能級(jí)水平的關(guān)系的關(guān)系貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與溫度的關(guān)系雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與溫度的關(guān)系貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與雜質(zhì)濃度的關(guān)系雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度與雜質(zhì)濃度的關(guān)系貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所半導(dǎo)體中非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)圖象半導(dǎo)體中非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)圖象