《電力電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料.doc

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《電力電子技術(shù)》課程綜合復(fù)習(xí)題 一、填空題 1、普通晶閘管的圖形符號是 ，三個(gè)電極分別是 ， 和 。 2、逆變是指將 變?yōu)? 的變換。 3、GTR的全稱是 。 4、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有 斬波電路； 斬波電路； 斬波電路。 5、在電力電子器件驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)中要考慮強(qiáng)弱電隔離的問題，通常主要采取的隔離措施包括： 和 。 6、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為　 波，輸出電流波形為　 　波。 7、為了保證逆變器能正常工作，最小逆變角應(yīng)為 。 8、變頻電路從變頻過程可分為 變頻和 變頻兩大類。 二、判斷題 1、KP50—4表示的是額定電壓400V，額定電流50A的普通型晶閘管。 （ ） 2、增大晶閘管整流裝置的控制角α，輸出直流電壓的平均值會增大。 （ ） 3、單相橋式可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為。 （ ） 4、電力場效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。 （ ） 5、逆變角β的起算點(diǎn)為對應(yīng)相鄰相負(fù)半周的交點(diǎn)往左度量。 （ ） 6、電壓型逆變電路，為了反饋感性負(fù)載上的無功能量，必須在電力開關(guān)器件上反并聯(lián)反饋二極管。 （ ） 7、應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰?，其電路中發(fā)生的“逆變”稱有源逆變。 （ ） 8、普通晶閘管額定電流的定義，與其他電氣元件一樣，是用有效值來定義的。 （ ） 9、只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關(guān)斷。 （ ） 10、在單相橋式半控整流電路中，帶大電感負(fù)載，不帶續(xù)流二極管時(shí)，輸出電壓波形中沒有負(fù)面積。 （ ） 11、MOSFET屬于雙極型器件。 （ ） 12、電壓型逆變電路，為了反饋感性負(fù)載上的無功能量，必須在電力開關(guān)器件上反并聯(lián)反饋二極管。 （ ） 13、三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動頻率是150HZ。 （ ） 14、同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流和關(guān)斷電流是一樣大的。 （ ） 三、選擇題 1、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（ ）來表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 2、普通的單相全控整流裝置中一共用了（ ）晶閘管。 A、一只 B、二只 C、三只 D、四只 3、下面哪種功能不屬于變流的功能（ ?。?。 A、有源逆變　　　B、交流調(diào)壓　　　C、變壓器降壓　　D、直流斬波 4、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為（ A ）。 A、三相半波可控整流電路 B、三相半控橋整流橋電路 C、 單相全控橋接續(xù)流二極管電路 D、單相半控橋整流電路 5、三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角γ的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（ A ）。 A、α、Id、 XL、U2 B、α、Id C、α、U2 D、α、U2、 XL 四、簡答題 1、晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件分別是什么？ 2、全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么? 3、載波比N的定義是什么？什么是同步調(diào)制？什么是異步調(diào)制？ 4、電力變流器的換流方式有哪幾種？ 五、綜合分析、計(jì)算題 1、單相橋式全控整流電路，大電感負(fù)載，交流側(cè)電流有效值為220V，負(fù)載電阻Rd為4Ω，計(jì)算當(dāng)時(shí)，直流輸出電壓平均值、輸出電流的平均值；若在負(fù)載兩端并接續(xù)流二極管，其、又是多少？畫出上述兩種情形下的電壓電流波形。 2、三相全控變流器,反電動勢阻感負(fù)載,,L極大,, ,當(dāng)Em=-400V，=60時(shí)求、、的值。 3、晶閘管串聯(lián)的單相半控橋(橋中VT1、VT2為晶閘管),電路如圖所示,U2=100V電阻電感負(fù)載, R=20,L值很大,當(dāng)=時(shí)求流過器件電流的有效值,并作出Ud、Id、IVT,ID的波形。 4、單相全控橋,反電動勢阻感負(fù)載, R=1, L=∞, =100V，,當(dāng)Em=-99V, 時(shí)求、、的值。 《電力電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)題答案 一、填空題 1、普通晶閘管的圖形符號是 ，三個(gè)電極分別是 陽極A ， 陰極K和 門極G 。 2、逆變是指將 直流 變?yōu)? 交流 的變換。 3、GTR的全稱是 電力晶體管 。 4、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有 降壓 斬波電路； 升壓 斬波電路； 升降壓 斬波電路。 5、在電力電子器件驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)中要考慮強(qiáng)弱電隔離的問題，通常主要采取的隔離措施包括： 磁耦合 和 光耦合 。 6、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為　正弦 波，輸出電流波形為　 方 　波。 7、為了保證逆變器能正常工作，最小逆變角應(yīng)為 30～35 。 8、變頻電路從變頻過程可分為 交——交 變頻和 交——直——交 變頻兩大類。 二、判斷題 1、KP50—4表示的是額定電壓400V，額定電流50A的普通型晶閘管。 （ √ ） 2、增大晶閘管整流裝置的控制角α，輸出直流電壓的平均值會增大。 （ ） 3、單相橋式可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為。 （ √ ） 4、電力場效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。 （ ） 5、逆變角β的起算點(diǎn)為對應(yīng)相鄰相負(fù)半周的交點(diǎn)往左度量。 （ √ ） 6、電壓型逆變電路，為了反饋感性負(fù)載上的無功能量，必須在電力開關(guān)器件上反并聯(lián)反饋二極管。 （ √ ） 7、應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰鳎潆娐分邪l(fā)生的“逆變”稱有源逆變。 （ ） 8、普通晶閘管額定電流的定義，與其他電氣元件一樣，是用有效值來定義的。 （ ） 9、只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關(guān)斷。 （ ） 10、在單相橋式半控整流電路中，帶大電感負(fù)載，不帶續(xù)流二極管時(shí)，輸出電壓波形中沒有負(fù)面積。 （ √ ） 11、MOSFET屬于雙極型器件。 （ ） 12、電壓型逆變電路，為了反饋感性負(fù)載上的無功能量，必須在電力開關(guān)器件上反并聯(lián)反饋二極管。 （ √ ） 13、三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動頻率是150HZ。 （ ） 14、同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流和關(guān)斷電流是一樣大的。 （ ） 三、選擇題 1、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（ C ）來表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 2、普通的單相全控整流裝置中一共用了（ D ）晶閘管。 A、一只 B、二只 C、三只 D、四只 3、下面哪種功能不屬于變流的功能（ C?。?。 A、有源逆變　　　B、交流調(diào)壓　　　C、變壓器降壓　　D、直流斬波 4、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為（ A ）。 A、三相半波可控整流電路 B、三相半控橋整流橋電路 C、 單相全控橋接續(xù)流二極管電路 D、單相半控橋整流電路 5、三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角γ的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（ A ）。 A、α、Id、 XL、U2 B、α、Id C、α、U2 D、α、U2、 XL 四、簡答題 1、晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件分別是什么？ 答：陽極和陰極加正向電壓，門極接正向電壓形成了足夠門極電流時(shí)晶閘管導(dǎo)通。 當(dāng)晶閘管陽極電流小于維持電流IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。 2、全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么? 答：其主要作用是抑制電力電子器件的內(nèi)因過電壓、du/dt或者過電流和di/dt，減少器件的開關(guān)損耗。 3、載波比N的定義是什么？什么是同步調(diào)制？什么是異步調(diào)制？ 答：載波比N定義為載波頻率和調(diào)制波頻率之比：N＝/。 同步調(diào)制：取N為常數(shù)，在變頻時(shí)和同步變化。 異步調(diào)制：不變，可變，使N變化的調(diào)制方式。 4、電力變流器的換流方式有哪幾種？ 答：電網(wǎng)換流、負(fù)載換流、強(qiáng)迫換流、器件換流。 五、綜合分析、計(jì)算題 1、單相橋式全控整流電路，大電感負(fù)載，交流側(cè)電流有效值為220V，負(fù)載電阻Rd為4Ω，計(jì)算當(dāng)時(shí)，直流輸出電壓平均值、輸出電流的平均值；若在負(fù)載兩端并接續(xù)流二極管，其、又是多少？畫出上述兩種情形下的電壓電流波形。 解: 不接續(xù)流二極管時(shí)，由于是大電感負(fù)載，故 接續(xù)流二極管時(shí) 不接續(xù)流二極管時(shí)波形如圖a）所示。 接續(xù)流二極管時(shí)波形如圖b）所示。 2、三相全控變流器,反電動勢阻感負(fù)載,,L極大,, ,當(dāng)Em=-400V，=60時(shí)求、、的值。 解：= =6*50*0.001=0.3 ’=2.34cos=2.34*220* cos=-2.34*110=-257.4V =’-=R+ 聯(lián)立上式得=-290.3V （1分）, =109.7A （1分）, =32.9V 又 cos-cos(+)===0.1278 cos(+)=-0.5-0.1278=-0.6278 += = 3、晶閘管串聯(lián)的單相半控橋(橋中VT1、VT2為晶閘管),電路如圖所示,U2=100V電阻電感負(fù)載, R=20,L值很大,當(dāng)=時(shí)求流過器件電流的有效值,并作出Ud、Id、IVT,ID的波形。 解：負(fù)載電壓的平均值為: Ud= 負(fù)載電流的平均值為: Id=Ud/R=67.52/2=33.75(A) 流過晶閘管VTl、VT2的電流有效值為: IVT=19.49(A) 流過二極管VD3、VD4的電流有效值為: IVD==27.56(A) Ud、Id、IVT,ID的波形如下圖： U2 E R L － Ud + Id 4、單相全控橋,反電動勢阻感負(fù)載, R=1, L=∞, =100V，,當(dāng)Em=-99V, 時(shí)求、、的值。 解: ==4*50*0.5*0.001=0.1 （1分） ’=0.9cos=0.9*100* cos=-45V （2分） =’-=R+ （2分） 聯(lián)立上式得=-49.9V, （1分） =49.1A, （1分） =4.9V 又 cos-cos(+)===0.1089 cos(+)=-0.5-0.1089=-0.6089 += =