電子測(cè)量原理課程設(shè)計(jì)報(bào)告

電子測(cè)量原理課程設(shè)計(jì)報(bào)告,電子,測(cè)量,丈量,原理,課程設(shè)計(jì),報(bào)告,講演,呈文 電子測(cè)量原理課程設(shè)計(jì)報(bào)告 題目名稱(chēng)： 通過(guò)霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng) 設(shè)計(jì)題目：通過(guò)霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng) 設(shè)計(jì)目的：通過(guò)用霍爾元件測(cè)量磁場(chǎng)，判斷霍爾元件載流子類(lèi)型，計(jì)算載流子的濃度和遷移速度，以及了解霍爾效應(yīng)測(cè)試中的各種副效應(yīng)及消除方法。 設(shè)計(jì)儀器：QS-H霍爾效應(yīng)組合儀，小磁針，測(cè)試儀。 設(shè)計(jì)原理： 一、通過(guò)霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng) 霍爾效應(yīng)裝置如圖2.3.1-1和圖2.3.1-2所示。將一個(gè)半導(dǎo)體薄片放在垂直于它的磁場(chǎng)中(B的方向沿z軸方向)，當(dāng)沿y方向的電極A、A’上施加電流I時(shí)，薄片內(nèi)定向移動(dòng)的載流子(設(shè)平均速率為u)受到洛倫茲力FB的作用， FB = q u B (1) 無(wú)論載流子是負(fù)電荷還是正電荷，F(xiàn)B的方向均沿著x方向，在磁力的作用下，載流子發(fā)生偏移，產(chǎn)生電荷積累，從而在薄片B、B’兩側(cè)產(chǎn)生一個(gè)電位差VBB’,形成一個(gè)電場(chǎng)E。電場(chǎng)使載流子又受到一個(gè)與FB方向相反的電場(chǎng)力FE， FE＝q E = q VBB’ / b (2) 其中b為薄片寬度，F(xiàn)E隨著電荷累積而增大，當(dāng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)FE＝FB，即 q uB = q VBB’ / b (3) 這時(shí)在B、B’兩側(cè)建立的電場(chǎng)稱(chēng)為霍爾電場(chǎng)，相應(yīng)的電壓稱(chēng)為霍爾電壓，電極B、B’稱(chēng)為霍爾電極。 另一方面，射載流子濃度為n,薄片厚度為d,則電流強(qiáng)度I與u的關(guān)系為： (4) 由(3)和(4)可得到 (5) 令，則 (6) R稱(chēng)為霍爾系數(shù)，它體現(xiàn)了材料的霍爾效應(yīng)大小。根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的元件稱(chēng)為霍爾元件。 在應(yīng)用中，(6)常以如下形式出現(xiàn)： (7) 式中稱(chēng)為霍爾元件靈敏度，I稱(chēng)為控制電流。 由式(7)可見(jiàn)，若I、KH已知，只要測(cè)出霍爾電壓VBB’，即可算出磁場(chǎng)B的大小；并且若知載流子類(lèi)型(n型半導(dǎo)體多數(shù)載流子為電子，P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子為空穴),則由VBB’的正負(fù)可測(cè)出磁場(chǎng)方向，反之，若已知磁場(chǎng)方向，則可判斷載流子類(lèi)型。 由于霍爾效應(yīng)建立所需時(shí)間很短(10-12~10-14s),因此霍爾元件使用交流電或者直流電都可。指示交流電時(shí)，得到的霍爾電壓也是交變的，(7)中的I和VBB’應(yīng)理解為有效值。 二、??? 霍爾效應(yīng)設(shè)計(jì)中的副效應(yīng) 在實(shí)際應(yīng)用中，伴隨霍爾效應(yīng)經(jīng)常存在其他效應(yīng)。例如實(shí)際中載流子遷移速率u服從統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律，速度小的載流子受到的洛倫茲力小于霍爾電場(chǎng)作用力，向霍爾電場(chǎng)作用力方向偏轉(zhuǎn)，速度大的載流子受到磁場(chǎng)作用力大于霍爾電場(chǎng)作用力，向洛倫茲力方向偏轉(zhuǎn)。這樣使得一側(cè)告訴載流子較多，相當(dāng)于溫度較高，而另一側(cè)低速載流子較多，相當(dāng)于溫度較低。這種橫向溫差就是溫差電動(dòng)勢(shì)VE，這種現(xiàn)象稱(chēng)為愛(ài)延豪森效應(yīng)。這種效應(yīng)建立需要一定時(shí)間，如果采用直流電測(cè)量時(shí)會(huì)因此而給霍爾電壓測(cè)量帶來(lái)誤差，如果采用交流電，則由于交流變化快使得愛(ài)延豪森效應(yīng)來(lái)不及建立，可以減小測(cè)量誤差。 此外，在使用霍爾元件時(shí)還存在不等位電動(dòng)勢(shì)引起的誤差，這是因?yàn)榛魻栯姌OB、B’不可能絕對(duì)對(duì)稱(chēng)焊在霍爾片兩側(cè)產(chǎn)生的。由于目前生產(chǎn)工藝水平較高，不等位電動(dòng)勢(shì)很小，故一般可以忽略，也可以用一個(gè)電位器加以平衡(圖2.3.1-1中電位器R1)。 我們可以通過(guò)改變IS和磁場(chǎng)B的方向消除大多數(shù)付效應(yīng)。具體說(shuō)在規(guī)定電流和磁場(chǎng)正反方向后，分別測(cè)量下列四組不同方向的IS和B組合的VBB’,即 ＋B， +I VBB’=V1 -B， +I VBB’=-V2 -B， -I VBB’=V3 ＋B， -I VBB’=-V4 然后得到霍爾電壓平均值，這樣雖然不能消除所有的付效應(yīng)，但其引入的誤差不大，可以忽略不計(jì)。 電導(dǎo)率測(cè)量方法如下圖所示。設(shè)B’C間距離為L(zhǎng)，樣品橫截面積為S=bd，流經(jīng)樣品電流為IS，在零磁場(chǎng)下，測(cè)得B’C間電壓為VB’C,根據(jù)歐姆定律可以求出材料的電導(dǎo)率。v 3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 設(shè)計(jì)內(nèi)容： ? 霍爾效應(yīng)組合儀包括電磁鐵，霍爾樣品和樣品架，換向開(kāi)關(guān)和接線(xiàn)柱，如下圖所示。 ?????? 測(cè)試儀由勵(lì)磁恒流源IM，樣品工作恒流源IS，數(shù)字電流表，數(shù)字毫伏表等組成，儀器面板如下圖： 將測(cè)試儀上IM輸出，IS輸出和VH輸入三對(duì)接線(xiàn)柱分別與設(shè)計(jì)臺(tái)上對(duì)應(yīng)接線(xiàn)柱連接。打開(kāi)測(cè)試儀電源開(kāi)關(guān)，預(yù)熱數(shù)分鐘后開(kāi)始設(shè)計(jì)。 1. IM不變，IM＝0.45A，IS取1.00,1.50……,4.50mA，測(cè)繪VH-IS曲線(xiàn)，計(jì)算RH。 2. 保持IS不變，取IS＝4.50mA，IM取0.100,0.150……,0.450mA，測(cè)繪VH-IM曲線(xiàn)。 3. 在零磁場(chǎng)下，取IS=0.1mA，測(cè)VB’C(即Vd)。 4. 確定樣品導(dǎo)電類(lèi)型，并求 n , μ,s 數(shù)據(jù)記錄： 設(shè)計(jì)室數(shù)據(jù)：σ=5500GS/A，L=3.0mm，b=4.0mm，d=0.5mm (1)Im=.045A Is/mA VH/mV VH/mV VH/mV VH/mV VH(平均)/mV 0.50 -2.03 2.03 2.18 -2.17 2.10 1.50 -6.09 6.09 6.57 -6.55 6.33 2.50 -10.10 10.11 10.90 -10.87 10.50 3.50 -14.13 14.17 15.27 -15.24 14.70 4.50 -18.16 18.14 19.57 -19.55 18.86 (2)Is=4.5mA Im/A VH/mV VH/mV VH/mV VH/mV VH(平均)/mV 0.05 -1.42 1.44 2.72 -2.70 2.07 0.15 -5.45 5.47 6.88 -6.86 6.17 0.25 -9.61 9.63 11.08 -11.05 10.34 0.35 -13.86 13.88 15.26 -15.23 14.56 0.45 -18.03 18.06 19.51 -19.48 18.77 (3)斷開(kāi)Im開(kāi)關(guān)，即Im=0，調(diào)節(jié) Is=0.10mA，測(cè)得 Vd=8.98mV (4)霍爾片電路如圖：測(cè)得VH>0，由左手定則和安培定則判定，載流子為空穴，故霍爾片為p型 數(shù)據(jù)處理： 1. 保持Im不變，取Im＝0.45A，Is取1.00,…,4.50mA,測(cè)繪VH-Is曲線(xiàn)，計(jì)算RH。 VH = A + B * Is Parameter Value Error A 0.0255 0.01869 B 4.189 0.00651 由，得 RH=VHdIB=4.19Ω×0.5×10-3m5500GS=3.81×10-7V?m/G=3.81×10-3Ω?m/T 2. 保持Is不變，取Is＝4.50mA，Im取0.100,0.150…,0.450mA，測(cè)繪VH-Im曲線(xiàn)。 VH = A + B * Im Parameter Value Error A -0.0655 0.04018 B 41.79 0.13988 3. 斷開(kāi)Im開(kāi)關(guān)，即Im =0，調(diào)節(jié) Is=0.10mA，測(cè)得 V=8.98mV 4. 確定樣品導(dǎo)電類(lèi)型，并求 n，μ，σ。 5. 在數(shù)據(jù)記錄圖中，已判斷霍爾元件為n型 6. 載流子濃度：n=1eRH=11.6×10-19×3.81×10-3m-3≈1.64×1021m-3 7. 遷移速率：σ=IsLVBB'bd=0.0034.19×0.004×0.0005Sm≈358.00Sm 8. 遷移率：μ=σRH≈1.36T-1≈1.36×104cm2V?s 設(shè)計(jì)總結(jié)： 霍爾元件的有關(guān)設(shè)計(jì)，展示了其有關(guān)性質(zhì)，它可以實(shí)現(xiàn)磁學(xué)量轉(zhuǎn)變?yōu)殡妼W(xué)量的功能，對(duì)于磁學(xué)量的測(cè)量、操控又十分重要的意義。通過(guò)設(shè)計(jì)，了解了霍爾元件的線(xiàn)性特性，對(duì)于線(xiàn)性元件，采用線(xiàn)性擬合法可以有效減小誤差。另外，消除不對(duì)稱(chēng)因素也是精確測(cè)量的重要問(wèn)題。