2019-2020年高考化學(xué) 考前三月沖刺 第二部分 專題1 考前要點(diǎn)回扣 十 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)?？键c(diǎn)歸納（選考）.doc
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2019-2020年高考化學(xué) 考前三月沖刺 第二部分 專題1 考前要點(diǎn)回扣 十 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)?？键c(diǎn)歸納（選考） 1.核外電子排布表示法 (1)注意涉及洪特規(guī)則特例元素的電子排布式 如Cr：1s22s22p63s23p63d54s1，可簡(jiǎn)化為[Ar]3d54s1 (2)價(jià)層電子排布式，如Fe：3d64s2 (3)電子排布圖，如O： 2.第一電離能的周期性變化規(guī)律 (1)同一周期，隨著原子序數(shù)的增加，元素的第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)，但ⅡA、ⅤA族部分元素例外，比同周期相鄰族的元素的第一電離能都高。 (2)同一主族，隨電子層數(shù)的增加，元素的第一電離能逐漸減小。 3. 4.常見(jiàn)分子的空間構(gòu)型及雜化軌道類型歸納 價(jià)層電子 對(duì)數(shù) 成鍵對(duì)數(shù) 孤電子對(duì) 數(shù) VSEPR模型名稱 分子空間構(gòu)型名稱 中心原子雜化類型 實(shí)例 2 2 0 直線形 直線形 sp BeCl2 3 3 0 平面三 角形 平面三 角形 sp2 BF3 2 1 V形 SO2 4 4 0 正四面 體形 正四 面體形 sp3 CH4 3 1 三角錐形 NH3 2 2 V形 H2O 孤電子對(duì)之間斥力>孤電子對(duì)與σ鍵電子對(duì)斥力>σ鍵電子對(duì)斥力，如H2O分子鍵角- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔，確保文檔完整性，對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來(lái)的問(wèn)題本站不予受理。
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