220kV地區(qū)變電所電氣一次系統(tǒng)設(shè)計(jì)01

220kV地區(qū)變電所電氣一次系統(tǒng)設(shè)計(jì)01,kv,地區(qū),變電所,電氣,一次,系統(tǒng),設(shè)計(jì),01 積極為MVLV配電變壓器的變電站屏蔽設(shè)計(jì) 電機(jī)工程學(xué)系，意大利拉奎拉大學(xué)，67040拉奎拉，波焦迪Roio 電話(huà)：+39-0862434437，傳真：39-0862-434403 電子郵件：c.buccella@ieee.org, felizian@ing.univaq.it, prudenzi@ing.univaq.it 摘要：低頻磁場(chǎng)屏蔽是通過(guò)使用美聯(lián)儲(chǔ)積極的線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)相反的事件之一，降低總的磁場(chǎng)系統(tǒng)。本文提出一個(gè)真正的主動(dòng)防御系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，以減輕位于拉奎拉大學(xué)的工程建設(shè)中的MVLV配電變壓器的變電站的磁場(chǎng)。主動(dòng)防御系統(tǒng)的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，從開(kāi)始的MVLV變電站內(nèi)的磁場(chǎng)測(cè)量獲得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。 引言 最近暴露限值對(duì)人體的低頻電場(chǎng)和磁場(chǎng)的極低頻（ELF），減少需求領(lǐng)域[I] - [9]。已成為廣大市民日益意識(shí)到從暴露到極低頻磁場(chǎng)可能產(chǎn)生的影響。最近，極低頻磁場(chǎng)在WHOOARC研究已被列為2B組“可能致癌”兒童白血病[我]的流行病學(xué)研究的基礎(chǔ)上。 傳統(tǒng)的被動(dòng)屏蔽技術(shù)并不總是方便，以減輕因?yàn)橐恍?shí)際應(yīng)用中往往需要大量的材料，可以建立足以減輕低頻磁場(chǎng)屏蔽的ELF磁場(chǎng)領(lǐng)域。一個(gè)更好的解決方案是設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)低頻電流線(xiàn)圈，即主動(dòng)屏蔽，從而產(chǎn)生令人不安的一個(gè)磁場(chǎng)相反，以減少總的磁場(chǎng)[6] - [7]。通過(guò)這種方式，它是有可能獲得良好的屏蔽性能，往往在較低的成本在比較被動(dòng)的屏蔽技術(shù)[8] - [9]。 本文提出了發(fā)展一個(gè)活躍的屏蔽配置為中等電壓（MV）/低電壓（LV）配電變壓器位于變電站在大學(xué)CAquila的工程大樓。 MEDIUMV OLTAGELOW電壓分布變電站 年審MVLV變電站配置為代表的電力電纜和酒吧的布局與圖。 1。在變電站，它是可能的，以確定在中等電壓20千伏，變壓器20 kVl0.4酒吧千伏和一個(gè)開(kāi)關(guān)板的低電壓0.4千伏母線(xiàn)分配4 LV的上升主面板。 如圖一個(gè)變電站的計(jì)劃。 2，MV和LV面板和變壓器隔間代表。 圖1素描的MVLV配電變壓器變電站內(nèi)的工程建筑位于拉奎拉大學(xué)。 圖2地圖與測(cè)量MVLV變電站變電站內(nèi)的點(diǎn)（+）。 利用已測(cè)磁場(chǎng)萬(wàn)德?tīng)柡虶oltermann的3場(chǎng)分析儀系統(tǒng)在xy點(diǎn)（由圖2中的“+”符號(hào)表示）飛機(jī)在兩個(gè)高度：1。 M2和-1.7米，根據(jù)意大利的技標(biāo)準(zhǔn)[6]。相鄰的距離betweentwo測(cè)量點(diǎn)已經(jīng)確定為25厘米沿X軸和Y軸。的空間分布在xy平面的磁通密度B，測(cè)量Z =1.2 M和F1.7米，在圖所示。 3和4為一個(gè)LV對(duì)9M負(fù)載）A.表明，這些測(cè)量值沒(méi)有一個(gè)主要組成部分的磁變電站內(nèi)場(chǎng)，但所有的字段組件沿x，y和z軸。其百分比取決于在該領(lǐng)域的測(cè)量點(diǎn)。為了設(shè)計(jì)一個(gè)合適的活動(dòng)線(xiàn)圈系統(tǒng)的每個(gè)組件磁通密度由BJ（乙，必須檢查分別由獨(dú)立的活性線(xiàn)圈和屏蔽。 圖3的測(cè)量r.m.s.的的地圖磁通密度B在X-Y平面在z = L.2米的PT。 數(shù)值當(dāng)日＆ 在內(nèi)MViLV分布的磁通密度變電站取決于流動(dòng)的電流為導(dǎo)體。一個(gè)直接的電流在我生產(chǎn)周?chē)目臻g磁通密度B： AR = RR'的立場(chǎng)之間的差異觀察點(diǎn)P的位置矢量矢量rR'的元素DL“，方程（一）被認(rèn)為是有效的也計(jì)算在低頻磁場(chǎng)同質(zhì)區(qū)域。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的導(dǎo)體棒和離散線(xiàn)部分電纜已已知電流流。通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)值計(jì)算程序，已計(jì)算的磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量B疊加。圖5顯示的計(jì)算和測(cè)量沿x軸的磁通密度分布?0。 25米，?1。平方米?？紤]困難確定確切位置的來(lái)源，因此近似??的值假定'的距離導(dǎo)體之間，一個(gè)很好的協(xié)議之間的測(cè)量可以觀察和計(jì)算值。 圖4測(cè)量r.m.s.地圖磁通密度B在X-Y平面在z =1，PT ACTM盾構(gòu)設(shè)計(jì) 通過(guò)檢查實(shí)測(cè)地圖，有可能設(shè)計(jì)一個(gè)積極的線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)B，相反在這樣的事件二總場(chǎng)BT= B的+ B可以降低。 從（一）有可能獲得磁場(chǎng)生產(chǎn)方形回路電流假設(shè)平方米的一環(huán)的尺寸2×26AN d的平行xy平面距離為d，磁通密度的組件主動(dòng)屏蔽，乙，乙，和B，在通用的點(diǎn)P（X，Y，Z）： 其中，xi，易分別為沿x軸的預(yù)測(cè)和Y軸的通用點(diǎn)之間的距離P（X，Y，Z）和線(xiàn)圈i個(gè)后起之秀，5 = dxi2+一2+（Z - D）？是第i之間的距離后起之秀的線(xiàn)圈和P點(diǎn)，如圖所示。 6。為幾個(gè)積極線(xiàn)圈磁場(chǎng)的組件應(yīng)用疊加可以得到。 測(cè)量圖5（a）和計(jì)算機(jī)（二）r.m.s.磁通量沿平方米D R A N0?1 thex軸。密度。 2 5米。 一個(gè)20平方米的線(xiàn)圈系統(tǒng)，放置在y =-1.5米內(nèi)perimeterof xz平面，如圖所示。7，absorbinga2 A的電流相等，為了減輕已建成在三個(gè)cubiclesinside的MVLV變電站附近的磁場(chǎng)。無(wú)花果。 8日和9顯示X和Y-組件事件和總磁通量圖寶密度為900 A的LV負(fù)載和21.1.2米。10日和11日在同一個(gè)相同的組件條件，但在1?。 M7。在這些數(shù)字的行確定由符號(hào)'A'代表實(shí)測(cè)事件磁通密度元件和線(xiàn)路確定由符號(hào)'B'的總的計(jì)算磁磁通密度的組成部分。最大衰減在獲得入射場(chǎng)是最大的區(qū)域，但在鄰近的放大磁場(chǎng)活動(dòng)線(xiàn)圈產(chǎn)生。 圖6在他們z平面方形環(huán)路。 圖7主動(dòng)屏蔽配置。 圖12（行'A'）顯示測(cè)量的X組件事件磁通密度沿Y軸?4。 7 5米和~~1。平方米。一個(gè)100平方米的線(xiàn)圈系統(tǒng)，放在XZ變電站墻，在y =-1.5米，由電流饋送15，已被用來(lái)屏蔽磁場(chǎng)密度?4 Z-?墻外側(cè)。 7 M5。磁通密度，這個(gè)主動(dòng)防御系統(tǒng)的存在，已測(cè)所提出的數(shù)值方法和計(jì)算。 “符號(hào)“B”所確定的行顯示測(cè)量?jī)|元符號(hào)“C”計(jì)算確定的行在相同的時(shí)間點(diǎn)的總磁通密度。 圖8實(shí)測(cè)入射場(chǎng)：（一）和y分量計(jì)算總場(chǎng)積極布賴(lài)與y分量屏蔽（B），T?0。 25米，1。平方米。 圖9測(cè)量入射場(chǎng)z分量B（a）和計(jì)算總場(chǎng)與活躍的z分量?jī)|元屏蔽（B），在y= O M?1。平方米。 圖10測(cè)量事件fieldy：（一）和組件計(jì)算總場(chǎng)積極BTY與y分量屏蔽（B），在y= 0 m和?1。M7 圖11測(cè)量入射場(chǎng)z分量B（a）和計(jì)算總場(chǎng)與活躍的z分量?jī)|元屏蔽（B），T P0米?1。M7。 圖12測(cè)量入射場(chǎng)X-B組分（A），測(cè)得的總場(chǎng)x分量BN（b）和計(jì)算BN（c）與主動(dòng)屏蔽在A。 75米?1。平方米。 結(jié)論 在本文的主動(dòng)屏蔽技術(shù)已被用來(lái)減少低頻磁場(chǎng)。一個(gè)設(shè)計(jì)主動(dòng)防御系統(tǒng)的中壓/低壓配電變電站位于工程建設(shè)拉奎拉大學(xué)已經(jīng)提出。 BAS方形線(xiàn)圈系統(tǒng)已經(jīng)能夠生產(chǎn)對(duì)面的事件的磁場(chǎng)分量。由于事件領(lǐng)域提出了一個(gè)空間的行為非?？s進(jìn)，減少磁場(chǎng)強(qiáng)度困難。 為了減輕在接近磁場(chǎng)三間房方形線(xiàn)圈系統(tǒng)已被使用。獲得最大限度的降低磁通量密度為60％左右。 參考