電子課程設計報告-電力電子器件特性仿真分析.doc

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1、淮南師范學院機械與電氣工程學院2015屆電氣工程及其自動化專業(yè)課程設計報告電子課程設計報告題 目： 電力電子器件特性仿真分析 學生姓名： 學生學號： 系 別： 專 業(yè)： 屆 別： 指導教師： 機械與電氣工程學院制2015年5月目錄第一章 仿真軟件介紹1.1簡介31.2功能41.3 特點4第二章 常見電力電子器件及其模型2.1電力電子器件的分類52.2電力電子器件基礎PN結62.3二極管62.4晶閘管82.5門極可關斷晶閘管112.6電力場效應晶體管132.7絕緣柵雙極型晶體管142.8電力晶體管16第三章 仿真電路與特性分析3.1二極管特性仿真分析183.2晶閘管特性仿真分析193.3門極可關

2、斷晶閘管特性仿真分析203.4電力場效應晶體管特性仿真分析223.5絕緣柵雙極型晶體管特性仿真分析23第四章 總結及體會24電力電子器件特性仿真分析學生：指導教師： 機械與電氣工程學院 電氣工程及其自動化專業(yè)第一章 仿真軟件介紹1.1簡介Simulink是MATLAB最重要的組件之一，它提供一個動態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。在該環(huán)境中，無需大量書寫程序，而只需要通過簡單直觀的鼠標操作，就可構造出復雜的系統(tǒng)。Simulink具有適應面廣、結構和流程清晰及仿真精細、貼近實際、效率高、靈活等優(yōu)點，并基于以上優(yōu)點Simulink已被廣泛應用于控制理論和數(shù)字信號處理的復雜仿真和設計。同時有大量

3、的第三方軟件和硬件可應用于或被要求應用于Simulink。MATLAB的SIMULINK是很有特色的仿真環(huán)境，在此環(huán)境中，用戶可以用點擊、拖拉鼠標的方式繪制和組織系統(tǒng)或電路，并完成對系統(tǒng)和電路的仿真。早期MATLAB的仿真編程是在文本窗口進行的，編制的程序是一行行命令和MATLAB函數(shù)，不直觀，也難于和實際的物理系統(tǒng)或電路建立形象的聯(lián)系。在SIMULINK環(huán)境中，系統(tǒng)的函數(shù)和電路元器件的模型都用方框圖形的模塊表達，模塊之間的連線則表示了信號流動的方向。對用戶來說，只要學習圖形界面的使用方法和熟悉模型庫的內容，就可以很方便地使用鼠標和鍵盤進行系統(tǒng)和電路的仿真，而不必去記那些復雜的函數(shù)。SIMUL

4、INK系統(tǒng)仿真環(huán)境也稱工具箱，是MATLAB最早開發(fā)的，它包括SIMULINK仿真平臺和系統(tǒng)仿真模型庫兩部分，主要用于仿真以數(shù)學函數(shù)和傳遞函數(shù)表達的系統(tǒng)，是20世紀70年代開發(fā)的連續(xù)系統(tǒng)仿真程序包( CCS)的繼續(xù)，現(xiàn)在的系統(tǒng)仿真(SIMULINK)包括了連續(xù)系統(tǒng)、非線性系統(tǒng)和離散系統(tǒng)的仿真。由于SIMULINK的仿真平臺使用方便，功能強大，后來拓展的其他模型庫也都共同使用這個仿真環(huán)境，成為MATLAB仿真的公共平臺。SIMULINK是simulation和link兩個英文單詞的縮寫，意思是仿真鏈接，MATLAB模型都在這環(huán)境中使用，從模型庫中提取模型放到SIMULINK的仿真平臺上進行仿真，

5、所以有關SIMULINK的操作是仿真應用的基礎。1.2功能Simulink是MATLAB中的一種可視化仿真工具， 是一種基于MATLAB的框圖設計環(huán)境，是實現(xiàn)動態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和分析的一個軟件包，被廣泛應用于線性系統(tǒng)、非線性系統(tǒng)、數(shù)字控制及數(shù)字信號處理的建模和仿真中。Simulink可以用連續(xù)采樣時間、離散采樣時間或兩種混合的采樣時間進行建模，它也支持多速率系統(tǒng)，也就是系統(tǒng)中的不同部分具有不同的采樣速率。為了創(chuàng)建動態(tài)系統(tǒng)模型，Simulink提供了一個建立模型方塊圖的圖形用戶接口(GUI) ，這個創(chuàng)建過程只需單擊和拖動鼠標操作就能完成，它提供了一種更快捷、直接明了的方式，而且用戶可以立即看到系

6、統(tǒng)的仿真結果。Simulink是用于動態(tài)系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)的多領域仿真和基于模型的設計工具。對各種時變系統(tǒng)，包括通訊、控制、信號處理、視頻處理和圖像處理系統(tǒng)，Simulink提供了交互式圖形化環(huán)境和可定制模塊庫來對其進行設計、仿真、執(zhí)行和測試。構架在Simulink基礎之上的其他產品擴展了Simulink多領域建模功能，也提供了用于設計、執(zhí)行、驗證和確認任務的相應工具。Simulink與MATLAB緊密集成，可以直接訪問MATLAB大量的工具來進行算法研發(fā)、仿真的分析和可視化、批處理腳本的創(chuàng)建、建模環(huán)境的定制以及信號參數(shù)和測試數(shù)據(jù)的定義。1.3 特點SIMULINK作為面向系統(tǒng)框圖的仿真平臺，它

7、具有如下特點： 1)以調用模塊代替程序的編寫，以模塊連成的方框圖表示系統(tǒng)，點擊模塊即可以輸入模塊參數(shù)。以框圖表示的系統(tǒng)應包括輸入（激勵源）、輸出（觀測儀器）和組成系統(tǒng)模塊。 2)系統(tǒng)方框圖畫完，設置了仿真參數(shù)，即可啟動仿真，這時會自動地完成仿真系統(tǒng)的初始化過程，將系統(tǒng)的框圖轉換為仿真的數(shù)學方程，建立仿真的數(shù)據(jù)結構并計算系統(tǒng)在給定激勵下的響應。 3)系統(tǒng)運行的狀態(tài)和結果可以通過波形和曲線觀察，這與在實驗室中用示波器觀察的效果幾乎一致。 4)系統(tǒng)仿真的數(shù)據(jù)可以用.mat為后級的文件保存，并且可以用其他數(shù)據(jù)處理軟件處理。 5)如果系統(tǒng)方框圖繪制不完整或仿真過程中出現(xiàn)計算不收斂的情況，會給出一定的出錯

8、提示信息，但是這些提示不一定準確，這是軟件還不夠完備的地方。 6)以框圖形式仿真控制系統(tǒng)是SIMULINK的最早功能，后來在SIMULINK的基礎上又開發(fā)了數(shù)字信號處理、通信系統(tǒng)、電力系統(tǒng)、模糊控制等數(shù)10種模型庫，但是SIMULINK的窗口界面是其他工具箱共用的平臺，在這個平臺上可以進行控制系統(tǒng)、電力系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等各種系統(tǒng)仿真。7）SIMULINK中，電力系統(tǒng)模型庫Power System Block在MATLAB6.5以前使用的是version 2版本，MATLAB6.5以后升級為version 3，模塊以電路接口替代了原先的信號接口，使電力電子電路的建模更為方便。本次的電力電子技術課程

9、設計我們就是采用仿真軟件Simulink來對一些電力電子器件的特性進行仿真分析！第二章 常見電力電子器件及其模型2.1電力電子器件的分類電力電子器件的定義：可直接用于主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：半控型器件（Thyristor）通過控制信號可以控制其導通而不能控制其關斷。全控型器件（IGBT,MOSFET)通過控制信號既可控制其導通又可控制其關斷，又稱自關斷器件。不可控器件(Power Diode)不能用控制信號來控制其通斷, 因此也就不需要驅動電路。按照驅動電路信號的性質，分為兩類：電流驅動型通過從控制端注入或者抽出電流來實現(xiàn)導通或者關斷的

10、控制。電壓驅動型僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號就可實現(xiàn)導通或者關斷的控制。按照內部導電機理，分為三類：單極型器件內部只有一種帶電粒子參與導電。雙極型器件內有電子和空穴兩種帶電粒子參與導電。復合型由雙極型器件與單極型器件復合而成的新器件。2.2電力電子器件基礎PN結N型半導體和P型半導體結合后構成PN結。交界處電子和空穴的濃度差別，造成了各區(qū)的多子向另一區(qū)的擴散運動，到對方區(qū)內成為少子，在界面兩側分別留下了帶正、負電荷但不能任意移動的雜質離子。這些不能移動的正、負電荷稱為空間電荷?？臻g電荷建立的電場被稱為內電場或自建電場，其方向是阻止擴散運動的，另一方面又吸引對方區(qū)內的少子（對本區(qū)

11、而言則為多子）向本區(qū)運動，即漂移運動。擴散運動和漂移運動既相互聯(lián)系又是一對矛盾，最終達到動態(tài)平衡，正、負空間電荷量達到穩(wěn)定值，形成了一個穩(wěn)定的由空間電荷構成的范圍，被稱為空間電荷區(qū)，按所強調的角度不同也被稱為耗盡層、阻擋層或勢壘區(qū)。PN結特性1.正向導通狀態(tài)即PN結外加正向電壓時，處于導通狀態(tài)，表現(xiàn)為低阻態(tài)。但維持1V左右的壓降。2.反向截止狀態(tài)即PN結外加反向電壓時，處于截止狀態(tài)，表現(xiàn)為高阻態(tài)。但維持有微弱的漏電流流通，也稱反向飽和電流，一般為微安級，幾乎為零。PN結的單向導電性二極管的基本原理就在于PN結的單向導電性這一主要特征。3PN結的電容效應：PN結電容按其產生機制和作用的差別分為勢

12、壘電容CB和擴散電容CD。2.3二極管類型：雙極型、不可控器件。二極管的基本特征：單向導電性。二極管的主要類型：普通二極管、快恢復二極管、肖特基二極管。二極管是不可控的單向導電型二端半導體器件，二極管模塊的圖標和仿真模型如圖3-2和圖3-3所示。模型二極管的單向導電性能由二極管邏輯控制，當二極管承受正向電壓時( Vak O)，二極管導通，當二極管電流下降到零(Iak=O)或承受反向電壓時(VakO)，二極管關斷。二極管的伏安特性如圖3-4所示。在二極管參數(shù)設置中，當電感參數(shù)為“0”時電阻不能同時取“0”，當電阻參數(shù)取“0”時電感參數(shù)也不能同時取“0”。在設置了門檻電壓Vf時，只有當二極管正向電

13、壓大于Vf后，二極管才能導通。在參數(shù)對話框還有初始電流一欄，設置初始電流可以使電路在非零狀態(tài)下開始仿真，但是初始電流設置是有條件的，首先是在二極管電感參數(shù)大于0時才能設定這項參數(shù)，其次是仿真電路的其他儲能元件也設定了初始值，尤其設定所有其他相關儲能元件的初始值是很麻煩的，所以一般都取初始電流為“O”，使電路在零狀態(tài)下開始仿真。模型二極管已并聯(lián)有RC緩沖電路，在緩沖電阻值設為“inf”，緩沖電容設為“O”時，則二極管取消了緩沖電路部分。如果在緩沖電阻不為“O”時，設緩沖電容為“inf”，則是純電阻的緩沖電路。MATLAB的二極管沒有普通二極管、電力二極管、快恢復二極管等等的區(qū)分，統(tǒng)一為一個模型，

14、不同二極管只能在參數(shù)設置上略有反應。1.靜態(tài)特性（電力二極管伏安特性圖）主要指其伏安特性當電力二極管承受的正向電壓大到一定值（門檻電壓UTO），正向電流才開始明顯增加，處于穩(wěn)定導通狀態(tài)。與正向電流IF對應的電力二極管兩端的電壓UF即為其正向電壓降。當電力二極管承受反向電壓時，只有少子引起的微小而數(shù)值恒定的反向漏電流。2. 動態(tài)特性因結電容的存在，三種狀態(tài)之間的轉換必然有一個過渡過程，此過程中的電壓電流特性是隨時間變化的。3. 開關特性反映通態(tài)和斷態(tài)之間的轉換過程。4. 關斷過程須經過一段短暫的時間才能重新獲得反向阻斷能力，進入截止狀態(tài)。在關斷之前有較大的反向電流出現(xiàn)，并伴隨有明顯的反向電壓過沖

15、。 2.4晶閘管類型：雙極型、電流控制、半控型器件。晶閘管的工作特性：承受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用。晶閘管(Thyristor)俗稱硅晶體閘流管。晶閘管通常有普通晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管、逆導晶閘管和快速晶閘管等。普通晶閘管也叫可控硅，用SCR表示，國際通用名稱為Thyristor簡稱T。晶閘管是可控整流電路常用的器件，在模型庫中晶閘管模型有兩種（見圖3-5），一種是較詳細的模型，其模型名為Detailed Thyristor，它的可設置參數(shù)較多；另一種是簡化的模型，模型名為Thyristor，它的參數(shù)設置較簡單。晶閘管的

16、模型結構和伏安特性分別如圖3-6和圖3-7所示。晶閘管內部是一種四層（P、N、P、N）結構，對外呈三端（A、G、K）大功率半導體器件，它有三個PN結：J1、J2、J3。其外形有平板形和螺栓形。三個引出端分別叫做陽極A、陰極K和門極G，門極也叫控制級。由晶閘管的結構可知，晶閘管是一種四層三端器件，有J1、J2、J3三個PN結.當把中間的N1和P2分為兩部分，則可構成一個NPN型晶體管和一個PNP型晶體管的復合管，晶閘管的三個PN結可等效看成由兩個晶體管V1(P1-N1-P2)與V2(N1-P2-N2)組成。晶閘管模型在晶閘管承受正向電壓(VakO)，且門極有正的觸發(fā)脈沖信號(gO)時晶閘管導通。

17、觸發(fā)脈沖的寬度要使陽極電流Iak能大于設定的晶閘管擎住電流I1，晶閘管才能正常導通，否則在導通過程中，如果在陽極電流還小于擎住電流時，門極信號已經為零(g=O)，則晶閘管仍要轉向關斷。 導通的晶閘管在陽極電流下降到零(Iak =O)，或者晶閘管承受反向電壓時，晶閘管關斷，但是晶閘管承受反向電壓的時間應大于設置的關斷時間Tq，否則盡管門極信號為零，晶閘管還可能導通，因為關斷時間是表示晶閘管內載流子復合的時間，是晶閘管陽極電流減少為零后到晶閘管能再次施加正向電壓而不會誤導通的一段時間間隔。晶閘管模型的導通和關斷與實際的物理晶閘管有差別，一是只要門極信號大于零，同時滿足正向電壓條件，晶閘管就能導通；

18、二是陽極電流下降到零(lak =O)后，晶閘管才能關斷，而不是陽極電流下降到維持電流以下晶閘管就關斷。晶閘管的簡單模型沒有擎住電流和關斷時間這兩項參數(shù)，因此在較復雜的電路仿真中使用較為方便。關于初始電流、緩沖電阻和緩沖電容的設置要求與二極管相同。含晶閘管模型的電路仿真，仿真算法宜采用Ode23tb或Ode15s。額定電壓：取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流 IT(AV）：在環(huán)境溫度為40C 和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。維持電流 IH ：使晶閘管維持導通所必需的最小電流。擎住電流 IL ：晶閘管剛從

19、斷態(tài)轉入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的最小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的24倍。浪涌電流ITSM：指由于電路異常情況引起的并使結溫超過額定結溫的不重復性最大正向過載電流。晶閘管的派生器件：快速晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、光控晶閘管。2.5門極可關斷晶閘管類型：雙極型、電流控制、全控型器件。門極可關斷晶閘管的工作特性：導通條件與晶閘管一樣。不同之處在于可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷。可關斷晶閘管( GTO)與普通晶閘管的區(qū)別是可以通過門極信號在任何時間使導通的晶閘管關斷，其圖標如圖3-8所示。門極可關斷晶閘管（Gate-Turn-Off ThyristorGTO）

20、是在普通晶閘管的基礎上發(fā)展而來，是晶閘管的一種派生器件。從結構上看通常它有三個極：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。門極可關斷晶閘管通斷方便，是一種大功率無觸點開關，它是逆變電路中的主要開關元件，廣泛用在中小容量變頻器中。但由于受到反向關斷及工作頻率的限制，門極可關斷晶閘管正被新型的大功率晶體管GTR所取代，但是在大容量變頻器，GTO以其工作電流大，耐壓高的特性，仍得到普遍應用。GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，因而在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。但是MATLAB的可關斷晶閘管模型，在導通和關斷的控制要求上與實際的可關斷晶閘管有較大不同，可關斷晶閘管模型在管子承受正向電壓

21、，且門極信號大于零(gO)時導通，在門極信號等于零(g=O)時關斷。實際的物理可關斷晶閘管在一旦導通后門極信號可以為零，管子仍保持導通狀態(tài)，而關斷時需要在門極有足夠的反抽電流才能關斷。模型的關斷過程分為兩段，一段是下降時間Tf，一段是電流的拖尾時間Tt。在電流的下降時間內，電流減小到關斷時電流的10%，再經過一段拖尾時間，電流才下降為零，電流的下降時間和拖尾時間可以在參數(shù)中設置。可關斷晶閘管的模型和開關特性分別如圖3-9和圖3-10所示可關斷晶閘管模型也已經并聯(lián)了RC緩沖電路，緩沖電路的設置與二極管模型相同。帶可關斷晶閘管模型的電路仿真，仿真算法同樣宜采用Ode23tb或Ode15s。與普通晶

22、閘管一樣，可以用下圖所示的雙晶體管模型來分析。由P1N1P2和N1P2N2構成的兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益1和2。1+2=1是器件臨界導通的條件。1.導通條件在門極和陰極之間加一正向電壓，即：G（）、K（），GTO導通。2.關斷條件可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷，在門極和陰極之間加一反向電壓， G（）、K（），GTO關斷。最大可關斷陽極電流IATO：GTO的額定電流。電流關斷增益off：最大可關斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關斷增益。（off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個主要缺點）。2.6電力場效應晶體管類型：單極型、電壓控制型器件。電力場效

23、應晶體管的工作特性：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零時截止，柵源極間加正電壓時導通。電力場效應晶體管(MOSFET)具有開關頻率高、導通壓降小等特點，在電力電子電路中使用廣泛。場效應晶體管一般有結型和絕緣柵型兩種，MATLAB的場效應晶體管模型并不區(qū)分這兩種模型，也沒有P溝道和N溝道之分，它僅僅反映了場效應晶體管的開關特性，是場效應晶體管通用的宏模型。電力場效應晶體管模型的圖標如圖3-11所示，結構和外特性如圖3-12和圖3-13所示。場效應晶體管模型在門極信號為正(g0)，且漏極電流ID O時導通，在門極信號為零時關斷。場效應晶體管模型上反并聯(lián)了一個二極管，因此在外特性上，正向導通狀態(tài)的導

24、通電阻是Ron，而外特性中的反向導通是二極管導通，導通電阻是二極管的電阻Rd。參數(shù)中的緩沖電阻和緩沖電容的參數(shù)設置與二極管相同。漏極電壓UDS:電力MOSFET的電壓定額。漏極直流電流ID：電力MOSFET的電流定額。開啟電壓UT：使器件開通所需加在柵源間的最小電壓。柵源電壓UGS：|UGS|20V將導致絕緣層擊穿。2.7絕緣柵雙極型晶體管類型：復合型、電壓控制型器件。絕緣柵雙極晶體管的工作特性：驅動原理與電力MOSFET基本相同，場控器件，通斷由柵射極電壓UGE決定。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)結合了場效應晶體管和電力晶體管的優(yōu)點，具有驅動功率小、開關速度快、通流能力強的特點，目前已經成為

25、中小功率電力電子設備的主導器件。IGBT的模塊有兩個：一個是并聯(lián)緩沖電阻和電容的模型（見圖3-14a），一個是反并聯(lián)二極管的模型(見圖3-14b)。絕緣柵雙極型晶體管模型和外特性如圖3-15和圖3-16所示。IGBT模型在集射極間電壓為正(VceO)，且有門極信號(gO)時導通；即使集射極間電壓為正( Vce O)，但是門極信號為零(g=O)，IGBT也要關斷。如果IGBT集射極間電壓為負( Vce BUcex BUces BUcer BUceo。實際使用時，最高工作電壓要比BUceo低得多。第三章 仿真電路與特性分析3.1二極管特性仿真分析二極管特性測試仿真電路從仿真的結果我們可以看出二極管

26、的基本特性：單向導電性即承受正向電壓則開通，承受反向電壓則關斷。二極管特性測試仿真結果3.2晶閘管特性仿真分析晶閘管特性測試仿真電路晶閘管特性測試仿真結果從仿真的結果我們可以看出晶閘管正常工作時的基本特性：承受反向電壓時，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導通。承受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用。要使晶閘管關斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。3.3門極可關斷晶閘管特性仿真分析門極可關斷晶閘管特性測試仿真電路門極可關斷晶閘管特性測試仿真結果從仿真的結果我們可以看出門極可關斷晶閘管的基本工作特性：開通控制方式與晶閘管相似，

27、但是可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷。3.4電力場效應晶體管特性仿真分析電力場效應晶體管特性測試仿真電路電力場效應晶體管特性測試仿真結果從仿真的結果我們可以看出電力場效應管的基本工作特性：柵源間加驅動電壓則導通，去除驅動電壓則關斷。3.5絕緣柵雙極型晶體管特性仿真分析絕緣柵雙極型晶體管特性測試仿真電路絕緣柵雙極型晶體管特性測試仿真結果從仿真的結果我們可以看出絕緣柵雙極型晶體管的基本工作特性：柵射間加驅動電壓則導通，去除驅動電壓則關斷。第四章 總結及體會此次的課題設計運用MATLAB中的Simulink仿真對一些常見的電力電子器件仿真從而分析對比該器件的基本特性。由于專業(yè)的要求，當初我們學

28、習MATLAB時并沒有深入了解Simulink功能及運用。所以當接手該課題時又從頭開始對Simulink的模塊功能進行認識和學習，并在對課題仿真的過程中得到鍛煉和加強！ 通過本次課程設計，在仿真實驗的基礎上對電力電子器件的一些基本特性有了更深一層的認識，從仿真的結果直觀的觀測出元器件的工作原理與特性，從而有別于以往的書本上的對于知識的學習與認知！在對元器件的作用和選擇，如何構成仿真電路，仿真參數(shù)的設置，有了一個初步的了解。采用Matlab/Simulink仿真分析，避免了常規(guī)分析方法中繁瑣的繪圖和計算過程，得到了一種直觀、快捷分析電路的新方法。任何的學習過程難免出現(xiàn)困難，對于仿真中出現(xiàn)的一些問題也通過查閱書籍，網(wǎng)絡查找等一點點的解決。然而更多的確是在摸索中進步，例如在晶閘管的特性仿真分析中，得到的仿真結果卻與書本上的結果大相徑庭，于是逐個改變元器件的設置參數(shù)，通過參數(shù)的變化去觀察仿真結果隨參數(shù)的變化情況，而在對后面的元器件仿真再遇到相同問題時便可快速解決或查找出問題原因所在！ 然而本次的最大收獲就是從零到會的在短時期內自己摸索學會使用一種學習工具，人因為會使用工具而有別于一般的動物！學習遠比頹廢更讓自己幸福！26