半導體器件物理之半導體接觸.ppt

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第二章半導體接觸,,2,主要內(nèi)容,pn結異質(zhì)結金屬-半導體接觸半導體-氧化物接觸,MIS,3,半導體器件的四種基礎結構,在p型和n型半導體之間形成的“結”，具有整流特性，廣泛用于電子電路的整流、開關及其他工作中。若再加一層p型半導體，兩個p-n結構成p-n-p雙極晶體管。,金屬-半導體界面，,在金屬和半導體之間形成的一種緊密接觸。是第一個被研究的半導體器件?？勺鳛檎鹘佑|-肖特基勢壘，或用作歐姆接觸。也可以得到其他許多器件，如MESFET。,p-n結,4,即在兩種不同的半導體之間形成的界面，可構成雙異質(zhì)結激光器等。,如果絕緣體用氧化物，即MOS結構,可視為一個金屬-氧化物界面和一個氧化物-半導體界面的結合,ULSL中最重要的MOSFET器件的基本結構。,異質(zhì)結界面,金屬-絕緣體-半導體結構,,2.1p-n結二級管,6,主要內(nèi)容,基本器件工藝介紹耗盡區(qū)和耗盡電容I-V特性結的擊穿瞬變特性端功能,7,1?；酒骷に?介紹幾種器件制備方法合金法,得到的結的位置嚴格依賴于溫度-時間合金過程，難以精確控制。,8,固態(tài)擴散法,1。基本器件工藝,能精確控制雜質(zhì)分布,擴散臺面結法,9,固態(tài)擴散法,1?；酒骷に?采用絕緣層的方法,平面工藝—是制備半導體器件的主要方法,外延襯底,10,與擴散（10000C)相比，是低溫工藝，可在室溫下進行。,離子注入-更精確地控制雜質(zhì)的分布,1?；酒骷に?在低于700度下退火，去除晶格損傷,11,平面工藝中的主要工序外延生長,1?；酒骷に?可用氣相生長技術形成，例如：,熱CVD,MBE,MOCVD,也可用液相技術形成，,,化學氣相沉積,物理氣相沉積,,精確控制組分和薄膜厚度-原子層生長,,12,1?；酒骷に?氧化--二氧化硅,干氧生長,13,水汽氧化,氧化--二氧化硅,1?；酒骷に?14,1?；酒骷に?雜質(zhì)擴散,一維擴散方程，菲克定律,雜質(zhì)總量為S的“有限源”情況：高斯函數(shù),表面濃度為Cs的“恒定表面濃度“情形：余誤差函數(shù),擴散系數(shù)D依賴于溫度和雜質(zhì)濃度，在低濃度情況下，D與雜質(zhì)無關。,雜質(zhì)擴散系數(shù)D與雜質(zhì)固溶度有關,15,1?；酒骷に?離子注入：為改變襯底的電學、冶金學或化學性質(zhì)而將帶電高能原子引入襯底。,典型離子能量：10-400keV之間,典型離子劑量：1011-1016離子數(shù)/cm2,優(yōu)點：精確控制總劑量，深度分布和面均勻性低溫工藝注入結能與掩膜邊緣自對準,激光處理：用高強度的激光輻射可去除離子注入損傷，使半導體層再結晶。,缺點：離子注入損傷,16,雜質(zhì)分布描述,突變結—合金結、淺擴散結和離子注入結,1?；酒骷に?突變結近似的雜質(zhì)分布。,17,1?；酒骷に?線性緩變結—深擴散結,線性緩變結近似的雜質(zhì)分布。,18,1?；酒骷に?通過絕緣層上的窗口向半導體本底擴散形成p-n結時，雜質(zhì)要向下擴散，也要向側向擴散：柱形邊緣分布和球形角分布,在擴散掩膜邊緣附近形成結彎曲的平面擴散工藝。,通過矩形掩膜擴散形成近似的柱面和球面區(qū)。,19,p-n結,p-n結理論是半導體器件物理的基礎。,1。p-n結的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。,2。討論耗盡層內(nèi)的產(chǎn)生和復合。,PN結兩側電子和空穴濃度相差懸殊?P區(qū)空穴和N區(qū)電子向?qū)Ψ綌U散，?空間電荷區(qū)?自建電場N?P,20,2。耗盡區(qū)和耗盡電容-突變結,當半導體的雜質(zhì)濃度從受主雜質(zhì)NA突變?yōu)槭┲麟s質(zhì)ND時，得到突變結.,空間電荷分布,21,熱平衡狀態(tài)（無外電壓，沒有電流）：,凈電子和空穴電流為零，要求費米能級在整個樣品中為常數(shù)。,根據(jù)電流密度方程：,同理,,,,22,空間電荷區(qū)總寬度,空間電荷分布：,23,電場分布：,泊松方程+邊界條件,根據(jù)泊松方程，得到：,,,積分，得到電場分布,X=0處的最大電場,24,兩次積分，得到電勢分布,,電勢，Vbi為內(nèi)建勢,電勢分布:,內(nèi)建勢,總的耗盡層寬度,,25,能帶：,平衡時，,,結兩側空穴密度之間和電子密度之間的關系,能帶圖,,內(nèi)建勢,26,Ge，Si，GaAs單邊突變結的內(nèi)建勢,27,耗盡層的寬度,雙邊突變結,,單邊突變結,半導體的特征長度，德拜長度,考慮到多數(shù)載流子分布尾，經(jīng)過修正的單邊突變結的W：,,28,Si的德拜長度與摻雜濃度的關系,29,Si單邊突變結耗盡層寬度和單位面積耗盡層電容與摻雜濃度的關系。,30,單位面積的耗盡層電容定義為：,單邊突變結，單位面積電容：,F/cm2,反向和正向偏置,耗盡層電容：,,1/C2~V?直線，斜率：襯底雜質(zhì)濃度，1/C2=0時截距：內(nèi)建勢。,31,Si單邊突變結耗盡層寬度和單位面積耗盡層電容與摻雜濃度的關系。,32,泊松方程:,2。耗盡區(qū)和耗盡電容-線性緩變結,雜質(zhì)分布:,雜質(zhì)濃度梯度,積分,得到電場分布:,最大電場:,33,兩次積分,得到內(nèi)建勢:,,線性緩變結的耗盡層電容:,34,Ge,Si和GaAs線性緩變結的梯度電壓.,35,Si線性緩變結的耗盡層寬度和單位面積耗盡層電容與雜質(zhì)濃度梯度的關系.,虛線為零偏壓情形,