半導體器件作業(yè)-有答案.doc
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1． 半導體硅材料的晶格結(jié)構(gòu)是（ A ） A 金剛石 B 閃鋅礦 C 纖鋅礦 2． 下列固體中，禁帶寬度 Eg 最大的是（ C ） Ａ 金屬 Ｂ 半導體 Ｃ 絕緣體 3． 硅單晶中的層錯屬于（ C ） Ａ 點缺陷 Ｂ 線缺陷 Ｃ 面缺陷 4． 施主雜質(zhì)電離后向半導體提供（ B ），受主雜質(zhì)電離后向半導體提供（ A ），本征激發(fā)后 向半導體提供（ A B ）。 A 空穴 B 電子 5． 砷化鎵中的非平衡載流子復合主要依靠（ A ） A 直接復合 B 間接復合 C 俄歇復合 6． 衡量電子填充能級水平的是（ B ） Ａ 施主能級 Ｂ 費米能級 Ｃ 受主能級 D 缺陷能級 7． 載流子的遷移率是描述載流子( A )的一個物理量；載流子的擴散系數(shù)是描述載流子( B ) 的一個物理量。 A 在電場作用下的運動快慢 B 在濃度梯度作用下的運動快慢 8． 室溫下，半導體 Si中摻硼的濃度為 1014cm－3，同時摻有濃度為 1.11015cm－3 的磷，則電子濃度 約為（ B ），空穴濃度為（ D ），費米能級（ G ）；將該半導體升溫至 570K，則多子濃度 約為（ F ），少子濃度為（ F ），費米能級（ I ）。（已知：室溫下，ni≈1.51010cm－3，570K 時，ni≈21017cm－3） A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.11015cm－3 D 2.25105cm－3 E 1.21015cm－3 F 21017cm－3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei 9． 載流子的擴散運動產(chǎn)生（ C ）電流，漂移運動產(chǎn)生（ A ）電流。 A 漂移 B 隧道 C 擴散 10. 下列器件屬于多子器件的是（ B D ） Ａ 穩(wěn)壓二極管 Ｂ 肖特基二極管 Ｃ 發(fā)光二極管 D 隧道二極管 11. 平衡狀態(tài)下半導體中載流子濃度 n0p0=ni2，載流子的產(chǎn)生率等于復合率，而當 np下載提示(請認真閱讀)
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