半導(dǎo)體物理學(xué)

1、第1章 思考題和習(xí)題1. 300K時硅的晶格常數(shù)a=5.43，求每個晶胞內(nèi)所含的完整原子數(shù)和原子密度為多少？2. 綜述半導(dǎo)體材料的基本特性及Si、GaAs的晶格結(jié)構(gòu)和特征。3. 畫出絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體的簡化能帶圖，并對它們的導(dǎo)電性能作出定性解釋。4. 以硅為例，簡述半導(dǎo)體能帶的形成過程。5. 證明本征半導(dǎo)體的本征費(fèi)米能級Ei位于禁帶中央。6. 簡述遷移率、擴(kuò)散長度的物理意。

2、上海交通大學(xué)夜大學(xué) 電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè),半導(dǎo)體物理學(xué)Semiconductor Physics,So pleasure to meet you in classroom today!,I hope we will be happy to co-operate on our new subject of Semiconductor Physics in this semester.,電話： 3603。

3、半 導(dǎo) 體 器 件 半 導(dǎo) 體 物 理 學(xué) 半 導(dǎo) 體 器 件 半 導(dǎo) 體 物 理 學(xué) 教 材 : 半 導(dǎo) 體 物 理 學(xué) 第 七 版 ， 劉 恩 科 等 編 著 ，電 子 工 業(yè) 出 版 社 參 考 書 ： 半 導(dǎo) 體 物 理 與 器 件。

4、第 二 章 半 導(dǎo) 體 中 的雜 質(zhì) 和 缺 陷 理 想 半 導(dǎo) 體 ：1 原 子 嚴(yán) 格 周 期 性 排 列 ， 具 有 完 整 的 晶 格 結(jié) 構(gòu) 。2 晶 體 中 無 雜 質(zhì) ， 無 缺 陷 。3 電 子 在 周 期 場 中 作 共 。

5、真誠為您提供優(yōu)質(zhì)參考資料，若有不當(dāng)之處，請指正。第1章 思考題和習(xí)題1. 300K時硅的晶格常數(shù)a5.43，求每個晶胞內(nèi)所含的完整原子數(shù)和原子密度為多少2. 綜述半導(dǎo)體材料的基本特性及SiGaAs的晶格結(jié)構(gòu)和特征。3. 畫出絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)體。

6、精選優(yōu)質(zhì)文檔傾情為你奉上20102011學(xué)年第一學(xué)期期末考試試卷A卷開課學(xué)院：物電學(xué)院 課程名稱：半導(dǎo)體物理學(xué) 考試形式：閉卷，所需時間：120分鐘題號一二 三四五六七八總 分得分評卷人注意事項(xiàng)：1教師出題時請勿超出邊界虛線；2學(xué)生答題前將。

7、第1頁www. khdaw. com第一章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1.設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能MEC k和價帶極大值附近 能量兔k分別為:h2kkl2 x Irk2 3h2k23叫加6m 叫mo為電子慣性質(zhì)量,ki l2a； 。

8、半導(dǎo)體物理第 I 條 Semiconductor Physics 課程編號：042435課程性質(zhì)：學(xué)科基礎(chǔ)課適用專業(yè)：微電子學(xué)專業(yè)先修課程：固體物理，量子力學(xué)，統(tǒng)計物理后續(xù)課程：集成電路總學(xué)分： 4 其中實(shí)驗(yàn)學(xué)分：0教學(xué)目的與要求：本課程是。

9、精選優(yōu)質(zhì)文檔傾情為你奉上半導(dǎo)體物理學(xué)課程設(shè)計說明書一 設(shè)計題目如下兩個題目由學(xué)生任選一個進(jìn)行課程設(shè)計。1雜質(zhì)半導(dǎo)體材料設(shè)計2pn結(jié)設(shè)計二 課程目的和要求通過本課程設(shè)計，使學(xué)生掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體材料和pn結(jié)的設(shè)計方法，并深刻認(rèn)識雜質(zhì)半導(dǎo)體材料和p。

10、精選優(yōu)質(zhì)文檔傾情為你奉上20102011學(xué)年第一學(xué)期期末考試試卷A卷開課學(xué)院：物電學(xué)院 課程名稱：半導(dǎo)體物理學(xué) 考試形式：閉卷，所需時間：120分鐘題號一二 三四五六七八總 分得分評卷人注意事項(xiàng)：1教師出題時請勿超出邊界虛線；2學(xué)生答題前將。

11、精選優(yōu)質(zhì)文檔傾情為你奉上學(xué)號 姓名 密封線東 南 大 學(xué) 考 試 卷 卷課程名稱半導(dǎo)體物理考試學(xué)期得分適用專業(yè)電子科學(xué)考試形式閉卷考試時間長度120分鐘一 填空每空1分，共27分1純凈半導(dǎo)體Si中摻族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時從Si中奪取 電。

12、半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體物理學(xué) 教材教材:半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)第七版第七版,劉恩科等編著,劉恩科等編著,電子工業(yè)出版社電子工業(yè)出版社 參考書:參考書:半導(dǎo)體物理與器件半導(dǎo)體物理與器件第三版。

13、word第1章 思考題和習(xí)題,求每個晶胞內(nèi)所含的完整原子數(shù)和原子密度為多少2. 綜述半導(dǎo)體材料的根本特性與SiGaAs的晶格結(jié)構(gòu)和特征.3. 畫出絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)體的簡化能帶圖,并對它們的導(dǎo)電性能作出定性解釋.4. 以硅為例,簡述半導(dǎo)體能帶的。

14、精選優(yōu)質(zhì)文檔傾情為你奉上一選擇題。1. 電離后向半導(dǎo)體提供空穴的雜質(zhì)是 ，電離后向半導(dǎo)體提供電子的雜質(zhì)是 。A. 受主雜質(zhì) B. 施主雜質(zhì) C. 中性雜質(zhì)2. 在室溫下，半導(dǎo)體Si中摻入濃度為的磷雜質(zhì)后，半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是 ，多子濃度為 。

15、word一 填空題1 能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對于波矢的,引入有效質(zhì)量的意義在于其反映了晶體材料的的作用.二階導(dǎo)數(shù),內(nèi)部勢場2 半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的即量子態(tài)按能量如何分布和 即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布.狀態(tài)。

16、1 填空題1 能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對于波矢的,引入有效質(zhì)量的意義在于其反映了晶體材料的的作用.二階導(dǎo)數(shù),內(nèi)部勢場2 半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的即量子態(tài)按能量如何分布和 即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布.狀態(tài)密度,費(fèi)。

17、會計學(xué)1半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷供載流子.供載流子.第1頁共81頁雜質(zhì)和缺陷可在禁帶中引入能級,從而對雜質(zhì)和缺陷可在禁帶中引入能級,從而對半導(dǎo)體的性質(zhì)產(chǎn)生了決定性的作用半導(dǎo)體的性質(zhì)產(chǎn)生了決定性的作用。

18、貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 基本概念基本概念 有效質(zhì)量有效質(zhì)量載流子在晶體中的表觀質(zhì)量,它體現(xiàn)了載流子在晶體中的表觀質(zhì)量,它體現(xiàn)了周期場對電子運(yùn)動的影響.其物理意義:周期場對電子運(yùn)動的影響.其物理意義:1有效。

19、半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 劉恩劉恩科科 第七版第七版半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體物理學(xué) 教材教材: 半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)第七版第七版,劉恩科等編,劉恩科等編著,電子工業(yè)出版社著,電子工業(yè)出版社 參考書:參考書: 半導(dǎo)體物理與器件半導(dǎo)體物理。

20、半導(dǎo)體物理學(xué) 教材: 半導(dǎo)體物理學(xué)第七版,劉恩科等編著,電子工業(yè)出版社 參考書: 半導(dǎo)體物理與器件第三版,Donald A.Neamen著,電子工業(yè)出版社 第1頁共222頁 課程考核辦法 : 本課采用開卷筆試的考核辦法. 總評成績構(gòu)比例為。

21、會計學(xué)1半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué) 劉恩科劉恩科 第七第七第1頁共222頁第2頁共222頁五五六六pn結(jié)結(jié)七七金屬和半導(dǎo)體的金屬和半導(dǎo)體的接觸接觸八八半 導(dǎo) 體 表 面 與半 導(dǎo) 體 表 面 與MIS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)九九半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)第。

22、 第1章 思考題和習(xí)題1. 300K時硅的晶格常數(shù)a5.43,求每個晶胞所含的完整原子數(shù)和原子密度為多少2. 綜述半導(dǎo)體材料的根本特性與SiGaAs的晶格結(jié)構(gòu)和特征.3. 畫出絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)體的簡化能帶圖,并對它們的導(dǎo)電性能作出定性解釋.4。

23、理想半導(dǎo)體:1原子嚴(yán)格周期性排列,具有完整的晶格 結(jié)構(gòu).2晶體中無雜質(zhì),無缺陷.3電子在周期場中作共有化運(yùn)動,形成允帶和禁帶電子能量只能處在允帶中的能級上,禁帶中無能級.本征半導(dǎo)體晶體具有完整的完美的晶格結(jié)構(gòu),無任何雜質(zhì)和缺陷.由本征激發(fā)提。

24、半導(dǎo)體物理學(xué)課程教學(xué)探索 摘 要 半導(dǎo)體物理學(xué)課程是微電子專業(yè)教學(xué)中的重點(diǎn)課程,其具有理論性強(qiáng)教學(xué)模式單一教學(xué)內(nèi)容更新慢等特點(diǎn).針對這些特點(diǎn),結(jié)合學(xué)校微電子專業(yè)建設(shè)課程的需要,本文對半導(dǎo)體物理學(xué)課程進(jìn)行探索. 關(guān)鍵詞 半導(dǎo)體物理學(xué) 課程探索。

25、半導(dǎo)體物理學(xué)課程教學(xué)大綱一課程說明一課程名稱:半導(dǎo)體物理學(xué) 所屬專業(yè):物理學(xué)電子材料和器件工程方向 課程性質(zhì):專業(yè)課 學(xué) 分:4學(xué)分二課程簡介目標(biāo)與任務(wù): 半導(dǎo)體物理學(xué)是物理學(xué)專業(yè)電子材料和器件工程方向本科生的一門必修課程.通過學(xué)習(xí)本課程。

26、半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS 1 第六章p n結(jié) 1p n結(jié)及其能帶圖 2p n結(jié)的電流電壓特性 3p n結(jié)電容 4p n結(jié)擊穿 5p n結(jié)隧道效應(yīng) 2 3 6 1p n結(jié)及其其能帶圖 1 p n結(jié)的形成 2 p n結(jié)。